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標題: 新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？ [打印本頁]

作者: heavy91 時間: 2010-8-9 12:08 PM
標題: 新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？
記憶體新世代已經來臨了嗎？

底下有工研院產經中心產業分析師彭茂榮的分析圖表... 其中各種的中文全名、技術原理，大家都了了嗎？

作者: heavy91 時間: 2010-8-9 03:04 PM
底下有工研院產經中心產業分析師彭茂榮指出國內外廠商投入新世代記憶體的兩張現況分析比較表...

作者: atitizz 時間: 2010-9-7 07:21 AM
標題: 記憶體商業化重要進展 ATMI與Ovonyx發表用化學氣相沉積GST相變化
【新竹訊】ATMI和 Ovonyx兩家公司宣佈，以GST（Germanium Antimony Telluride）為基礎的相變化記憶體（Phase Change Memory）元件商業化，獲得重要進展。這項聯合發展計畫的關鍵成果，使得以GST為基礎的相變化記憶體技術，在量產和成本控制獲得重大突破。

PCM （Phase change memory）在新世代存儲技術中，有潛力取代NOR flash，成為最佳替代方案，並朝著取代新世代DRAM製程的方向邁進。　

最近研究證實，無孔洞（Void-free Fill）的填充和優異的電學性能結果。相較於濺射沉積法GST 225，此技術能填充高深寬比的結構，展現極佳的存儲單元的電學性能。各種CVD合金沉積的結果證實，存儲速度小於50奈秒，耐久性（endurance）介於介於108~1010間，在高於攝氏100度環境下，數據仍可保留10年。

這項最近共同研究所展現出的優異電性成果，將在9月的Electron Device Letters發表。ATMI也會在European/Phase Change and Ovonics Symposium（E/PCOS）針對CVD製程發佈文獻。

作者: atitizz 時間: 2010-9-7 07:21 AM
ATMI執行副總暨微電子總經理Tod Higinbotham表示，GST-basedPCM有希望取代NOR Flash 和部份DRAM市場，在新存儲技術商業前景看好。在邁向微型化的過程中，面臨的重要挑戰是，缺乏一項CVD製程，能使清除（reset）電流持續降低。

降低清除（reset）電流可使存儲元件的能耗降低，電池壽命延長，提供更高的數據帶寬，這些都是現今可攜式數位消費產品的重要性能指標。

兩家公司計畫將此項技術授權給半導體業者，由ATMI提供前驅材料及相關的沉積技術，來加速高性能的PCM存儲技術商業化的進展。ATMI預期，第四季將此項CVD GST技術在300mm晶片上驗證。

Tyler Lowrey, Ovonyx 總裁暨執行長指出，此成果得以更加優化相變化單元的熱環境，最終結果是，擁有降低編程電流的低成本、高集成度的元件。

ATMI與Ovonyx自2008年3月起成為研發夥伴，雙方的合作基礎建立在Ovonyx會提供所有的電學測試晶片和性能分析，以及擁有PCM方面的基本專利。ATMI網址：www.atmi.com ，Ovonyx 網址：www.ovonyx.com。

作者: amatom 時間: 2010-12-20 04:14 PM
DIGITIMES：2011年全球DRAM產能位元成長率達58.8%　製程升級成產能成長的最關鍵因素

(台北訊)2009年第2季全球景氣在歷經金融海嘯衝擊後自谷底逐季攀升，DRAM價格亦伴隨景氣回復同步自谷底走揚。

DIGITIMES Research分析師柴煥欣說明，2006年以來，包括台、美、日等DRAM廠即因DRAM價格持續下跌而處於長期虧損窘境；在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴寒，除削減資本支出，停止原先擴廠計畫外，亦先後採取減產、裁員、關廠等策略因應，為的就是保有手中現金部位。

至2009年第4季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當保守，加上缺乏足夠現金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加亦相對有限，這也是DRAM價格自2009年第2季至2010年第2季得以維持將近5季榮景的重要原因。

然而，2010年第2季以來，先有三星電子(Samsung Electronics)宣布26兆韓元的投資計畫，率先將30奈米製程導入量產，並大幅擴充記憶體產能；加上歐債風暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素亦使得DRAM價格加速下滑，1Gb DDR3現貨價從2010年第2季3.08美元跌至2010年第4季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩的跡象。

柴煥欣分析，事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產能擴充的腳步都顯得相當保守，但隨先進製程佔產出比重提高，產能依然出現明顯成長，以65奈米製程升級至50奈米製程，產能即可增加50%，從50奈米製程轉換至40奈米製程，產能將更進一步成長45%。

作者: amatom 時間: 2010-12-20 04:15 PM
依據各DRAM廠所開出產能分析，柴煥欣預估，2010年全球DRAM位元供給量將達20.4億Gb，較2009年的13.6億Gb成長49.4%。2011年全球DRAM位元供給量將達32.3億Gb，較2010年的20.4億Gb更進一步成長58.8%，2011年DRAM位元供給量大幅成長的原因則來自於先進製程的升級，其次才是來自於產能擴增。

包括美光、南科、華亞科、瑞晶、爾必達等DRAM大廠，45/40奈米製程產能將於2011年大量開出，且先進製程佔營收比重將會逐季提高，柴煥欣認為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產能擴張的時期將告一段落，轉而進入透過製程升級來擴張產能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關鍵因素。

[attach]11665[/attach]

作者: eng626 時間: 2011-8-8 10:47 AM
現在dram的發展真是情何以堪呀!!!!

作者: eng626 時間: 2011-8-8 10:48 AM
回復 1# heavy91

怎麼樣才能看到附件呢???

作者: april.liu 時間: 2011-9-18 03:41 PM
PRAM 。Numonyx已经有商用的产品了，应该是PRAM吧。目前的技术瓶颈在PRAM的温度。

作者: jayfei 時間: 2011-9-22 02:13 AM
以前的電子類雜誌有報導過, 我記得快十年前像零組件雜誌就有講過, 但等真的可以實際用在產品上, 不知要過多久??

作者: sslin 時間: 2011-9-23 08:43 AM
個個有希望, 人人沒把握!

作者: iampxj 時間: 2011-9-23 09:16 AM
dfshjkfghkfgkfgdfxjdfhkcglkvhjlhilgyuhlgyhlfyhofyhuokfyhukfhjkfhjkfhjkhjkfhjk

作者: netbugs 時間: 2011-9-23 07:38 PM
新架構與新技術, 得有新製程來輔佐, 否則, 成本不符經濟效益, 還是只能等待~

作者: foxlin 時間: 2011-9-26 08:49 AM
增廣新知～下載看看！再此感謝分享
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作者: kevin 時間: 2011-9-26 09:47 AM
NOR flash memory faces challenges in channel length scaling and maintaining the drain bias voltage margin necessary to minimize program disturb

作者: jcase 時間: 2011-10-9 09:36 PM
標題: RRAM 觸動3C產業寧靜革命
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能夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體（RRAM）深具競爭潛力。

【新竹訊】隨著可攜式產品的蓬勃發展及功能需求的提升，使得當前全球記憶體市場需求急速擴張，其中又以非揮發性記憶體（non-volatile memory）的快速成長最受關注。

能夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體（RRAM）深具競爭潛力，具備操作電壓低、快速啟動及讀取、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及非破壞性讀取等優勢，並且擁有低成本的競爭力，是目前唯一能與具備低成本競爭力的快閃記憶體對抗的非揮發性記憶體，RRAM若能商品化，會在不久的將來成為革命性的記憶體。

工研院研發的高速非揮發性電阻式記憶體具有省電、存取速度快、儲存容量大等特點。在省電的特性上最低可達5微安培的電流及1.5V的低電壓；在存取速度方面只要使用0.3奈秒脈衝即可讓元件正常操作，遠優於一般快閃記憶體並可媲美SRAM。

此外，藉由多位階的操作，可達成每個記憶單元儲存2個bits，除了可有效提升儲存資料密度，也可縮小面積，降低成本，在200℃的溫度下，資料可儲存10年以上不流失等優異特點，潛在商機極大。

作者: mister_liu 時間: 2011-10-27 10:09 AM
Ramtron開始供應高速串列F-RAM 器件樣品全新F-RAM記憶體系列為嚴苛的工業控制提供串列周邊介面

世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣佈，已開始供應全新4-至 64Kb串列非揮發性鐵電 RAM (F-RAM)記憶體的預認證樣品，新產品於Ramtron在美國的新晶圓供應源以鐵電記憶體製程生產，具有1萬億次 (1e12)的讀/寫週期、低功耗和無延遲(NoDelay™ )寫入等特性。

FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM記憶體，能夠以高達20MHz的匯流排速度進行寫入操作，並具有產業標準串列周邊介面(SPI)。F-RAM記憶體陣列在接收到資料後，可立即將資料寫入記憶體；不同於需要資料輪詢的EEPROM和其它非揮發性記憶體，F-RAM記憶體可以立即開始下一個匯流排週期。這些特性使得Ramtron最新的串列F-RAM記憶體非常適合需要頻繁和快速寫入的非揮發性記憶體應用，包括工業控制和高速資料記錄等應用。

關於FM25xxxC系列

Ramtron公司FM25xxxC系列器件具有一個串列SPI介面，工作電壓為5V，在-40°C 至 +85°C的整個工業溫度範圍內。此外，FM25xxxC系列產品具有低功耗特性，當時脈速率為1 MHz 時，有效電流約為250 µA。以及複雜的寫入保護機制，可以防止不經意的記憶體資料寫入。全系列器件均採用工業標準的8腳“綠色”且與RoHS相容的SOIC封裝。除FM25xxxC系列之外，Ramtron還提供I2C介面的FM24xxxC系列串列記憶體的樣品，包括4Kb、16Kb和64Kb。

作者: ranica 時間: 2011-11-21 03:52 PM
招聘公司：A famous IC company
招聘岗位：Process Development Engineer
工作地点：Shanghai

岗位描述：
Job description and responsibilities: Process integration for XX 65nm and 90nm Flash memory technology development; Overall process flow optimization & key module development; WAT analysis device/cell characterization and EFA/PFA study; In-line trend chart and defect monitoring and analysis; Work with foundry and product engineers to enhance product yield and quality.

职位要求：
Key Competency Requirements: Strong background in semiconductor physics, process and module (etch, plasma physics and advanced cleaning) knowledge and experience; Familiar with FA techniques (e.g. SEM,TEM,FIB) and SPC control; Good communication and interpersonal skills; Team oriented personality Education Required: BS or MS in Electrical Engineering. Physics or Material Science Experience Required: Minimum three years of semiconductor industry experience Fab PIE or module experience preferred

作者: amatom 時間: 2012-1-18 02:03 PM
標題: Ramtron宣佈推出2百萬位元串列非揮發性F-RAM記憶體
世界領先的低功耗鐵電記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣佈推出2百萬位元(Mb)高性能串列F-RAM器件FM25V20。該器件是Ramtron公司V系列F-RAM記憶體中的一員，工作電壓範圍寬，在2.0 - 3.6V之間。FM25V20具有快速存取、無延遲（NoDelay™）寫入、幾乎無限的讀/寫次數(1e14)及低功耗等特性。這款最新F-RAM器件是2Mb 串列快閃記憶體和串列EEPROM 記憶體的普適型(drop-in)替代產品，其應用範圍廣泛，包括工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲及計算等應用。

Ramtron市場經理Craig Taylor表示：“FM25V20可為嚴苛的資料收集應用提供更大的非揮發性存儲容量，並為我們現有的V系列F-RAM記憶體客戶提供一個簡便的途徑，以升級到更高密度的解決方案。V系列產品線的擴展可支援我們正在進行中的計畫，提供具有低能耗和高資料完整性的記憶體解決方案，避免了在其它非揮發性記憶體所常見的複雜性、開銷和系統級可靠性等問題。”

關於FM25V20

FM25V20採用先進的鐵電製程，具有達到100萬億(1e14)讀/寫次數的幾乎無限的耐用性，且資料能夠可靠地保存10年。FM25V20採用快速串列周邊介面(SPI)，以40MHz頻率的全速匯流排速率運行。其運行功率低，工作電壓範圍寬，介於2.0V - 3.6V之間，及100µA的典型待機電流及3µA的睡眠模式電流。FM25V20具有串列V系列器件的標準特性，即唯讀器件ID特性，使得主機能夠確定生產廠商、產品密度和產品版本。FM25V20可在-40°C 至 +85°C的工業溫度範圍內工作，並採用符合RoHS標準的“綠色” 8腳EIAJ SOIC 和 8腳TDFN封裝。

