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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Analog/RFIC討論區 › 為什麼Power mos的body端在Tran模擬時會有瞬間大電流? ...
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[問題求助] 為什麼Power mos的body端在Tran模擬時會有瞬間大電流?

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Dou
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1#
發表於 2013-6-20 17:08:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Dear all:' Z- H) J/ P- z& D2 M4 [' p# H% F- g
8 `6 A4 e7 K. d7 ~. V* K* y
小弟我最近在模擬buck-boost電路，發現在power mos的body會有瞬間大電流，
1 @2 e: G8 J0 V# v5 ^  D- }基本上都是在gate訊號轉態時，我有確定過所以power mos的gate訊號訊序都是對了# e6 o3 s/ M+ i6 \
不知道各位前輩有沒有遇過這樣的問題呢 我有試過spectre跟hspice 都有一樣的問題
3 Y& g6 N6 N( u0 R5 t
1 X* q8 l( V( C( n還有我想問說 在dead time經過兩個body diode會有可能造成不收斂嗎9 A8 z; j2 r# k, ^7 ^+ d$ G
) P, C5 g) [" |/ [
3 q1 j7 j. y' b8 Y7 X
謝謝各位前輩

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