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標題:
spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得？
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作者:
sereniva
時間:
2009-9-27 11:59 AM
標題:
spice model中一些MOSFET的參數要怎麼求得？
小弟目前使用TSMC .18的model
4 b! O8 D& R1 ?1 ]6 P
想要找出MOS的μ0、ro、Cox等數據，來設計電流、電壓值
2 [1 m6 a# h0 u5 e6 p) P
但是卻不知該怎麼從 .l檔案裡面去找出這些數據
6 }. e9 G' L* Y v |5 k
7 A8 Z8 Q- g, X4 `2 w$ J
目前大概知道μ0就是裡面的U0
9 Z( z& B/ q( ^% v2 u$ K
但是ro=va/id，這個va值要怎麼知道呢？
7 J) }/ ]3 s! k
還有Cox=εox/tox，εox的值也不知道怎麼獲得？
^! o4 [1 f" g# q0 X
+ C$ |& F2 M7 C7 l
有好幾個參數不知道數據是都多少，真的不知道該怎麼設計了...
% T2 Q$ Y% |, F* c1 S3 p6 i4 ~+ w
電子學的那套計算方式根本沒辦法使用
8 P( d# I7 a: Z- Z' K
只能亂tune W和L的值，真的好累
6 B% N7 m' ~& q6 X4 l, h
# t$ X4 ^, u) W7 |- e5 C: {. U
請前輩們指導我一下該怎麼跨出第一步呀
6 q* x1 Y; s! I' ]8 _- w' k
感恩
作者:
skiptoo
時間:
2009-9-29 12:30 AM
关于εox，这是sio2的介电率 其值可通过计算得到，为sio2的相对介电常数*真空介电率 所以这个值基本是个固定值
" q( i M# n8 f+ c, G! z" p
tox可通过查看制程文件得到。
$ E# m: s* X% V
关于ro，在高阶模型里面LAMBDA就很难手算出来了，可以通过跑传输曲线看出个大概
作者:
rice019
時間:
2009-10-10 11:55 AM
Cox其實製程文件裡面會寫
3 D5 `6 B, ?, J
也可以跑模擬看出 比如說跑個 1/1的mos
" n6 r P# L! m6 N, [; Y, L
spice檔加 .option captab
1 K7 @- H/ K* K# t% b) k3 H
看lis檔就會有電容大小 cgtotal
6 |& J& \2 t1 L
除以面積就是單位電容
. m% o5 s% e" D+ g. o
不過電容跟厚度有很直接關係
9 m. Y) j$ R) |. M/ l4 i
類比工程師也需要有個概念
+ w& g0 e S0 _/ _9 s
gate oxide 90A 1x1um大概3fF
+ J# m! N. ?6 m, R6 Y2 }' p
70A的接近5fF以此類推
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