作者: amatom 時間: 2012-1-18 02:03 PM
關於F-RAM V系列

Ramtron 公司的V系列F-RAM記憶體產品採用低功耗130nm CMOS生產製程製造，包括串列I2C、串列SPI和並列記憶體。整個V系列F-RAM產品包括以下器件：

V系列串列I2C F-RAM
FM24V10 (1Mb)
 FM24V05 (512Kb)
 FM24V02 (256Kb)
 FM24V01 (128Kb)

V系列串列SPI F-RAM
FM25V20 (2Mb)
 FM25V10 (1Mb)
 FM25V05 (512Kb)
 FM25V02 (256Kb)
 FM25V01 (128Kb)

V系列並列F-RAM
FM28V100 (1Mb)
 FM28V020 (256Kb)

價格和供貨

Ramtron現可供應採用8腳EIAJ SOIC和TDFN封裝的FM25V20樣品，訂購1萬片，起價為每片8.99美元。

作者: innoing123 時間: 2012-2-7 01:59 PM
標題: Ramtron推出世界上最低功耗的非揮發性記憶體
F-RAM低能耗記憶體產品系列中的首款新型超低功耗 (ultra low power, ULP) 記憶體
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世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣佈推出世界上最低功耗的非揮發性記憶體。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業界能耗最低的非揮發性記憶體，為功耗敏感的系統設計開啟了一全新的設計視野。FM25P16是Ramtron低能耗記憶體系列中的首款產品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，並具有快速讀/寫特性和次數幾乎是無限的耐用性。

Ramtron市場推廣副總裁Scott Emley表示：“非揮發性F-RAM記憶體的快速寫入能力與創新性IC設計相結合，讓我們可以實現到目前為止功耗最低的非揮發性記憶體，典型的有效電流只有約3微安。藉由採用Ramtron的低能耗F-RAM記憶體，對功耗敏感的應用如無線感測器節點、遠端儀錶、保健產品以及新興的能量收集應用等，就能夠更高的頻率寫入數量級的資料，並同時降低系統功耗。”

作者: innoing123 時間: 2012-2-7 01:59 PM
Ramtron 低能耗記憶體的優點隨系統寫入資料的次數更加頻繁而大大增加，與串列EEPROM不同，FM25P16能夠以匯流排速率執行寫入操作而無寫入延遲。這些能力使得FM25P16適用於同時要求極低功耗與頻繁或快速寫入特性的非揮發性記憶體應用。

關於FM25P16 低能耗記憶體

FM25P16採用先進的鐵電製程，獲得達到100萬億 (1e14) 讀/寫次數的幾乎無限的耐用性，且資料能夠可靠地保存10年。FM25P16採用快速串列周邊介面(SPI)，以1MHz頻率的全速匯流排速率運作。要獲得與F-RAM 低能耗記憶體系統優勢相關的資訊，請至www.ramtron.com/go/FRAM-advantage 網站下載相關的白皮書。

特性
 16Kb 鐵電非揮發性RAM，採用2,044 x 8位元結構
 無限的讀/寫次數
 資料保存10年
 無延遲 (NoDelay™) 寫入

作者: innoing123 時間: 2012-2-7 01:59 PM
超低功耗運作
 1.8 至 3.6V 運作電壓
 3.2 μA (典型) 有效電流 @ 100 kHz
 1.2 μA (典型) 待機電流

串列周邊介面 - SPI
 頻率高達1 MHz
 SPI 模式 0 & 3

工業標準配置
 工業溫度範圍為 -40°C至 +85°C
 “綠色”/RoHS標準8腳 SOIC封裝

價格和供貨

Ramtron的FM25P16記憶體樣品已在供應中，訂購10,000個，每個FM25P16的起價為0.99美元。

作者: ranica 時間: 2012-2-7 04:38 PM
標題: 富士通半導體推出全新0.18微米5V I2C介面FRAM
本帖最後由 ranica 於 2012-2-7 04:39 PM 編輯

2012年2月7日，台北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出以0.18微米技術為基礎之全新FRAM產品系列，包括MB85RC64V和MB85R16V。兩款型號均支援I2C介面，並可在5V電壓下運作。富士通半導體從即日起開始向客戶提供樣品。

近年來，FRAM產品被廣泛地應用於測量、工廠自動化應用和各種工業領域，因此資料擷取、高速寫入以及高耐用性等都是市場需求的關鍵因素。

為因應這些市場需求，富士通半導體此次推出的全新5V IIC FRAM系列，包括MB85RCxxxV系列中的MB85RC16V和MB85RC64V，其儲存容量(density level)分別為16Kb和64Kb。這兩款晶片均可在3.0～5.5V的電壓範圍內運作，可承受讀寫週期高達1兆次，並能在85°C的環境下將資料保存長達10年（正常運作溫度範圍內）。此外，其運作頻率最高可達400kHz。該系列產品採用8針腳塑膠SOP封裝含標準記憶體針腳配置，可完全與E2PROM晶片相容。

5V IIC FRAM產品陣容

產品型號	記憶體容量	電源	運作溫度	寫入/刪除次數	資料保存時期	封裝
MB85RC16V	16Kb	3.0-5.5 v	-40-85	1 兆	10 年	SOP-8
MB85RC64V	64Kb	3.0-5.5v	-40-85	1 兆	10 年	SOP-8

富士通半導體憑藉其豐富的開發與製造經驗，進一步讓晶片設計與生產端之密切合作發揮最佳的效率和成效。這項優勢鞏固了富士通半導體在市場上的基礎，並透過穩定的供應鏈持續為客戶提供高品質產品。

為進一步滿足市場需求，富士通半導體計畫將持續擴大FRAM產品陣容。除了I²C FRAM系列產品外，富士通半導體也提供具備平行介面的SPI FRAM獨立式晶片，其儲存容量由16Kb至最高4Mb皆備。

作者: innoing123 時間: 2012-3-13 05:53 PM
Ramtron和Revere Security合作實現安全且高能效的F-RAM半導體器件

世界領先的低能耗半導體產品開發商和供應商美國半導體製造商 Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron) 和領先的超高效加密資料安全解決方案開發商Revere Security 宣佈雙方建立合作關係，計畫將Revere Security的Hummingbird HB-2安全技術整合到Ramtron的非發揮性鐵電隨機存取記憶體產品中。根據合作協定，Ramtron和Revere Security將共同進行產品開發、共同行銷安全半導體解決方案，並共同制訂推動安全技術整合進F-RAM產品中的藍圖。

Ramtron對具有極低能耗的高速通信和頻繁密匙交換應用中工業強度加密解決方案方面的需求愈來愈強勁，而Revere Security的技術和服務正可以支援此一需求。採用Revere Security技術的F-RAM器件的應用包括儲存子系統、無線接入控制、智慧計量、高價值專案認證、資料記錄、代碼儲存、電子註冊和銷售終端機 (POS)等。

Revere Security首席執行長Rick Stephenson表示：“Ramtron和Revere Security的合作是建立在實現最低能耗的微電子加密安全的技術基礎之上。加入Revere Security的技術，Ramtron展示出在開發低功耗、安全且高性能的半導體解決方案方面，將繼續保持其領導地位和卓越成就。”

作者: innoing123 時間: 2012-3-13 05:54 PM
Ramtron研發副總裁Doug Moran表示：“Revere Security的Hummingbird HB-2技術擴展了Ramtron目前AES-128加密產品的策略，因為它可為Ramtron的客戶提供標準安全和高能效專有安全的選擇。標準AES-128和Revere Security Hummingbird HB-2方法可以相互結合使用，以實現更強大的安全性和系統完整性，也可以獨立使用，以便在非常安全的應用中優化速度和功耗。”

Ramtron預計將於今年推出首款採用Revere Security技術的產品。

關於 Revere Security

Revere Security是加密資料安全解決方案的私有企業，目標市場為小型且功率受限的晶片和器件，其解決方案包括非常簡單、但功能強大的高效Hummingbird HB-2演算法。該演算法是由公司共同創辦人Eric Smith、首席密碼員Whitfield Diffie和首席密碼分析員Peter Schweitzer三位共同開發的。前國家安全局密碼專家通過縝密的研究，對這種獨特的演算法進行了測試、分析，並且證明其非常成功。除專有的Hummingbird HB-2技術之外，Revere Security還提供標準加密解決方案，經高度優化可用於特定且資源受限的設計和系統。Revere Security技術能夠保護嵌入式系統、RF通信、感測器技術、行動計算等應用中的解決方案。

作者: innoing123 時間: 2012-4-17 11:57 AM
標題: Ramtron採用低功耗非揮發記憶體來控制時間
新型FM25e64低功耗F-RAM及無線記憶體和處理器伴侶產品可有效改善智慧型計量和POS終端的性能
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世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 在日前舉行的矽谷Design West/嵌入式系統會議 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中發佈了新型的低功耗F-RAM記憶體產品，進一步加強公司協助客戶改善產品能效、存取速度和安全性的能力。此外，Ramtron同時還展出了可彰顯出類似系統優勢的WM72016無線記憶體和FM31T378處理器伴侶 (processor companion) 產品。這次展出的所有F-RAM產品均能夠降低功耗，提高資料完整性並降低產品部署及相關維護成本，從而為計量、POS及其它資料密集型記錄應用帶來許多優勢。

作者: innoing123 時間: 2012-4-17 11:57 AM
超低功耗 — 控制時間

Ramtron的F-RAM記憶體技術天生具有高耐久性、快速單週期和對稱讀/寫速度、低功耗，以及伽馬射線和電磁抗擾性等優點。現在，隨著超低功耗FM25e64的推出，Ramtron達到了電子可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM) 技術等過去高功耗非揮發性記憶體技術所無法實現的功耗水準。

Ramtron全球市場推廣副總裁Scott Emley表示：“能源消耗不能僅僅用伏特和安培來衡量，系統存取非揮發性記憶體的速度和頻率對總能耗有著顯著的影響。FM25e64除與生俱來的低功耗運作和低有效電流外，還可讓工程師控制能耗方程式中的元素時間(element time)，提供快速存取速度和高頻率寫入能力，從而以極低的能耗提升系統性能。

FM25e64採用高能效的1.5V或1.8V功率軌 (power rail) 運作，提供20µA的低有效電流，啟動、寫入資料和關閉記憶體僅需大約20µs。

在公用計量應用中，採用FM25e64記憶體可使儀錶寫入能耗和診斷資訊的速度更快，寫入頻率比標準EEPROM設計系統多出100到1000倍。此外，由於顯著縮短了記憶體的存取時間，大幅延長了系統高功耗處理器保持在睡眠模式情況下的時間，從而降低了儀錶的總功耗。而且，F-RAM的存取速度快，能夠在電源出現故障時立即保存儀錶的狀態，確保儀錶在恢復供電時不會遺失功耗資料。

作者: innoing123 時間: 2012-4-17 11:58 AM
系統安全性

在網路上隨手搜索“如何侵入POS終端” 就可以顯示POS終端資料的脆弱性。對消費者來說，如果系統能夠在被篡改或終端被竊取時完全將數據擦除的話，則POS終端將變得更友好和更安全。撇開在掉電時會遺失資料不談，使用揮發性靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 的POS終端可以保存備份資料，而這些資料可能會被要竊取POS交易資訊的駭客讀取。寫入速度超快的FM25e64可以確保資料在被破壞或電源週期內安全地被擦除，其擦除機密交易資料的時間只需要短短的10µs。

Emley進一步表示：“由於電能表也很容易受到駭客攻擊，因此智慧型儀器表開發人員需要保護儀錶資料，以確保儀錶在其使用壽命期間能可靠且連續地測量能源使用的資料。FM25e64和Ramtron所有其它F-RAM產品的電磁抗擾能力可以防止磁攻擊。而且，Ramtron的FM31T378處理器伴侶等產品藉由內建的防篡改電路，可在發生惡意攻擊時對篡改事件進行記數或中斷主機處理器，從而實現更高的安全性。篡改輸入還可用於提示電力公司，並觸發系統關斷，切斷電力供應。”

生產和維護成本

在開發F-RAM產品時，Ramtron不僅考慮到了元件成本，還考慮到客戶的總體解決方案成本。這些成本包括生產成本及終端產品使用壽命期間的維護成本。例如，生產期間終端產品的編程時間或現場更新韌體的成本，這些都將會顯著地影響客戶的生產成本和總體擁有成本。

