Chip123 科技應用創新平台

標題: mos管串联使用是不是相当于增加了管子的L呀？ [打印本頁]
作者: hitxiaojun    時間: 2010-6-8 03:08 PM
標題: mos管串联使用是不是相当于增加了管子的L呀？
mos管串联使用是不是相当于增加了管子的L呀？串联的两个nmos管的sub均接gnd。4 H; v& g$ e$ k  r1 R& f
哪位大大能帮忙解决一下阿？？
作者: Zuman    時間: 2010-6-8 07:14 PM
恩，但是不能理解为单纯的L=L1+L2，因为前提是W1=W2~~~
作者: hitxiaojun    時間: 2010-6-8 07:24 PM
本帖最後由 hitxiaojun 於 2010-6-8 07:25 PM 編輯 " N( M$ A9 ?: C" k9 l

& [3 W2 P% s1 r" M# G/ v& [是的，W相同，这样做的好处是什么呢？最近在对一个芯片进行电路再现时，发现其电流源均为串联，比如两个w/l=1.4u/1.45u的nmos管串联放置，为何不用一个1.4u/2.9u的管子呢？因为串联的话，总是有一个管子处于线形区的呀，那样的话，电流源的阻抗不是就变小了么？
作者: Zuman    時間: 2010-6-8 09:14 PM
恩，是这样的，但是如果是电流源的话，串联起来的接法镜像电流的error更小~~~. I  M% C* ]( |9 h  ^
忘了那篇paper有提到过~~我找找~~讲bandgap reference的
作者: Zuman    時間: 2010-6-8 09:18 PM
好像是：Design and optimization of a high PSRR CMOS bandgap voltage reference这篇有提到，好久没看了，你自己看看吧~~~" m' `) U" S& ?4 ^# ^2 k8 m. n
附件不知道怎么粘贴，你自己看怎么下或者有需要我email你
作者: Zuman    時間: 2010-6-8 09:19 PM
具体就是这样的电流镜结构的镜像error会小些~~~
作者: hitxiaojun    時間: 2010-6-9 12:55 PM
回復 6# Zuman 7 h' Y% W( b" v8 j" [* S
谢谢大大，我去把这篇paper下下来看看~~~
作者: hitxiaojun    時間: 2010-6-9 01:07 PM
我看了里面的说明就是说了一个结论，镜像error会小，有没有相关验证或者推导这两个结构具有相同的电流函数的资料呢？我印象中好像专门有人推导过这两个结构等效，忘记了是什么资料
作者: renzhq    時間: 2010-6-19 11:09 AM
一般这种接法的bias都是给cascode提供bias的，这样的话给mosT引入一个体效应
作者: hitxiaojun    時間: 2010-6-28 08:36 PM
那如果是做单电流源呢？做current mirror的话，这样有没有好处呢？？
作者: semico_ljj    時間: 2010-6-29 09:46 AM
这样的链接方法肯定有一个管子处于线性区



歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://www.chip123.com.tw/) Powered by Discuz! X3.2