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大家好，最近在帶學弟做OPA的模擬; S, Q9 |( b; X% u: m
+ g I+ s) k2 W9 E& J. K
這個電路我之前也有模擬過(標準two-stage OPA)
* [# A6 `* {' B後來再看學弟他們模擬的時候
4 R' w& d; `! C7 ~! U, ~' N想到了一些問題
$ O+ T. ]+ d, ~" R 3 v3 P' |# Q B
一般來講我們可以先藉由CIC所提供的技術文件來抓一些設計參數
0 p, V( R! _8 Oex:Vt..λ..γ..μ...Cox
! C# \/ N; o5 Z: f8 v* _% `
- _( `7 a& D. T( D) e# ]$ d* j再利用類似Allen 的書本裡的步驟來設計
5 C9 c0 P* K R' [
7 x$ V2 v5 [5 ~" i7 b( x! B但問題是，我們帶的參數值跟最後模擬出來的數值會有一定的差距1 M. u+ v* S, `3 }" ]- ?
( S+ p* X6 w/ t; E2 @: d4 |/ S& V
所以說偏壓電流、Vod等可能都會偏掉) a5 \! b" l/ Y* }6 t8 e! `. I
& A: f* H& }# I3 x( Q4 Z( y目前我們的做法是，把電路直接接起來，再利用微調參數的方式來tune
) h# d Y p, U2 d但還是很難tune的準確
- e& e' E O. |, k # Q( C& C/ J _3 @" z0 i/ ?& B
另外有一種方法就是，電路裡面的每一顆MOS都先獨立調整到準確的電流電壓值
" f5 K2 ?. v* L+ g4 T6 \最後再接起來。 {* s/ P% A* n: H _/ h1 {
3 D" H, U0 j3 U0 F0 E
第一種方式的好處在於省時間較不費功，缺點在於偏壓點較為不準。
& Q0 C/ J* i5 Z! s. U8 o第二種方式則相反。# r+ c8 B0 j! r: g- @ ^' u$ b
8 ~( |, \# M- I, y* s2 I
想請問各位設計電路時是用哪一種方式呢?
$ A9 M$ f/ C( ?) H! h- l
8 r0 ^5 ^' P" T7 Q( R; d( b g3 d
9 X0 h4 k# l$ W* X# ~, G/ b. i- u另外，想請問各位如何去抓我上面所提的參數?(Vt..λ..γ..μ...Cox )
9 c8 j+ P6 W* t% i M. [尤其是λ。 |
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狗仔卡
發表於 2010-6-22 17:55:11
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