作者: innoing123 時間: 2012-4-17 11:58 AM
在生產期間對終端產品進行編程時，超低功耗FM25e64及Ramtron其它標準F-RAM記憶體的快速寫入能力可提供顯著的優勢。通過無線方式的編程，Ramtron WM72016無線記憶體產品能夠進一步提高生產力。例如，配備Ramtron WM72016無線記憶體的電能表可以進行編程，而不需要接觸銅線，這是因為採用工業標準RF通信協議，其嵌入的F-RAM記憶體能夠以無線的方式寫入。如果需要在生產線或現場更新韌體，韌體可以被動的方式進行編程，而不需要為設備供電，並且可以在儀錶下次上電時載入所編程式。

Ramtron的FM31T378處理器伴侶在單一封裝中提供了溫度補償即時時鐘和其它常用的周邊，大幅地節省了電路板空間和成本，並縮短了生產時間。FM31T378中的即時時鐘可在儀錶生產時藉由編程達到較高的精度。
提供全面的解決方案

Ramtron的目標是解決設計時所面臨到的挑戰，並在其開發的每種產品中為客戶提供寶貴的優勢。通過FM25e64等新產品以及現有的FM31T378和WM72016器件，Ramtron的產品發展藍圖為設計人員提供了許多優勢，能夠提高用於計量、POS終端、汽車、消費品、醫療、測試與測量、建築控制和工廠自動化市場之產品的能效、存取速度和安全性。

價格和供貨

現在，客戶可通過Digi-Key、Mouser及Ramtron其它授權分銷合作夥伴來取得FM25e64記憶體的樣品 (樣品器件編號：FM25LX25-G)。FM25e64預計將於今年稍後開始批量生產，訂購1萬個FM25e64記憶體時的建議零售價為每個0.95美元。

作者: globe0968 時間: 2012-4-17 02:03 PM
標題: Ramtron提升cab Produkttechnik熱敏印表機系列的性能
基於F-RAM記憶體的FM31L278處理器伴侶實現高精確性、運作連續性和易於控制等特性

世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)和德國cab Produkttechnik GmbH & Co KG聯手宣佈，Ramtron FM31L278 F-RAM處理器伴侶為cab最新EOS熱敏標籤印表機系列的使用者帶來了顯著的優勢。

在設計時考慮到了工業電子計量、電子銷售點(POS) 及庫存管理產品等應用的需求，Ramtron 的256千位元 (Kb) FM31L278 處理器伴侶可提供非揮發性F-RAM記憶體的快速讀/寫性能和無限次的耐用性，在單一封裝中集成了即時時鐘、處理器監控器及其它常用的周邊設備。cab EOS印表機充分利用了FM31L278器件的優勢，因而可提供高精確性、運作連續性和易於控制等特性，進而有效地改善cab用戶的使用體驗。

cab EOS系列印表機的一貢關鍵特性是易於使用的觸控式螢幕。通過觸控式螢幕，用戶可以輕易地呼叫出現有的標籤、增添資料並進行列印，而所有操作均不需要與電腦連接。此外，全部標籤都可以儲存在USB隨身碟或印表機的內部記憶體中，從而讓該系列印表機成為一款兼具現代化及成本效益的解決方案，以作為生產、物流和零售標籤的列印之用。

cab研發經理Jörg Falkenberg表示：“Ramtron是可為我們提供最具創新性熱敏列印解決方案的關鍵合作夥伴。Ramtron器件在單一封裝中結合了高性能非揮發性F-RAM記憶體和其它基本的周邊設備，能夠簡化我們的設計，並為我們提供一個可在產品中實現穩健特性的平臺。”

作者: globe0968 時間: 2012-4-17 02:04 PM
Ramtron全球行銷副總裁Scott Emley表示：“我們非常重視這次與cab合作的機會，為其創新性熱敏印表機設計提供功能豐富的集成式IC解決方案。我們的使命是為客戶提供增強競爭力的器件，而cab EOS印表機正是一個好例子，可用來說明充滿靈感的產品設計與我們F-RAM半導體解決方案結合後所帶來的成果。”

不會遺留標籤

Ramtron的 FM31L278器件中嵌入的F-RAM記憶體的寫入速度因為夠快，使得在300dpi下以高達125mm/s速度執行任務的印表機能夠保存標籤設置，因而印表機在斷電後重啟時不會浪費任何標籤。FM31L278可避免標籤的浪費及省下相關的費用，並提高了cab EOS印表機的處理量。

自動重啟工作

除了儲存標籤設置之外，FM31L278內部的F-RAM記憶體可讓用戶快速而完全地刪除印表機內緩衝記憶體的狀態，並開始新的印表機任務，而不會對新標籤的列印造成影響。為了完成此一工作，cab利用FM31L278的篡改保護輸入功能，對主機進行計數和中斷，同時利用F-RAM記憶體獨特的快速寫入能力，向緩衝記憶體快速寫入零。

作者: globe0968 時間: 2012-4-17 02:04 PM
FM31L278為印表機帶來的其它特點

cab EOS是一款聯網印表機，要求每台印表機要有一個獨一無二的序號，以便可在印表機網路中被區隔出來。此外，每台印表機具有一個可從觸控顯示螢幕存取的即時時鐘，這樣便可以輕易地在每個標籤上列印時間和日期。FM31L278處理器伴侶具有寫入鎖定64位元可編程序號、即時時鐘，以及包括低電壓重定、看門狗計時器、電源故障預警和簡單I2C介面等許多其它的特點，因而可以實現這些優勢。

關於FM31L278處理器伴侶

Ramtron處理器伴侶具有標準的 I2C介面和SPI 介面、無延遲寫入 (NoDelay™)、幾乎無限的耐用性和低功耗等特性。FM31L278具有增強型的涓流充電器、一個12.5pF外部時鐘晶振、可編程的低VDD電壓重定、可編程的看門狗計時器、手動復位功能、雙電池供電事件計數器、可鎖定的序號，以及用於預警斷電中斷 (NMI) 的通用比較器。FM31L278的工作電壓範圍為2.7至3.6V，可在整個工業溫度範圍內工作。Ramtron還可提供密度為64Kb和 256Kb的3V和5V處理器伴侶型款。

價格和供貨

客戶現可通過Ramtron遍及世界各地的授權分銷網路來獲得FM31L278，以改善工業設計；分銷網路包括Digi-Key Corporation、Mouser Electronics、Future Electronics及其它許多主要分銷商。訂購1萬片FM31L278 起的建議零售價為每片3.70美元。

作者: ranica 時間: 2012-5-30 03:22 PM
招聘公司：A famous flash memory company
招聘岗位：Sr Product Engineer
工作地点：Shanghai

岗位描述：
In this position, the individual will be responsible for NAND Product Engineer and Package Qual/Rel tests setup/FA/Action Plan. The individual will also be responsible for Product Evaluation DOE for Rel/DPPM improvement and D/S and KGD Sort Yield improvement.

职位要求：
The position requires a Bachelors degree or equivalent. Masters degree preferred. The ideal individual must have proven ability to achieve results in a fast moving, dynamic environment. Self-motivated and self-directed, however, must have demonstrated ability to work well with people. A proven desire to work as a team member, both on the same team and outside of the team. Ability to troubleshoot and analyze complex problems. Ability to multi-task and meet deadlines. Excellent communication (written and verbal) and interpersonal skills.

作者: ranica 時間: 2012-5-30 03:23 PM
招聘公司：A famous flash memory company
招聘岗位：Staff Characterization Engineer
工作地点：Shanghai

岗位描述：
In this position, the individual will be in charge of the test development of NAND memory test characterization using Nextest ATE test systems and handler. This includes some aspects of test debug, validation and correlation. Perform AC/DC and logic/data sheet characterization across process, operating voltage and temperature. This individual will do the low yield analysis on issues pertaining to design marginality. Support System Engineering with failures of Card qualification. Deliver the formal characterization report. In this position, the individual will do some training at the junior engineers and lead the Characterization test in the new projects.

职位要求：
• Require 8+ years of experiences in the area of NVM product development. • Require a BSEE degree, master is preferred, with an emphasis on solid state device fundamental and analysis. • Major in Microelectronics/ Test& Measurement/ Electro-communication • Prefer good problem solving skills. • Prefer good understanding of NAND basic logic operations, AC timings, DC parametric, and NAND Flash interface protocol. • Require familiarity with common lab equipment such as digital scope, logic analyzer, V/I sources… • Some exposure with electrical/physical failure analysis technique is preferable. • Require good interaction skills with other groups. • Require excellent written and verbal communication skills.

作者: tk02376 時間: 2012-7-10 05:55 PM
萊迪思宣佈與聯華電子建立戰略夥伴關係
- 充分利用從SiliconBlue獲得非揮發性記憶體技術-

【臺北訊，2012年7月10日】-萊迪思半導體公司（NASDAQ: LSCC）今天宣佈與全球領先的半導體代工廠－聯華電子（NYSE: UMC; TWSE: 2303）建立長期技術的合作關係。在此合作關係的基礎下，萊迪思與聯華電子將持續進行以先進科技製程為基礎的非揮發性產品的開發工作，並將成果快速擴展應用至萊迪思的其它產品線。

萊迪思半導體公司總裁兼執行長Darin G. Billerbeck表示，「從通訊基礎設施到行動消費裝置，萊迪思越來越關注低成本及低功耗的市場，尤其我們了解其中的成功關鍵就在於擁有一個彈性的非揮發性技術。在2011年12月收購的SiliconBlue，就是提供這種技術的廠商，今天宣佈與我們成為代工合作夥伴的聯華電子，能夠快速地使用該技術開發創新的產品。萊迪思正積極地與聯華電子合作，我們計畫將於2012年底前推出由聯華電子製造的40nm非揮發性產品，未來我們也將推出以28nm節點製程為基礎的下一代主力產品線。」

聯華電子公司執行長孫世偉博士說，「我們很高興能夠擴大與萊迪思半導體公司的合作關係，將他們40nm和28nm產品推向市場。聯華電子的28nm HLP製程能夠滿足產品所需的性能，同時保有低功耗和低成本的特性，使萊迪思在低功耗FPGA市場中獲得競爭優勢。此外，我們也持續提升產能，300mm Fab 12A開創性的5&6 期生產技術，將滿足萊迪思長久以來先進的製造要求，我們也期待這段夥伴關係能帶來更好的效益！」

作者: tk02376 時間: 2012-7-10 05:56 PM
前瞻性聲明：

上述段落含有前瞻性的陳述，涉及估計、假設、風險和不確定性。這些前瞻性陳述包括有關的聲明：我們計畫到2012年底發佈40nm非揮發性產品，以及我們針對28nm節點製程的下一代主力產品線。其他前瞻性聲明使用的文字如「將」、「可能」、「應該」、「會」、「期望」、「計畫」、「預期」、「打算」、「預測」、「相信」、「估計」、「預測」、「建議」、「潛在」、「繼續」或這些術語的負面，或其他類似術語。萊迪思認為一些因素可能導致實際結果與前瞻性陳述有所落差。

本新聞稿中可能導致實際結果不同於前瞻性陳述的因素，包括技術和產品開發的風險。本新聞稿中描述的其他風險，以及我們提交給證券和交易委員會的其它陳述，無論此事件的結果或情況為何，或有任何無法預料的事件發生，本公司並無計畫於日後更新或修改任何前瞻性陳述。

作者: amatom 時間: 2012-8-20 02:00 PM
Ramtron和ROHM 簽署F-RAM 產品製造協定
ROHM 生產就緒的F-RAM 生產線將生產Ramtron首批 F-RAM產品的訂單

世界領先的低能耗半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation與日本ROHM Co., Ltd.簽署了一項製造和授權許可合作協定，根據這項長期協定，ROHM公司將在其成熟的F-RAM生產線上為Ramtron公司製造基於F-RAM技術的半導體產品。

初期的低密度F-RAM產品業已符合商業生產的要求，Ramtron希望在大約60天的時間內收到並開始銷售在ROHM生產線上製造的首批F-RAM器件。此外，Ramtron的市場行銷和工程技術團隊也已著手開發將在這條生產線上生產的新的Ramtron產品。除了在ROHM公司新增的產能之外，Ramtron在位於美國德克薩斯州達拉斯的德州儀器公司，以及位於美國佛蒙特州伯林頓的IBM公司皆擁有F-RAM記憶體的生產線。

Ramtron與ROHM的新協定是兩家公司自1994年起延續至今的一項雙方合作關係之成果，當時，雙方就ROHM開發和製造F-RAM產品達成了一項製造授權合約。從此之後，Ramtron 和 ROHM就一直在找尋能讓雙方合作更加緊密的機會，這次的製造和授權許可合作協定是雙方合作關係的新頁章。

作者: amatom 時間: 2012-8-20 02:00 PM
Ramtron首席執行長Eric Balzer表示：“ROHM公司的先進生產線已做好了生產商用F-RAM產品的準備，為Ramtron提供了具有吸引力的成本結構和沒有阻礙的產品開發靈活性。從戰略的角度來看，在Ramtron繼續擴展產品的目標市場並推動未來增長的過程中，擁有ROHM這樣的合作夥伴，將會進一步增強公司的競爭地位。我們期待與ROHM公司進行合作，以掌握半導體市場中基於F-RAM解決方案的重要且未經開拓之商機。”

ROHM先進LSI製造總經理Koji Yamamoto表示：“我們期待可以將ROHM成熟的製造能力和Ramtron的F-RAM品牌領導地位和產品開發及市場行銷專有技術相互結合起來，從而擴展Ramtron產品在全球各地的使用情況。我們預期可與Ramtron進行長期的合作，擴大業界對F-RAM產品及其先進技術的採用，以滿足電子系統對高性能和高資料完整性非揮發性記憶體解決方案逐漸增長的需求，”
關於ROHM Co., Ltd.

