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標題:
請教nmos in nwell的問題
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作者:
sw5722
時間:
2007-11-16 11:08 AM
標題:
請教nmos in nwell的問題
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
6 l' ~! x) c4 s/ u: h
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
2 G+ S1 r- o. P$ \8 Q
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name
2 a. p/ c! k$ Y7 y; r
是否有問題.
) B5 y$ p* m+ o+ i! H, @3 s
ps. 1 error report是
( u* `3 y& \7 t! }1 T- z
******************************************************************************
; y- U i/ z3 Y. T4 E4 G
INCORRECT INSTANCES
- k* K4 P9 C" P2 A* b0 b I R4 x0 }% G" {
% B- y4 m, T+ s/ E5 r
DISC# LAYOUT NAME ne SOURCE NAME
# u4 \* L: O# L6 K+ B3 G* p
*******************************************************************************
: [/ b. M* s3 D+ z* v
6 ? ]4 i9 o3 E- D
1 ** missing instance ** MC MN(N)
0 Z. \3 g; j0 r% Y1 l
# X2 c- R" y4 i/ G" l2 E
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
( R* O( i* P1 h( A+ f( A6 c
, q& |! \; H1 p' A; Y
ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
8 ~ v- E( w6 a4 d" l& N
會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
作者:
m851055
時間:
2007-11-18 06:14 AM
從你的PS上猜測
. `, \3 ]/ q8 R& L% ]# _
應該是device name對不到，檢查看看netlist的device name，如果是就修改LVS command files就好了。
作者:
sjhor
時間:
2007-11-19 09:46 AM
如此結構不能說是 NMOS 只能說是 Capacitor!!
5 ?& [8 q1 U# B) _
所以 不能以 NMOS 建圖!!
作者:
sw5722
時間:
2007-11-19 05:34 PM
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
. x. d. b$ d5 I' |: U
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
# |; j$ f9 x; |) J; a# i! x; M) } @
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
2 |; s. |5 y8 N/ `2 M6 A+ k; F
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion
+ i9 s" o6 z9 P1 q5 t6 W4 [
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
' N1 S2 Y0 q2 g& a: q/ y
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos
+ F: ^' P! A v" e. U" O! s
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓
) s6 E3 K0 H$ V2 H" O
command去認它.
作者:
sw5722
時間:
2007-11-20 12:01 PM
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
# ]' \) m8 h9 a7 H, s" H
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring
Z; I7 ?: T# @7 m) f
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
# j* i. ~5 H+ U: }; z, {5 e4 z
東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
" G, `# ~4 e$ N
另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
9 [; @$ R# _% B1 M1 A _0 C
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
$ e( X* U ?8 x: d! x
所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
作者:
sjhor
時間:
2007-11-20 03:47 PM
原則上 這個電容是可以用的!!
! G; o5 w+ U8 }$ X2 v; o
加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
) ~7 I3 B% `7 p% [' E! N
這個電容有許多人用過!!
5 I Q" X, o+ h1 p
早期沒有 Double poly 電容的時候!! 有相當多的人在用!!
作者:
sw5722
時間:
2007-11-21 10:33 AM
基本上command flie的描述是這樣
: Y. \ ?9 {% X6 M" B% |5 F
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
2 f- D8 S& I0 k9 @9 Y/ Q/ b( {
nmoscap 1.8V NMOS Varactor (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
- n/ e" g) T f, Q/ {+ M- X
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用
8 E f' O& k# s; M- f8 f% k
"nmoscap",這樣是否可以.
7 \( n5 R2 ` v' C' i' S
我在netlist file上這樣描述,
+ ~& X- o0 T8 @! @/ P; A
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
0 l# O; c2 S6 f0 n: ]
然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式
E( m5 W$ A( ]8 x0 z6 C9 F. q
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
作者:
sw5722
時間:
2007-11-22 02:00 PM
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
6 w# n" j0 N% s# t" v
這個問題.
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