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富士通用奈米技術讓硬碟容量增五倍

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發表於 2007-8-11 16:21:55 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
文/張志裕 (編譯) 2007-08-10 / N& E3 @) z9 H1 j; p

3 j# L7 A# X6 \% J: p0 D+ D5 T新技術可讓硬碟每平方英吋記錄密度達到1Tbit,相較之下目前全球硬碟記錄密度最高的Seagate Barracuda.7200.10則是每平方英吋180Gbit。
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' ?9 D0 b* ]: B  c" ^富士通週四(8/9)表示,已與財團法人神奈川科學研究學院(KAST)研發出一項次世代硬碟儲存技術,此技術是獨立行政法人科學振興機構(JST)2004年起委託研發,至今得到記錄密度成長5倍的成果。 % X. j$ q4 {$ J
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該技術可讓硬碟每平方英吋記錄密度達到1Tbit,而目前全球硬碟記錄密度最高的希捷科技(Seagate Technology)製Barracuda.7200.10則是每平方英吋記錄密度180Gbit。
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主要研究技術是在磁碟上找出用來填充奈米磁體的隨機排列奈米洞成形法,並驗證磁頭確實可存取其中的資料;同時利用奈米壓印法(Nano-Imprint Lithography)在鋁金屬上製作大範圍的規律排列奈米洞,藉此讓每個磁體以圖騰媒介(Patterned Media)人工方式在磁碟上有規律的排列,而且每個磁體粒子都能記錄1bit的資料。 4 V5 I, m5 T, K5 s! C. Y

, |- {- l) X; ~+ D, n" }8 x富士通目前以2010年推出支援此技術的硬碟產品為目標,同時研究間隔25奈米的奈米洞圓週散射規律排列方式,持續研發每平方英吋1Tbit以上的記錄密度技術。(編譯/張志裕)
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