ROHM公司是使用最新半導體技術開發系統LSI、分立元件和模組產品的業界領導廠商，該公司的專有生產系統包含了某些最先進的自動化技術，這是該公司在電子元件製造行業保持領先的主要因素。ROHM擁有在設計、開發和生產各個方面擁有專有技術且技藝精湛的工程師。這使得ROHM具有應對廣泛的應用和專案的靈活性，以及為汽車、通信和電腦子市場中客戶，以及消費產品OEM廠商提供服務的能力。要瞭解更多的資訊，請瀏覽公司網站 www.rohm.com。

作者: tk02561 時間: 2012-10-8 11:18 AM
Ramtron推出可與飛思卡爾Tower System搭配使用的F-RAM記憶體模組
藉著以基於飛思卡爾系統解決方案中的F-RAM記憶體來快速構建原型，讓新增模組化平臺可加快開發速度
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世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣佈，即刻起開始供應可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開發平臺共用的全新F-RAM記憶體模組(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM磁芯記憶體和整合式產品的擴展集，為採用飛思卡爾基於ARM® Cortex™的Kinetis®和i.MX、ColdFire®、PowerQUICC™、QorIQ®和其它微控制器和微處理器方案來開發產品的工程師，提供了一個易於使用的平臺，以便在其設計方案中展示、評測和使用Ramtron的F-RAM記憶體。

作者: tk02561 時間: 2012-10-8 11:19 AM
Ramtron的F-RAM磁芯記憶體和整合式產品是要求高資料完整性和超低功耗之應用的理想選擇——這與飛思卡爾在汽車、工業，使能技術(enabling technology)和聯網方面的目標市場完全吻合。F-RAM具有天生的高耐用性、快速單週期和對稱讀/寫速度、低能耗、對伽瑪輻射的承受能力和抗電磁雜訊干擾能力。TWR-FRAM是為了可以讓客戶使用Ramtron的全部產品線來開發產品而設計的，提供高達8Mb的磁芯記憶體產品和精選記憶體介面(SPI、I2C或並行)，以及Ramtron處理器伴侶、狀態保存器，還有單獨銷售的WM72016-6-EVAL等無線記憶體產品的介面。

價格和供貨

Ramtron的TWR-FRAM記憶體模組可經由Future Electronics、Digi-Key和Mouser Electronics公司在世界各地供貨，客戶也可以通過其它Ramtron /飛思卡爾共同授權販售者 (例如Alltek、Tokyo Electron Devices、WT Micro和Farnell) 訂購TWR-FRAM。TWR-FRAM模組是特別以飛思卡爾的Kinetis K53 Tower System kit (TWR-K53N512-KIT)來開發的，並且也是為了可以當作周邊設備模組使用而設計的，可以與任何飛思卡爾Tower System控制器或處理器模組共用，構成完整的Tower System元件。

TWR-FRAM的所有代碼和範例專案檔案均是為了與IAR® Embedded Workbench和Keil® µVision4 評測授權許可(evaluation-licensed)開發工具一起使用而建構的，這些工具包含在飛思卡爾Tower System開發平臺中，也可從網址www.iar.com及 www.keil.com.下載。客戶可從www.ramtron.com/go/TWR-FRAM下載更多資訊和TWR-FRAM開發工具，並且可從www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx獲得高解析度的TWR-FRAM產品照片(從下拉式功能表中選擇TWR-FRAM)。

TWR-FRAM記憶體的建議轉售價格是99美元。

作者: ranica 時間: 2012-10-16 04:01 PM
標題: 富士通半導體推出2.7V-5.5V大範圍工作電壓FRAM產品
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2012年10月16日，台北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半導體目前的V系列FRAM產品涵蓋4KB、16KB、64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V電壓範圍內運作的FRAM產品，有利於需要大範圍工作電壓零組件之設計。富士通半導體為全球非揮發性鐵電隨機存取記憶體(FRAM)領導廠商，將持續推出更大容量的產品，以滿足各種市場需求。

FRAM產品結合了ROM的非揮發性資料存儲功能和RAM的優點，可提供1012次的讀寫、高速讀寫週期和低功耗等特點。此外，FRAM產品系統支援多種介面和容量，包括工業標準的串列和並列介面。富士通的FRAM產品比其他非揮發性記憶體的讀寫速度更快、耐久性更佳且耗電量更低。FRAM產品已廣泛採用於測量、工業控制、汽車電子、金融業銷售點管理系統等高階應用領域；FRAM支援高速讀寫、高耐久性、低功耗等特性，對這些領域而言非常重要。

作者: ranica 時間: 2012-10-16 04:01 PM
富士通半導體憑藉其豐富的開發與製造經驗，進一步讓設計與生產端密切合作並發揮最佳成效，透過穩定的供應鏈持續為客戶提供高品質產品，鞏固富士通半導體在市場上的基礎。

MB85RC256V產品特色：
主要參數
 採用32kx 8位元配置，有256KB儲存容量
 1012次的讀寫次數
 資料保持十年(+85°C)
 作業電壓範圍介於2.7V-5.5V
外部序列介面－I2C
 在4.5V-5.5V電壓範圍內，運作頻率可高達1MHz
 在2.7V-4.5V電壓範圍內，運作頻率高達400KHz
溫度與封裝規格
 操作溫度介於-40°C至85°C
 有3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝規格
供應時程
 從2012年8月中旬開始提供樣品，並於10月中旬量產供貨。

作者: jcase 時間: 2012-11-30 09:43 AM
富士通半導體推出全新小型封裝超低功耗16Kb FRAM可延長電池壽命並縮小產品面積
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2012年11月29日，臺北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈為其低功耗鐵電隨機存取記憶體(FRAM)系列再添超低功耗的SON-8小型封裝新品－MB85RC16。該系列產品可支援I2C介面，除原有的SOP-8標準封裝外，首次採用全新的SON-8封裝規格，以提供更持久的電池壽命和更小型化的終端產品，讓使用者有更佳的使用體驗。

　　為了滿足可攜式電池供電和行動應用的低功耗需求，富士通為超低功耗FRAM的MB85RC16開發全新小型SON-8封裝規格。SON-8封裝 (3mm x 2mm)的占板面積可比現有的SOP-8封裝減少80%以上，更可同時縮小產品的體積和延長電池壽命，為客戶帶來極大的便利性。

　　

作者: jcase 時間: 2012-11-30 09:43 AM
相較於傳統的非揮發性記憶體，富士通的FRAM具備高速儲存、高耐久性和低功耗等優勢，適用於需要高可靠度的電表領域，以及需要持久電池壽命的可攜式醫療設備和可攜式量測設備。

MB85RC16不僅擁有16Kb FRAM、支援I2C介面等優勢，可消耗更少電流，而因可延長電池壽命。相較於其他競爭產品，無論是待機電流和操作電流均屬業界最低水準。尤其MB85RC16在待機模式下，平均電流僅0.1 uA，可有效延長可攜式測量設備的待機時間。此外，由於這款產品的運作電流很小，因此也適用於需要即時資料記錄的可攜式設備。相較於傳統的標準EEPROM，MB85RC16在寫入資料時，可降低98%的電流消耗。

對於可攜式的電池式供電設備而言，終端產品的尺寸及占板面積越來越小，因而帶動小型化產品的需求。富士通的FRAM產品已被廣泛應用於量測、工業設備和FA設備等各種領域的應用。

作者: amatom 時間: 2013-2-18 02:47 PM
東芝開始交付業界首款嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品
--這款嵌入式記憶體符合JEDEC UFS[2] 1.1版本標準，將64GB NAND和一個控制器整合在一個封裝中--

東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，業界首款配備UFS I/F的64GB嵌入式NAND快閃記憶體模組已經開始交付樣品。該模組完全符合JEDEC UFS 1.1版本標準[3]，專為包括智慧手機和平板電腦在內的各種數位消費品打造。

樣品主要用於由作業系統廠商對UFS I/F及其主晶片組中的通訊協定進行評估。

由於主晶片組資料處理速度的提高以及無線連接頻寬的擴大，市場上對可支援高解析度視訊的大密度、高性能晶片的需求持續強勁。

作為該核心領域公認的創新企業，東芝成為業界首家使用64GB UFS模組為樣品提供支援的企業，並正藉此鞏固其領導地位。

東芝將根據市場需求來安排量產及該系列中其他密度產品的生產。

作者: amatom 時間: 2013-2-18 02:47 PM
產品
產品型號密度封裝樣品交付
THGLF0G9B8JBAIE 64GB 169Ball 12×16×1.2mm FBGA 2013年1月

主要特性
1.符合JEDEC UFS 1.1版本標準的介面，可處理的基本功能包括寫入區塊管理、錯誤校正和驅動程式軟體。它簡化了系統開發，讓製造商能夠最小化開發成本，縮短新產品及升級產品的上市時間。
2.UFS I/F有一個序列I/F。它可升級通道數和速度[4]。
3.新產品採用12x16x1.2mm的緊湊型FBGA封裝，其訊號佈局符合JEDEC UFS 1.1版本標準。

規格
介面 JEDEC UFS 1.1版本標準
工作電壓 2.7V-3.6V（記憶體核心）
1.70V-1.95V（控制器核心）
1.10V-1.30V（UFS I/F訊號）
通道數下游1個通道/上游1個通道
I/F速度 2.9Gbps/通道
溫度範圍攝氏-25度至攝氏+85度
封裝 169Ball 12x16x1.2mm FBGA

作者: amatom 時間: 2013-3-25 02:13 PM
標題: 富士通半導體推出全新1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產品
打造小型化設備及降低設備功耗為智慧電表、工業機械和醫療設備提供最佳化功能

2013年3月25日，香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈，推出兩款全新1 Mbit和2 Mbit FRAM產品MB85RS1MT與MB85RS2MT。新產品是目前富士通產品系列中最高容量的序列介面FRAM元件，預計在本(3)月底開始為客戶提供樣品。

富士通半導體持續開發FRAM產品系列，全新的MB85RS1MT(1 Mbit)和 MB85RS2MT(2 Mbit)為目前富士通提供的最高容量的SPI序列介面FRAM元件。兩款新型FRAM元件保證提供10萬億次的讀/寫週期，是現有FRAM晶片的10倍，可針對即時、連續資料記錄提供更好的支援，適用於智慧電表、工業機械和醫療設備等應用。

智慧電表、量測設備、工業機械和醫療設備(如助聽器)等設備都需要序列介面的1-2 Mbit非揮發性記憶體，現在已可採用富士通半導體的全新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在提升快速寫入功能後更可提供更高的效能，同時也將因電壓突然下降或者停電引起的資料遺失風險降至最低。相較於相同容量的EEPROM元件，MB85RS1MT和MB85RS2MT寫入時可減少92%的用電功耗，延長電池壽命。

作者: amatom 時間: 2013-3-25 02:13 PM
對於使用SRAM記錄資料和使用EEPROM儲存參數和程式的工業機械用途而言，新款FRAM產品可將EEPROM、SRAM和用於資料保存的電池系統記憶體元件所需的功能整合至單一晶片中，進而減少所需元件的數量，更不必更換電池，因而可大幅降低元件成本、電路板面積和功耗，有助於發展更小型、低功耗的設備，不再需要備用電池。

