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標題:
請問各位大大,關於MOS電容下極版問題
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作者:
tommy01
時間:
2010-4-12 06:07 PM
標題:
請問各位大大,關於MOS電容下極版問題
若是NMOS做的電容
' @, o) w( X, {7 g* g3 p
上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,
那下極版是基底還是N通道呢?
我有查書說明有三種狀態
# x4 S' E, ?3 v0 m5 N( I, P' w
1,通道未型成時
- N# u6 o' ^4 R
2,三極管區
) t B7 |( D4 j& q0 R: |
3,飽和區
. p' B7 J' x. Q m0 l
但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
, @& _( v" s- x# D; R: Q' A
這樣是操作在哪一狀態呢???
作者:
kkk000777
時間:
2010-5-3 08:21 PM
3,飽和區
* D# R) r$ z1 ]- M
通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定
) R t5 h1 j0 k( o9 g* r1 O4 }
所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
3 l3 \. _4 t5 M* n% Y7 o: r) `' g$ K
如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.
作者:
poseidonpid
時間:
2010-5-5 10:56 AM
通常應該是工作在 (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。
作者:
semico_ljj
時間:
2010-5-5 11:01 AM
工作在反型层 状态
作者:
chungming
時間:
2010-5-28 12:17 AM
example for NMOS :
# L% V6 J' \- _' K8 W) v5 N. M
Vg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion
! y7 k7 F, d$ n
Vg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation
) Z8 x6 x! Z" S
6 }: }5 n x' P) f
You can see Razavi Chap2 pp. 39
, m: ?8 o/ R* n& O0 M3 A
Good Luck ~ !
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