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[問題求助] 餈����遛��ost simulaton撌桀�憟賢之嚗�蛹隞��嚗��

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1#
發表於 2008-12-14 14:52:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好,我现在正在做一个folded_cascode的运放,前仿的时候性能可以达到我的要求(100db,590Mhz,60pase margin),画好版图后通过了DRC,LVS,不过后仿的时候增益相差太大了,只有25db,请问你们遇到过类似的问题吗,讨论下哦,学习ing
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2#
發表於 2008-12-15 13:03:58 | 只看該作者
要確認你PRE-SIMULATION的正確性,在仿真方法一致的情况下,POST-SIM應該不會差這麽多。一般POST的結果只有PHASE MARGIN變小,GAIN的變化都不應該太大。
3#
發表於 2008-12-16 13:10:41 | 只看該作者
建議你看一下抽出來的寄生電容有沒有很異常的地方3 _  s) V# A* L- d6 w9 v1 D
如果沒有,那建議你把post-sim的netlist file中把所有的寄生電容或者寄生電阻全部mark掉,然後再一個一個把寄生的電容加上去,看看是那一個寄生電容造成的影響. N4 y/ ~8 U* @: |
然後再看看你的layout或者電路在那個地方是否沒有設計好
4#
 樓主| 發表於 2008-12-16 15:23:59 | 只看該作者
我的仿真方法应该是没有问题,我把电路的寄生参数都去掉后,仿真出来的结果还是一样的25DB,还是不能满足要求。不知道为什么,郁闷!
. q2 p! t) C0 P- l: V     还有,我在画版图的时候,差分输入对管是700u/300n,我把它们交叉耦合来画的,每个MOS管是20u/300n,不知道这样处理输入对管会不会有问题?
5#
發表於 2008-12-17 13:46:49 | 只看該作者
建議重新考慮一下輸入對管的尺寸,L用到300N,OFFSET問題會比較突出。
6#
發表於 2008-12-19 10:40:44 | 只看該作者
我覺得如果把寄生電容的部份都拿掉了還是和pre-sim差很多1 u  l, M; i+ f" F/ P# O
那建議你重新再看看兩者還有那裡不一樣% ]+ c+ Y3 g: A0 [0 p0 d
因為這是很不合理的
" `; G! P( V1 p$ A7 W1 \% _) Z另外,你的bias電路有沒有不一樣的地方
+ m( t0 @! g8 w- R  ^+ Q又或者,你可以把pre-sim和post-sim兩者的netlist file再互相交叉比對一下,應該有什麼地方不對才會造成這種問題
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