FRAM具備非揮發性資料儲存功能和高速資料寫入的隨機存取優點。不但提升效能，更能在儀表設備等應用面臨電源臨時中斷時保護資料。FRAM寫入機制仍能確保資料可高速寫入FRAM元件，而不會損失任何重要資料。富士通半導體的FRAM產品自1999年量產後，憑藉這項功能帶來的優勢，已廣泛採用於工廠自動化設備、量測設備、金融業銷售點管理和醫療設備等領域。

概括而言，新型的FRAM產品擁有減少電路板面積、不必更換電池、降低功耗和元件成本等四大優勢。展望未來，富士通半導體將持續為客戶提供解決方案、協助客戶提高產品效能和設備維護，並大幅降低風險。

供應時程
　　富士通半導體計劃在在本月底開始為客戶提供MB85RS1MT和MB85RS2MT的樣品。客戶可向富士通當地銷售業務人員洽詢樣品價格。

作者: tk02561 時間: 2013-5-17 07:50 AM
Molex推出新一代高性能超低功率記憶體技術 DDR3 DIMM記憶體模組插座滿足不斷增長的嚴苛高密度應用需求

(新加坡 – 2013年5月16日) 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司宣佈推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM 記憶體模組插座產品組合，這兩款系列產品均可滿足電信、網路和儲存系統、先進運算平臺、工業控制和醫療設備中對記憶體應用的嚴格要求。

DDR3是一項已制定完成的DDR DRAM介面技術，支持時鐘頻率為400 至 800 MHz的800 至 1600 Mbps資料速率，是DDR2介面資料速率的兩倍。採用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2在功耗上減少30%。Molex的DDR3 DIMM插座具有比標準設計更低的底座面，讓ATCA刀鋒系統中可以使用底座最大和高度低於2.80 mm的極低側高模組。新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低位準接觸電阻，可以使用已註冊的DIMM模組及降低刀鋒式伺服器中的功耗。

Molex產品經理Douglas Jones表示：“隨著更高頻寬需求的不斷增長，擁有以較快速率傳輸資料而不犧牲寶貴空間或功率的能力是十分重要的。我們的客戶在使用DDR3 DIMM插座時，能夠利用終極高性能記憶體互連，同時維持或縮小現有封裝尺寸和降低功耗。”

Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型的外殼和閉鎖(latch)設計，實現氣流最大化及消除運作期間所聚集的熱空氣。人類環境學閉鎖設計能夠實現快速動作及輕易地移除高密度記憶體模組。2.40 mm的低底座面已將垂直空間優化，以便提供更靈活的插座模組設計高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座可提供極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度等不同的版本。與標準壓接終端相比，這些壓接插座具有更小的針孔型順應引腳，從而為更高密度的跡線路由釋放寶貴的PCB空間。所有Molex的空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，而SMT版本則不含鹵素。

Molex超低側高DDR3 DIMM插座具有僅高1.10 mm的底座面，是產業中最低的。該插座在PCB上提供最高20.23 mm的垂直空間來安裝高密度的DIMM，適用於要求符合ATCA電路板機械規範的應用。這項規範要求前板(front board )PCB板一側的元件高度不能超過21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座還具有更小的閉鎖動作角度，可以使用比標準DIMM插座更少的PCB空間，改善氣流和使已安裝的元件變得更接近。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，將採用波峰焊和高溫紅外回流焊作業變成可能。

作者: mister_liu 時間: 2013-5-22 01:51 PM
標題: 東芝將開始量產新一代NAND快閃記憶體
(20130521 17:52:00)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)宣布，該公司已經開發出第二代19奈米製程技術，該技術將於本月稍晚用於量產每單元2位元的64 gigabit NAND記憶體晶片。

東芝已經使用該新一代技術開發出全球最小的*每單元2位元的64 gigabit NAND記憶體晶片，晶片面積只有94平方毫米。新一代晶片採用了獨特的高速寫入方法，寫入速度可高達25百萬位元組/秒—是全球速度最快的*每單元2位元晶片。

東芝還在利用該製程技術開發每單元3位元晶片，並計畫在本會計年度年第二季投入量產。該公司最初將透過開發一種與eMMC相容的控制器，為智慧手機和平板電腦推出3位元的多層單元產品，隨後會透過開發與固態硬碟(SSD)相容的控制器，將產品的應用範圍擴大到筆記型電腦領域。

NAND快閃記憶體是記憶卡、智慧手機、平板電腦和筆記型電腦等多元化消費品系列的基本構成元素，並越來越多地被部署到企業產品中，包括資料中心的固態硬碟。展望未來，東芝將繼續促進產品創新與開發，成為市場中一家能夠因應各種客戶需求的領先公司。

作者: innoing123 時間: 2013-5-24 11:37 AM
LSI®成為企業級 PCIe®快閃記憶體轉接卡全球第二大供應商
Nytro™快閃記憶體轉接卡上市首年出貨超過40,000張　

根據某知名市場研究機構報告顯示，LSI公司(NASDAQ: LSI)在快速成長的企業級PCIe®快閃記憶體轉接卡市場躍升成為第二大供應商 (註1)。LSI自2012年4月推出Nytro™產品系列以來，Nytro快閃記憶體轉接卡的出貨量已超過40,000張，反映了超大規模網路、雲端資料中心、金融服務公司與其他企業對加速應用效能、提升資料中心效率以及降低IT成本的需求攀升。

Forward Insights公司創辦人暨首席分析師Greg Wong表示：「快閃記憶體方案在資料中心變得越來越普及，而LSI不只成為全美第二大企業級PCIe快閃記憶體轉接卡供應商，更是全球成長最快的PCIe快閃記憶體供應商。LSI在推出Nytro產品線後第一年即達到空前的成功，突顯了LSI在儲存產業的穩固實力。」

LSI Nytro系列產品可降低延遲率，並針對關鍵應用加速效能，如Hadoop®巨量資料分析應用軟體、線上交易處理、虛擬化桌面架構，以及專為高度虛擬化私有雲/企業雲建置設計的無共享架構(Shared Nothing infrastructure)等均可受惠。

Rackspace Hosting技術長John Engates表示：「將快閃記憶體整合到我們的控制器和其他技術中，可直接協助我們為客戶提供他們想從Rackspace得到的優異效能和具一致性的服務品質。LSI與Rackspace在多項混合雲和開放式運算計畫中都有密切的合作，並從LSI眾多解決方案、包括Nytro產品系列獲益良多。」

LSI加速解決方案事業部門資深副總裁暨總經理Gary Smerdon表示：「LSI廣泛的PCIe快閃記憶體轉接卡產品陣容，讓我們比其他廠商享有更多優勢，能為客戶解決眾多資料中心負載的挑戰。企業客戶都想盡辦法為應用加速效能，以解決日益嚴重的資料洪流問題，而LSI長期以來穩固、高效能的儲存方案可為客戶提供獨特的價值與優勢。」

LSI透過眾多OEM客戶和既有的經銷通路，直接為市場提供解決方案。日前，LSI宣佈與英特爾簽署Nytro OEM合約，在其既有的OEM大廠客戶名單中再添一員。此外， LSI與終端客戶的交易量，包括試產和量產，較上一季成長超過兩倍。

作者: innoing123 時間: 2013-6-4 05:50 PM
LSI® 推出全新SandForce®快閃記憶體儲存處理器簡化企業行動運算資料安全建置與管理
台北國際電腦展SandForce Driven™SSD產品展示揭櫫支援TCG Opal規格的產品陣容和全新行動裝省電功能

LSI(NASDAQ: LSI)公司宣佈推出LSI SandForce SF-2200終端裝置快閃儲存處理器 (FSP) ，並加速支援可信賴運算組織(TCG)Opal規格的固態硬碟 (SSD)產品之普及。符合Opal規格的元件有助企業簡化在各種行動運算環境中採用SandForce FSP的自動加密型SSD之建置和管理作業，並可針對由Wave Systems和WinMagic等供應的熱門加密和安全管理產品之互通性。

無論是機密的客戶資訊、專利資料或智財權，資料往往是一家公司最有價值的資產。如果資料遺失、遭竊或意外外洩，企業都會面臨營收損失、法律訴訟和公司聲譽和品牌受損的風險。現今企業的工作團隊越來越機動，在外工作的時間越來越長，因此IT管理者最擔心的是員工儲存在筆記型電腦和Ultrabooks™等行動運算裝置中的企業資料之安全性。多個研究報告指出，10台筆記型電腦中就有一台遭竊，而這種裝置遭竊的比例正穩步攀升。(註1)

Objective Analysis公司SSD市場分析師Jim Handy表示：「全球的企業都有強烈的理由為筆記型電腦配置加密磁碟來保護機密的資料。同時，也有越來越多IT管理者採用SSD提升企業員工的生產力，或者延長企業筆電的使用壽命。LSI推出支援Opal規格的SandForce SSD控制器可以一次為企業客戶解決這些需求。」

企業基於許多理由採用配備SSD的筆記型電腦，不僅可以更快速開啟應用程式、縮短開機時間，更能延長電池使用時間。然而，由於對資料安全的成本效益，以及建置和管理自我加密型硬碟(SED)的複雜度仍有疑慮，因此也延緩了SSD更廣泛的採用。

作者: innoing123 時間: 2013-6-4 05:50 PM
LSI SandForce FSP可針對具備256位元進階加密標準(AES-256)的筆記型電腦和其他企業級行動平台，為儲存在裝置中的SSD之資料進行自動加密。此外，LSI SandForce FSP也支援TCG Opal規格，因而可簡化企業環境中硬體式自動加密型SSD的建置和管理作業，同時也可讓各種規模的企業享有政府等級的資料安全防護。

支援Opal規格的 LSI SandForce Driven SSD提供以下優點：
 簡化自我加密型SSD解決方案之建置和管理作業
 可與熱門加密工具相互作業
 AES-256自動加密保護
 比軟體加密解決方方案節省高達75%成本(註2)
 毋須額外花費用和時間處理非加密的硬碟，因而降低整體持有成本 (TCO)
 可藉由DuraClass™ 技術提供企業級快閃記憶體性能、可靠度和耐用度

LSI 快閃記憶體元件事業部行銷副總裁Thad Omura表示：「企業對行動運算的需求日益增加，還有資料外洩事件和新系統規格相容性的條件也越來越多，這些都促使各種規模的企業加速強化他們的資料安全。LSI SandForce FSP加入對Opal規格的支援和全新的省電功能，可讓企業更容易建置各種行動運算平台，並能兼顧安全、電池續航力和整體的使用體驗。」

作者: innoing123 時間: 2013-6-4 05:50 PM
LSI將於6月4日至8日舉辦的台北國際電腦展中展示符合Opal規格的SandForce Driven SSD產品。產品展示中會有DevSleep技術，這是一項專為SF-2200終端裝置FSP設計的全新功能，可讓SSD在閒置時的功耗節省400倍，有效為採用全新Intel® Haswell平台的Ultrabook延長電池使用時間。

DevSleep是因應微軟Windows 8 Connected Standby功能對電池續航力要求的重要技術。支援Connected Standby功能的系統可以在16小時的閒置狀態耗用少於5%的系統功耗。這項功能可讓行動運算裝置如同智慧型手機，在待機狀態時執行內容更新等背景作業，因而達到省電的目的。

在台北國際電腦展期間，LSI將於台北君悅酒店1039室設有產品展示。固態硬碟製造商可透過免費的韌體更新取得符合TCG Opal規格的LSI SandForce FSP。DevSleep低功耗技術已導入生產階段，並採用於量產的SandForce SF-2200控控制器產品。

客戶贈言
Wave Systems執行長Steven Sprague表示：「Wave精於提供簡單、具成本效益和值得信賴的運算解決方案，為企業日益增加的行動工作團隊保護資料的安全。Wave的安全管理方案與支援Opal規格的SandForce Driven SSD的組合，　可有效簡化自我加密型硬碟的部署和管理，更能在行動裝置不幸遺失或遭竊時，可降低因遺失而產生的成本。對於目前市場上可支援Opal 1和Opal 2規格的自我加密型硬碟，Wave提供了獨特的支援方案，而且非常了解LSI推出SandForce Driven SSD後消費者有更多硬碟選擇的好處。」

WinMagic技術合作夥伙關係副總裁Garry McCracken：「WinMagic的SecureDoc為全球注重資料安全的企業組織提供最頂尖的解決方案，讓客戶擁有集中管理、易於使用的資料加密帶來的優勢。WinMagic是Opal規格的技術夥伴，因此我們在產品的設計、研發和測試階段即與LSI緊密合作，讓我們可以針對市場上許多採用LSI SandForce FSP技術的自我加密型硬碟產品提供更多、更完整的支援。」

作者: globe0968 時間: 2013-7-25 11:44 AM
Spansion 擴展串列式快閃記憶體產品群組新產品系列具有高性能、小區塊和安全性強化的特色

2013年7月25日，台北訊 ─ 業界領先的嵌入式市場快閃記憶體解決方案創新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣佈生產新系列 16 Mb 、32 Mb和 64 Mb Spansion ® FL-1 K 串列式快閃記憶體裝置。此系列的四通道I/O串列式快閃記憶體具有高性能 (108 MHz 時鐘頻率)、高效率的4K-Byte區塊和增強型的安全系統以支援機上盒、數位電視、印表機、家用網路、汽車、智慧電表，平板電腦和下一代電腦的多樣化需求。

根據WebFeet 研究機構創辦人暨全球執行長 Alan Neibel 表示：「串列式快閃記憶體是市場成長最快的記憶體之一。全球串列 NOR 快閃記憶體出貨量將從2012 年的13 億 4000 萬美元增長到2015 年的超過 20 億美元。以客戶平台為例，特別是針對中低容量的存儲需求，正轉向採用串列式快閃記憶體解決方案來進行體積微型化和降低腳位數，用以簡化機板設計並從而降低成本。」

Spansion 產品行銷副總裁Jackson Huang表示：「隨著FL-1 K 家族的推出，Spansion將持續擴大其串列介面(SPI) 的組合，為下一代電子產品提供高性能、小區塊的高效率編碼執行以及更先進的安全性。特別是 FL-1 K 靈活的資料保護和一次性編程設計 (OTP) 功能有助於防止無心的程式設計錯誤和駭客入侵，提高更安全的使用者體驗與更高的系統完整性。」

作者: globe0968 時間: 2013-7-25 11:44 AM
Spansion FL-1 K新產品系列的關鍵事項：
 Spansion FL-1 K 16 Mb、32 Mb、64 Mb 目前樣品生產中，預計Q3 季底量產
 溫度範圍：工業等級從攝氏- 40度至 +85度，汽車等級從攝氏-40 度到+105度 (耐高溫達125 度的產品正在計畫中)
 封裝： 8/16-pin SOIC, 8-land 6x5 USON, 24-ball BGA 6x8
 SPI 介面：單、雙和四通道，可在高達 108 MHz 時鐘頻率運行
 統一4 KB區塊設計可進行高效擦除和程式編碼管理
 具有三組一次性可程式設計 (OTP) 安全暫存器（每組 256 位元組）
 加強記憶體寫入保護並具有鎖定和 OTP 選項
 支援JESD216 串列快閃記憶體可發現式參數 (SFDP)
 Spansion 快閃記憶體檔案系統的軟體驅動程式

整個Spansion FL串列式快閃記憶體產品系列從4 Mb到1 Gb，滿足嵌入式應用的廣泛需求以及輸入輸出（IO）選擇，有單、雙和四通道讀入操作以及雙倍資料速率（DDR）模式，能加倍讀出系統的資料量。該產品系列具有客戶一貫對Spansion所期望的高品質和可靠性，並能夠提供長期的產品支援。

作者: mister_liu 時間: 2013-8-26 09:19 AM
標題: 東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--（美國商業資訊）--東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠（晶圓廠），位於三重縣四日市業務部（Yokkaichi Operations）記憶體工廠內。

東芝將對Fab 5進行擴充，以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成，設備投資及生產水準將視市場動向而定。

四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體，包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造，其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量，發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後，東芝預計從中長期來看，市場會繼續擴張，並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。

展望未來，東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務，提高競爭力，並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。

Fab 5概況
大樓結構：兩層鋼架混凝土結構，大樓共五層
地上建築面積：約38,000m2
總建築面積：約187,000m2
開工時間：一期：2010年7月
二期：2013年8月
完工時間：一期：2011年5月
二期：2014年夏（目標）
投產時間：一期：2011年7月
二期：將於稍晚確定；主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型

四日市業務部概況
位置： 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
成立時間： 1992年1月
總經理： Tomoharu Watanabe
員工數量：約5,200名
（截至2013年3月底，東芝的正式員工數量）
場地面積：約436,800 m2 （包括Fab 5）
總建築面積：約647,000m2 （包括Fab 5）

作者: mister_liu 時間: 2013-10-9 01:45 PM
瑞薩電子推出全新先進低功率SRAM產品有助於提升製造商系統的可靠性
擴大先進低功率SRAM系列產品種類以110 nm製程產品達到高軟體錯誤耐受力

2013年10月8日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈將推出12款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先進低功率SRAM (Advanced Lower-Power(LP) SRAM)新產品，為瑞薩的旗艦SRAM (靜態隨機存取記憶體)。新款記憶體裝置具有4 Mb密度，並採用電路線寬僅110 nm(奈米)的精密製程技術。

上述即將推出之SRAM為全新系列的先進低功率SRAM，並提供與瑞薩現有採用150 nm製程之SRAM產品相同的高可靠性，包括無軟體錯誤(註1)及無閂鎖(註2)。這些產品可在標準電流2 µA(微安培)、25°C下達到低功率運作，適合用於以電池備份之裝置中的資料儲存。

瑞薩的低功率SRAM已在多種領域獲得廣泛的採用，包括工業、辦公室、通訊、汽車及消費性產品，該公司此類產品在2012年並擁有全球第一的市佔率(註3)。近來由於製造商系統已達到更高的效能與更先進的功能，SRAM已成為提升整體系統可靠性的重要因素。特別是用於儲存重要資訊如系統程式與帳單資料的SRAM，必須提供高水準的可靠性，因此焦點也特別放在降低因α輻射與宇宙中子輻射造成之軟體錯誤的方法。

作者: mister_liu 時間: 2013-10-9 01:46 PM
在瑞薩的先進低功率SRAM架構中，記憶體單元中的每個記憶體節點(註4)皆附加實體電容器(註5)，因此對於軟體錯誤具有極高的耐受性。在發生軟體錯誤之後，一般的處理方法是在SRAM或製造商系統中納入內部錯誤修正碼(ECC)電路。但是此方法有其限制，在一些情況下，ECC的效能可能無法處理影響多個位元的錯誤。相較之下，先進低功率SRAM採用結構性方法以避免軟體本身發生錯誤。從目前大量生產之150 nm先進LP SRAM的系統軟體錯誤評估結果而言，實際上這些產品稱得上是無軟體錯誤。

另外，SRAM單元負載電晶體(P通道)為多晶矽TFT (註6)，且堆疊於矽基板上的N通道MOS電晶體頂端。因此，只有N通道電晶體會形成於矽基本之下。如此可確保記憶體區域中不會形成任何寄生閘流體，而且理論上將不可能產生閂鎖。

這些功能使先進低功率SRAM所達到的可靠性遠高於採用傳統記憶體單元結構的全CMOS類型(註7)產品。對於非常重視高水準可靠性的應用而言，例如工廠自動化設備、測量裝置、部署於智慧電網的設備以及運輸系統等，先進低功率SRAM將有助於進一步提高這類應用的效能與可靠性。

此外，先進低功率SRAM結合SRAM多晶矽TFT堆疊技術與堆疊式電容器技術以縮小單元尺寸。例如，110 nm先進低功率SRAM的單元大小相當於採用65 nm製程的全CMOS SRAM。

除上述產品外，瑞薩也將計劃加入8 Mb與64 Mb的110 nm產品以強化其110 nm SRAM產品陣容。

作者: mister_liu 時間: 2013-10-9 01:46 PM
(註1)軟體錯誤：
指一種現象，當外部α或中子輻射撞擊矽基板時會產生電荷，導致儲存於記憶體中的資料遺失。相對於可再現的硬體錯誤，例如半導體元件的硬體故障，軟體錯誤無法再現，而且只需由系統重新寫入資料即可修正錯誤。一般而言，軟體錯誤的發生率會隨著製程愈趨精密而提高。

(註2)閂鎖：
指一種現象，由CMOS電晶體的井區、矽基板、P型擴散層及N型擴散層形成的NPN或PNP結構(寄生雙極電晶體)因來自電源供應器或輸入腳位的過電壓而進入導通狀態，允許大電流流入電源供應器與接地之間。

(註 3) 資料來源：瑞薩電子。

(註4)記憶體節點：
各記憶體單元中將資訊位元儲存為「高」或「低」電位的正反器電路節點。

(註5)堆疊式電容器：
由多晶矽或金屬產生兩個電極的電容器。這些電容器產生於矽基板上的MOS電晶體上層，有效降低記憶體單元的表面積。

(註6)薄膜電晶體(TFT)：
由薄膜多晶矽產生的電晶體。這些元件做為SRAM負載電晶體使用，產生於矽基板上的MOS電晶體最上層，有效降低記憶體單元的表面積。

(註7)全CMOS類型：
由產生於同一矽基板表面總計六個P通道MOS電晶體與N通道MOS電晶體所構成的SRAM記憶體單元結構，它具有較大的表面積，因此有發生閂鎖的風險。

供貨時程
瑞薩電子新款SRAM將自2013年11月開始供應樣品，並預定自2013年12月開始量產。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

作者: globe0968 時間: 2013-11-1 02:27 PM
東芝推出採用19奈米第二代製程技術的新型嵌入式NAND快閃記憶體模組
--新產品符合JEDEC eMMCTM 5.0版標準--

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出新型嵌入式NAND快閃記憶體模組，該模組整合了採用19奈米第二代製程技術製造的NAND晶片。該模組符合最新的eMMCTM [1]標準，可應用於智慧型手機、平板電腦和數位攝影機等廣泛的數位消費品。量產將從11月底開始。

能夠支援高解析度視訊和提供更大儲存空間的高密度NAND快閃記憶體晶片的需求不斷成長。這在包含控制器功能的嵌入式記憶體領域尤為明顯，這種嵌入式記憶體可以使開發要求降至最低，並使得整合進系統設計更加便利。東芝正透過增強其高密度記憶體產品系列來滿足這項需求。

該公司的新型32 GB嵌入式設備在11.5 x 13 x 1.0mm的小型封裝中整合了4個64Gbit（相當於8GB）NAND晶片（採用東芝的19奈米第二代尖端製程技術製造）和一個專用控制器。它符合JEDEC於9月發布的JEDEC eMMCTM 5.0版標準，並且透過採用新的HS400高速介面標準實現了高讀寫效能。

作者: globe0968 時間: 2013-11-1 02:27 PM
東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND快閃記憶體系列中使用這些NAND晶片。所有設備都將整合一個控制器來管理NAND應用的基本控制功能。

在16GB和32GB產品之後，東芝將依序推出4GB、8GB、64GB和128GB產品。

主要功能

1. 符合JEDEC eMMCTM 5.0版標準的介面可以處理基本功能，包括寫入區塊管理、校正和驅動軟體。它可簡化系統開發，讓製造商能夠有效降低開發成本，並加快新產品和升級產品的上市速度。
2. 嵌入系統後，128GB模組能夠以128Kbps位元速率記錄長達2,222小時的音樂、16.6小時的Full HD視訊和38.4小時的標準畫質視訊[2]。
3. 新產品採用使用19奈米第二代尖端製程技術製造的NAND快閃記憶體晶片。
4. 新產品採用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝，並且擁有符合JEDEC eMMCTM 5.0版標準的信號佈局。

[1] eMMCTM是採用JEDEC eMMCTM標準規格製造的嵌入式記憶體產品的商標和產品類別。

[2] HD和SD分別按照17Mbps和7Mbps的平均位元速率計算。

作者: mister_liu 時間: 2013-11-15 01:35 PM
標題: 富士通半導體推出全新4 Mbit FRAM產品
可取代SRAM的非揮發性記憶體，為工業機械及辦公自動化提供不需電池的最佳解決方案

2013年11月14日，香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布推出全新具有SRAM相容型並列介面的4 Mbit FRAM晶片MB85R4M2T。MB85R4M2T採用44-pinTSOP封裝並且與標準低功耗SRAM相容，因此能夠在工業機械、辦公自動化設備、醫療設備以及其他設備等應用中，取代原有具備高速資料寫入功能的SRAM。此產品明年1月起開始為客戶提供樣品。

FRAM具備非揮發性資料儲存功能，即使在電源中斷的狀況下仍能保護資料；隨機存取功能則能高速寫入資料。由於FRAM在寫入資料時若面臨電源臨時中斷或是停電，仍舊能夠安全地儲存資料，因此即使在電源中斷時還是能夠立即儲存參數資訊並即時記錄設備上的資料數據。

另外，MB85R4M2T無須任何電池即可持續地儲存資料，因此有助於發展更小型、更省電的硬體設備，且能降低總成本。其優勢包含：

1. 減少電路板面積
MB85R4M2T不需要透過電池儲存資料，因此能減少50%以上產品中所使用PCB基板記憶體與相關零件的電路板面積。

2. 降低功耗
SRAM在主電源關閉的情況下將資料保存在記憶體時，需要消耗約15 µW/秒的電流以保存資料。由於FRAM為非揮發性的記憶體，在電力關閉情況下不會耗費任何電力。

3. 降低總成本
移除電池不僅降低零件成本，也免除了所有電池更換或維修相關的週期性成本，能大幅減低開發及營運的總成本。

富士通半導體將持續為客戶提供記憶體產品及解決方案並協助客戶提高產品效能，也期望能有效降低終端產品的總成本。

作者: amatom 時間: 2014-2-13 01:24 PM
東芝開發出可以使低功耗微控制器從深度休眠模式快速喚醒的極低洩漏SRAM

(20140213 13:37:25)東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布，該公司已經開發出適用於低功耗微控制器備用RAM的極低洩漏65奈米靜態隨機存取記憶體（SRAM），它可以實現從深度休眠模式快速喚醒。

東芝於2月11日在2014年美國電氣和電子工程師協會（IEEE）國際固態電路會議上公布了這一進展，本次大會在加州舊金山舉行。

可穿戴式設備、醫療照護工具和智慧電表等低功耗系統對較長的電池放電時間存在強勁需求。降低這些系統所使用微控制器的功耗存在許多挑戰，隨著製程的升級換代，洩漏電流的增加和有功功耗造成了問題。減少RAM（待機期間可以保存資料）中的洩漏電流尤為重要。

通常的微控制器可以透過深度休眠模式（待機電流小於1μA）降低功耗。但是，這使得通常的SRAM無法保存資料，因為SRAM需要遠高於1μA的待機電流。因此，當系統從深度休眠模式中喚醒時，重新載入資料需要花費較長時間。使用鐵電隨機記存取憶體（FRAM）作為備用RAM可以消除這一重新載入問題，但是FRAM的速度慢很多，比SRAM消耗更多有效功率，並且需要更多製程成本。

作者: amatom 時間: 2014-2-13 01:25 PM
東芝已經開發了一種洩漏率低於傳統SRAM千分之一的極低洩漏SRAM；當採用65奈米製程時每位元洩露電流為27fA。這一水準低於採用65奈米以上技術製造的SRAM的已發布資料。這種新的SRAM充電一次便可以在備用記憶體（容量約為100Kbyte）中保留資料超過10年時間。

採用最近的製程技術製造的MOSFET擁有更高的閘極漏電、閘極偏壓感應汲極漏電流（GIDL）和溝道漏電。東芝已經開發了一種低洩漏電晶體（擁有厚閘氧化層、長溝道和最佳來源漏擴散分布）來減少這些洩漏因素，並將其部署於SRAM儲存單元。該公司已經開發了幾種創新的減少洩漏電路。其中一種是將反向偏壓應用至儲存單元的NMOS的來源偏壓電路，另一種電路在資料保存期間切斷了週邊電路的供給電壓。

低洩漏電晶體比傳統電晶體大，從而使整體單元區有所增大。在1.2V供給電壓條件下，東芝使單元尺寸較採用該設備的原始設計規則設計的區域降低了20%。通常，大電晶體電路擁有更高的有效功耗。透過採用「四分之一陣列啟動計畫」和「電荷分享分層位元線」降功耗電路，東芝已經抑制了這種有效功耗增加。

憑藉極低的洩漏電流，讀取時間為7ns的SRAM擁有足夠快的速度，能夠用作低功耗微控制器的工作RAM和深度休眠模式時的備用RAM。由於系統無需重新載入資料，因此從深度睡眠喚醒的速度有所提高。

東芝計畫在2014年發布的產品中使用該RAM，並預計在未來的電池驅動產品中廣泛使用它。

作者: ritaliu0604 時間: 2014-2-25 01:17 PM
標題: 富士通半導體推出全新序列記憶體產品陣容
全新FRAM產品搭載I2C介面及1Mb記憶體適用於工廠自動化控管、測驗儀器及工業設備

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布成功開發全新FRAM產品 MB85RC1MT，擁有1Mb記憶體 (128K字元X 8位元)，是所有富士通半導體I2C序列介面產品中最高記憶體容量的產品，即日起可為客戶提供樣品。MB85RC1MT保證有十兆次寫入/刪除 (write/erase) 週期，適用於需要經常重覆寫入資料之應用，例如工廠自動化、測試儀器及工業設備所需之即時資料登錄應用。現在富士通半導體同時擁有廣泛的I2C與SPI序列介面產品系列，為客戶提供最符合他們要求的非揮發性記憶體產品。

FRAM是一種兼具非揮發性與隨機存取功能的記憶體，能在沒有電源的情況下可儲存及高速寫入資料。值得注意的是，在眾多非揮發性記憶體技術中，FRAM能保證一兆次以上的寫入/刪除週期。富士通半導體自1999年開始量產FRAM產品以來，已將上述產品特性廣泛應用在工廠自動化設備、測試儀器、金融終端機及醫療裝置等領域。

MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度範圍以1.8至3.3伏特工作電壓運作，可支援「高速」操作頻率模式，並可在傳統EEPROM相同的3.4MHz及1MHz環境進行讀寫資料作業。MB85RC1MT保證有十兆次寫入/刪除週期，大幅超越傳統EEPROM之寫入/刪除週期次數，並可支援I2C介面及其他介面產品之即時資料登錄等頻繁的重覆寫入資料作業。

作者: ritaliu0604 時間: 2014-2-25 01:18 PM
此外，EEPROM和微控制器等已採用其他I2C介面產品的應用，現在都可以新款的FRAM產品取而代之，可透過高頻率資料登錄實現高精度資料擷取(如圖一)，並能夠降低資料寫入作業所需的功耗。

MB85RC1MT產品陣容可搭載I2C 介面(支援4 Kb至1 Mb記憶體容量)或SPI介面(16 Kb至2 Mb記憶體容量)，大幅增加了富士通半導體的FRAM產品陣容 (如圖三)。這些FRAM系列產品採用業界標準的8針腳SOP封裝，因而可取代EEPROM或序列快閃記憶體，並適用於工廠自動化、測試儀器及工業設備等應用，更無須大幅修改電路版的設計。

富士通半導體將持續開發FRAM產品以滿足客戶對低功耗產品之需求，例如需求日益增加的能量採集應用，其中低工作電壓是關鍵要素。

樣品供貨時程

富士通半導體從本月起已開始為客戶提供MB85RC1MT樣本，請與業務代表洽詢詳細樣品價格。

作者: ranica 時間: 2014-4-24 09:25 AM
東芝啟動全球首批15奈米NAND快閃記憶體量產

(20140423 18:08:32)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布，該公司已開發出全球首個15奈米(nm)*1製程技術，該技術將應用於容量128Gb (16GB)、每單元容量2位元(2-bit-per-cell)的NAND快閃記憶體中。採用新技術的量產將於四月底在位於四日市業務部(Yokkaichi Operations)生產據點的Fab 5啟動，從而取代東芝之前的一流製程——第二代19奈米製程技術。Fab 5是東芝的NAND快閃記憶體製造廠（晶圓廠）。Fab 5的第二期段施工目前正有條不紊地進行中，而新製程技術也將在此部署。

東芝已借助15奈米製程及改良的週邊電路技術實現全球最小等級的晶片尺寸。這款新型晶片具有與採用第二代19奈米製程技術形成的晶片相同的寫入速度，但其透過採用高速介面，使得資料傳輸速率增加至每秒533MB，這一速率是採用第二代製程技術的晶片的1.3倍。

東芝目前使用搭載15奈米製程技術、每單元容量3位元的晶片，並計畫於本會計年度的第一季至2014年6月期間啟動量產。該公司將同時為嵌入式NAND快閃記憶體開發控制器，並針對智慧型手機和平板電腦推出每單元容量3位元產品，之後還將透過開發與固態硬碟(SSD)相容的控制器，以將應用擴展到筆記型電腦。

東芝將繼續緊密遵循其製程技術開發藍圖，並透過將一流的製程投入生產來增強產品競爭力和性能。展望未來，東芝將進一步推動產品創新和開發，以及確保其能夠回應各種不同的客戶產品需求，包括智慧型手機、平板電腦、輕薄筆記型電腦，以及要求高穩定性的企業產品（如針對資料中心提供的SSD），以鞏固其市場領導地位。

*1 2014年4月23日。東芝調查。
*2 1奈米等於1 x 10-9或1 / 1,000,000,000公尺。

作者: tk02561 時間: 2014-4-29 11:31 AM
東芝啟動業界首批符合UFS 2.0版本的嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品出貨

(20140428 17:57:00)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)旗下的半導體和儲存產品公司今天宣布，即日起啟動符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品出貨，東芝此舉為業界首例[2]。這兩種模組還整合了UFS 2.0版本的選用功能——5.8Gbps高速MIPI M-PHY[3] HS-G3 I/F，並實現了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。

傳送速率的加快可縮短推出各類應用，拍攝數位靜態影像，以及在智慧型手機或平板電腦等行動產品上播放及下載大型資料電影和音樂檔所需的時間。

隨著主機晶片資料處理速度的提高，以及智慧型手機和平板電腦等各種數位消費產品無線連接中寬頻的增大，對於支援高解析度視訊的大密度、高性能晶片的需求也將繼續成長。

實務證明，東芝是這一重要領域的創新者。透過成為業界首家提供高性能UFS模組樣品的公司，東芝正進一步鞏固其領導地位。

東芝將安排量產，並將把其他密度的產品加入該陣容中以回應市場需求。

新產品概覽
產品型號密度    封裝
THGLF2G8C4KBADR 32GB 153球細間距球柵陣列(FBGA)  11.5x13x1.0mm
THGLF2G9C8KBADG  64GB 153球細間距球柵陣列(FBGA)  11.5x13x1.2mm

作者: tk02561 時間: 2014-4-29 11:32 AM
主要特性

1.符合JEDEC UFS 2.0版本的介面可處理基本功能，包括寫入區塊管理、誤差校正和驅動軟體。該介面簡化了系統開發，使製造商最大限度地減少開發成本，加快向市場推出新產品和升級產品的速度。

2.該產品具有超高的讀取/寫入性能，且透過支援UFS 2.0版本的選用功能——雙通道MIPI M-PHY HS-G3 I/F，其最高傳輸速率高達11.6Gbps。

3.兩款新產品均採用小型FBGA封裝，且具有符合JEDEC UFS 2.0版本的信號佈置。

主要規格

介面 JEDEC UFS 2.0版本標準

電源電壓 2.7V至3.6V（儲存磁心）

1.70V 至1.95V（記憶體介面等）
1.10V to 1.30V（控制器核心，UFS I/F信號)

通道數量
下行2通道/上行2通道

I/F速度
5.8Gbps/通道

溫度範圍
-25℃至+85℃

封裝
153球細間距球柵陣列(FBGA)
11.5x13x1.0mm (32GB) / 11.5x13x1.2mm (64GB)

注：
[1]通用快閃記憶體是根據JEDEC UFS 標準規範建立的一種嵌入式記憶體產品類別。
[2]嵌入式NAND快閃記憶體模組：2014年4月25日，東芝調查。
[3] MIPI和M-PHY是MIPI Alliance的商標、服務商標、註冊商標和/或註冊服務商標。

作者: atitizz 時間: 2014-6-25 01:51 PM
TI 用全新的 MSP430™ FRAM 微控制器開創了超低功耗的新時代
採用 EnergyTrace ++™ 技術的 MSP430 MCU 設計以實現全球最低功耗的微控制器系統

(台北訊，2014 年 6 月 25 日) 德州儀器 (TI) 宣佈推出其綜合的超低功耗 FRAM 微控制器 (MCU) 平台。該平台包含所有必要的硬體和軟體工具，支援開發人員以降低能源預算，最大限度地縮減產品尺寸並努力實現無電池的世界。具有 EnergyTrace++™ 即時功耗分析器和除錯器的 TI 全新 MSP430FR59x/69x FRAM MCU 產品系列在 32KB 至 128KB 的範圍嵌入鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)。這些MSP430™ MCU非常適用於智慧計量儀表、穿戴式電子產品、工業和遠端感測器、能源收集裝置、家庭自動化設備、資料獲取系統、物聯網 (IoT) 以及更多需要超低功耗、彈性記憶體選擇和智慧類比整合的應用。

採用嵌入式 FRAM 的 TI 創新型超低漏電 (ULL) 專有技術可在 -40 至 85 攝氏的溫度範圍內提供全球最低的系統功耗，其包含運行功耗為 100μA/MHz，精確即時時鐘 (RTC) 待機功耗為 450Na 和業界領先的功率效能。全新的 FRAM MCU 包括各種智慧類比週邊，如在轉換速率為 200 ksps 時耗電流低至 140μA 的差分輸入類比數位轉換器 (ADC) 以及可在系統處於待機狀態時運行的增強型流量計量掃描介面，進而使功耗降低 10 倍。此外，整合式 8-mux LCD 顯示器和 256 位元進階加密標準 (AES) 加速器也可降低功耗，縮減材料清單成本並節省電路板空間。

採用 EnergyTrace++ 技術即時除錯能量
TI 採用新型 EnergyTrace++ 技術的系統是全球第一個能讓開發人員為每個週邊即時分析功耗的除錯系統，其電流解析度低至 5nA。這使工程師能控制自己的功耗預算並優化軟體，竭盡所能創造出能耗最低的產品。這項新技術現在可用於 MSP430FR59x 和 MSP430FR69x MCU 產品系列，並附上全新的低成本 MSP430FR5969 LaunchPad 開發套件。

作者: atitizz 時間: 2014-6-25 01:51 PM
借助 FRAM 的獨特功能挑戰超低功耗
除了具有顯著的節電優勢外，TI 的 MSP430FR59x/69x FRAM MCU 產品系列還具有以下的特性，超出了開發人員的預期：
• 無限的可讀寫次數。無法取代的讀取/寫入速度意味著 FRAM MCU 比傳統非揮發性記憶體解決方案的擦寫迴圈次數多100億次以上 — 其擦寫週期超過了產品生命週期本身；
• 彈性。FRAM 具有獨特能力，使開發人員擺脫代碼和資料記憶體之間的傳統界限束縛。用戶無需再受限於業界標準快閃記憶體與 RAM 的比率或為增加的 RAM需求支付額外費用；
• 易用性。FRAM 可簡化代碼開發。由於 FRAM 無需預先擦除段，並可基於位元等級被存取，所以有可能達到恆定的即時資料記錄。無線韌體更新複雜程度降低，速度加快且能耗減少。

TI 超低功耗 FRAM MCU 產品組合的特性與優勢
• FRAM 是唯一的非揮發性嵌入式記憶體，可在電流低於 800μA 的情況下以 8Mbps的速率被寫入 — 比快閃記憶體快100倍以上；
• 借助引腳對引腳相容性和可擴展的產品組合，由 TI 超低功耗 MSP430™ MCU FRAM 產品平台內 32KB 至 128KB 的裝置組成，使開發工作變得更輕鬆；
• 借助 MSP430 FRAM 和快閃記憶體組合之間的代碼和週邊相容性，利用MSP430Ware™來簡化遷移；
• 可取代 EEPROM，旨在設計出寫入速度更快、功耗更低且記憶體可靠性更高的安全產品；
• 256 位元的 AES 加速器使 TI 的 FRAM MCU 能確保資料傳輸；
• 適合開發人員使用的豐富資源包括詳細的遷移指南和應用手冊，以簡化從現有矽晶片到 MSP430FR59x/69x MCU 的遷移。

入門
開發人員可透過涵蓋齊全的培訓計畫，包含的線上培訓和現場培訓環節針對超低功耗平台的各個方面開始使用TI的FRAM MCU產品組合。一系列深入的教學影片將幫開發人員快速開始設計，並在設計週期的任何階段利用 EnergyTrace++ 技術和開發工具對 TI 的 FRAM MCU 進行故障排除。

供貨情況與價格
MSP430FR59x MCU可立即用於批量生產，建議售價為每一千單位 3.35 美元。MSP430FR69x MCU現已開始提供樣品，並將在2014年第3季度用於正式批量生產。MSP-EXP430FR5969 LaunchPad與Sharp® 96 Memory LCD BoosterPack捆綁銷售，建議售價為 29.99 美元。此外，MSP-FET也已開始供貨，建議售價為 115 美元。

作者: sophiew 時間: 2014-6-30 12:20 PM
富士通半導體FRAM 鐵電記憶體　免費樣品申請活動
與康淇科技聯手合作　讓更多客戶以及工程師體驗FRAM優異性能

2014年6月30日，香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布攜手康淇科技股份有限公司推出富士通鐵電記憶體 (FRAM)免費樣品申請活動，本次活動主旨是讓更多的使用者了解並體驗富士通半導體高效能的FRAM系列產品，及其在智慧生活的相關應用。即日起至8月31日可透過活動網站http://www.com-tek.com.tw/html/f ... tml?Category=372365，免費申請FRAM樣品。

隨著物聯網產業的發展與商機崛起，以感測網路為基礎的智慧與自動化相關應用，已成為各領頭企業搶攻的大餅。富士通半導體FRAM系列產品，近年，更是在工業自動化設備、智慧電錶、監控、智慧家庭醫療與RFID等領域的解決方案及應用中受到業界矚目。FRAM是一種使用鐵電材料來保存資料的非揮發性記憶體。這種記憶體融合了RAM和ROM的雙重優點，能夠隨寫隨讀，在停止供應電力的狀況下，其內部儲存的資料也能夠永久保存。

富士通半導體量產FRAM技術已有15年的豐富經驗，全球累積出貨數量已達24億顆。其所製造的FRAM產品以非揮發性、高速燒寫、高讀寫耐久性10萬億次、隨機存儲以及低功耗等諸多優點，在記憶體產品中脫穎而出。截至目前，富士通半導體FRAM產品已有17個產品量產，容量範圍從4Kb到4Mb，同時，也著手研發8Mb產品，以逐步提升內建容量。富士通半導體的FRAM可分為兩個產品系列，序列介面 (I2C，SPI）和並列介面產品。採用串列I/F的FRAM可以用來替代E2PROM或串列快閃記憶體，而採用並列I/F的產品可以用來替代低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)。

富士通半導體期望藉由此次與康淇科技合作舉辦之免費樣品申請活動，了解使用者需求並得到有價值的使用者回饋訊息，進而改善產品，使富士通FRAM系列產品能更加符合市場定位。另外，康淇科技也能提供最即時且專業的服務，針對使用者不同的需求，提供最精準且有效的解決方案，同時將FRAM產品推廣至更廣的用戶族群。

作者: sophiew 時間: 2014-6-30 12:20 PM
本次活動可以免費申請的富士通半導體FRAM系列產品包括：

I2C接口記憶體產品群：
MB85RC04V
MB85RC16V
MB85RC64A

SPI接口記憶體產品群：
MB85RS16
MB85RS64

關於康淇科技股份有限公司 (Comtek Corporation)
康淇科技股份有限公司能提供最先進、高效能之電子零組件產品及高規格的專業服務，專注於提供客製化高效及最精省的解決方案。同時，康淇科技致力於FRAM的推廣，擁有專精之業務/技術團隊，能協助客戶應用FRAM的特性，提升產品性能與競爭優勢。其客戶群涵蓋電源管理、博弈機、網路及通訊、LED照明、儀控及監測設備、太陽能/綠能產業等。康淇與所有原廠配合，依據產業/客戶的中長期發展方向，優先研發以滿足未來所需並與客戶做最即時的溝通，確保研發方向能與客戶同步。

作者: tk02376 時間: 2014-10-22 01:41 PM
Marvell 推出突破性SRAM基礎的網通搜尋引擎為業界處理能力最高、效能最快且功耗最低的解決方案
全新Marvell Questflo系列僅以1/3的功耗實現四倍的處理能力和最高速聯網速度，支援下一代行動網路與物聯網以流量為基礎的網路服務

【2014年10月20日，加州聖塔克拉拉郡】 — 全球整合晶片解決方案領導者 Marvell 邁威爾(Nasdaq：MRVL) 今日宣布推出突破性的新產品系列Questflo™ （98TX1100），是一利用SRAM（靜態隨機存取記憶體）為基礎的網通搜尋引擎，以現行市場上技術的小部分功耗，卻達到業界最高處理能力、最快效能。全新Marvell Questflo 產品系列，能以1/3的功耗提供達四倍的處理能力，以因應下一代的網通設備需求，同時推升行動裝置、物聯網（IoT）與車聯網的爆炸性成長，現今市場以TCAM為基礎的傳統解決方案，從系統成本、功率、產品規格到可靠性的觀點來看，皆已無法滿足未來持續擴充的頻寬與服務密度。Marvell的全新 Questflo產品系列象徵著技術的創新革命，將協助電信業者與服務供應商導入、管理並迅速擴充新的營收服務，同時提供強化的安全性與連網品質。988TX1100的應用包含：電信業級與企業級服務/邊緣路由器、資訊安全設備、網路偵測器、資料中心交換器、伺服器、負載平衡器與新一代SDN（軟體定義網路）及NFV（網路功能虛擬化）平台。

Marvell 總裁暨共同創辦人戴偉立表示：「網通搜尋引擎是現有的雲端運算與雲端型服務大量基礎網路的關鍵因素。Marvell 以開創性的 Questflo 技術，僅使用資訊安全設備、軟體定義網路及其他重要網路應用的小部分功耗，卻能提供四倍的網通搜尋能力，對此我感到非常榮幸。這項技術將可使全球服務供應商與網路營運商，在行動網路及物聯網市場中大幅擴張他們的競爭能力。我以Marvell認真付出、持續創新的全球工程團隊為傲，他們不斷地提高技術門檻，並為做出業界無可比擬的貢獻。Marvell的使命與願景即是透過技術研發與創新，讓世界變得更美好。」

作者: tk02376 時間: 2014-10-22 01:41 PM
The Linley Group首席網路分析師 Bob Wheeler表示：「隨著下一代的網路設備採用的標準趨於高可塑性、高可擴充性的資訊流服務，Marvell 以可靠供應商進入網通搜尋技術市場，也唯有像Questflo這般的創新方案，才能滿足這些新設備設計對可擴充性的需求。」

在目前SDN環境中，Questflo 98TX1100網通搜尋處理器系列，能夠不受頻寬、封包大小及搜尋深度影響確保封包傳輸處理速度與延遲時間，來實現資訊的彈性管理、傳輸並確保高達800萬次數的服務及虛擬流量。98TX1100搭載標準高速Interlaken (ILK-LA) 介面的網路封包處理器，如：Marvell Xelerated® 可編程網路處理器系列、Prestera® 乙太網路封包處理器系列，及任何自訂 ASIC或FPGA為基礎的解決方案，用以擴充單一裝置所支援以及運行的服務處理。

Marvell Questflo 98TX1100 系列主要功能如下：

l 高達800萬個流量入口
l 彈性表格組態與多種寬度搜索
l 進階自動資料製表與資源管理
l 每秒24億筆資料搜尋
l 對介於80b至64b的搜索鍵保證每時脈週期一個搜尋結果的搜尋量
l 對介於80b至64b的搜索鍵保證固定低延遲時間
l 多埠配置以便裝置與資源共享
l 具電信級可靠性的ECC記憶體保護
l 25W 的基礎功耗

Marvell Questflo 98TX110系列現在與評估平台及SDK一起送樣。這套完整的平台開發套件包含Marvell Xelerated 400Gbps 線速網路處理器 (NPU) 及 ARMADA® XP 1.6GHz 四核心ARM 架構內嵌控制處理器，使客戶在研發高處理能力、高擴充性與可塑性封包處理解決方案時，能以最快的速度上市。

Marvell 將於 10 月 22日至 23 日於美國加州聖塔克拉拉郡Hyatt Regency飯店舉辦的Linley Tech Processer Conference期間，展示 Questflo 與完整封包處理解決方案。

作者: twvan 時間: 2017-1-14 08:52 AM
我覺得每一種都有的的區別
當然FRAM的市場漸漸成長
應該有的的特常跟優勢吧

作者: joe1102 時間: 2020-10-4 03:35 PM

感謝大大無私分享，學習了

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