標題: The Most Difficult Key Technologies for 3D? [打印本頁] 作者: Web 時間: 2010-9-17 08:38 AM 標題: The Most Difficult Key Technologies for 3D? 不曉得站上有沒有人去參加了 9/8-10 SEMICON Taiwan 2010 3D IC 前瞻科技論壇—迎接2.5D及3D IC科技時代 這場活動? 9 P4 I! m4 {7 A- W. f; y# G " F; C* E9 I3 i' P+ R真的是 座無虛席啊!因此想瞭解大家對3D IC 技術的看法...作者: atitizz 時間: 2010-9-30 07:03 AM 標題: 應用材料公司3D矽穿孔製程技術 ■應用材料公司TSV 計畫資深策略處長Sesh Ramaswami■' w4 D1 h) s! l; o( x& E' g c Y- E) o
' J& E% {' ?+ [7 m' }今日的半導體產業面臨前所未有的挑戰。由於想在各式各樣的電子產品,諸如行動通訊與娛樂裝置,汽車電子與生物辨識產品,讓產品上的元件密度、速度與功能維持與過去一樣的進展,然而這些日趨複雜的裝置需要在更小的單位上,擁有更強大的性能,電能耗損卻要更少。因此,他們需要不同形式的元件,如邏輯晶片、記憶體晶片及類比晶片,加以組合或有效地結合在一起。 2 m, A* Y' M# g1 [8 X6 R: A / U- L5 l2 t0 w傳統上將各種元件形式單獨設置並不合時宜,因為運用放大電路特性,來增加記憶體元件的密度,困難度高且成本昂貴。此外,由於這些年來處理器性能顯著大增,記憶體存取次數的進展卻如牛步般緩慢。兩者間的差距不僅限制了系統性能,也讓未來多顆核心處理器的運用礙手礙腳。 1 E1 F. c# b I _4 I ' m& c6 J% \/ m1 d) V這些問題都讓技術朝向3D解決方案發展,運用矽穿孔(TSV)技術,垂直整合或連結相似或不同的元件。這些穿孔成為垂直導電的通路,讓晶粒訊號通行無阻。作者: atitizz 時間: 2010-9-30 07:03 AM
在一些例子中,這些矽穿孔是透過創造出的中介層而來,將晶粒連結在中介層上所產生。這些晶粒與晶粒的連結,可以從傳統使用金線黏合技術的數百條連結,進步成使用矽穿孔技術的成千上萬的連結,因而原本週邊毫米級的連結線很容易被僅有一些微米長的垂直連結線所取代。這項進展能讓任何連結技術獲得最短的等待時間及最大的頻寬。 " A/ }# G$ [: G1 q ! l, {8 \! K7 g {" [( g原先這種技術發展已常見於晶圓代工廠以及IDM廠,近來情勢漸漸轉變,封裝測試廠以及基板製造廠也開始採購相關設備,以利執行矽穿孔計畫。 & B2 F5 g2 Z" y! M9 ?% _' n( R; H$ G" J0 K/ T( Y* w
矽穿孔技術所使用的製程步驟,與晶片上其他導線結構的製程相類似。同樣地,矽穿孔技術也要求晶片製造流程、終端產品設計規範以及關聯步驟整合架構,都有一定的製程需求及每項步驟的成本管控。 ! P% h9 |1 W* k$ B 4 {8 f) {4 w7 [身為奈米製造技術的領導廠商,為建立矽穿孔技術的研發能量,應用材料公司積極與台灣的晶圓代工廠、封測廠,以及工研院共同合作,加速3D晶片堆疊技術商品化的開發。為推動這項重要的技術,工研院已採用應用材料公司整系列的矽穿孔製程設備系統,為此應用材料公司會全力提供技術及人力支援,以確保客戶成功。「運用創新,成就產業」是應用材料公司一貫的堅持,也是對半導體產業最佳的承諾。作者: atitizz 時間: 2010-9-30 07:04 AM
在一些例子中,這些矽穿孔是透過創造出的中介層而來,將晶粒連結在中介層上所產生。這些晶粒與晶粒的連結,可以從傳統使用金線黏合技術的數百條連結,進步成使用矽穿孔技術的成千上萬的連結,因而原本週邊毫米級的連結線很容易被僅有一些微米長的垂直連結線所取代。這項進展能讓任何連結技術獲得最短的等待時間及最大的頻寬。 9 `, L, l' U1 A ~) L! l/ h {4 P% {
原先這種技術發展已常見於晶圓代工廠以及IDM廠,近來情勢漸漸轉變,封裝測試廠以及基板製造廠也開始採購相關設備,以利執行矽穿孔計畫。9 r% w; m$ n9 l, d. K! C% [
' Z6 g& e/ `$ D+ b
矽穿孔技術所使用的製程步驟,與晶片上其他導線結構的製程相類似。同樣地,矽穿孔技術也要求晶片製造流程、終端產品設計規範以及關聯步驟整合架構,都有一定的製程需求及每項步驟的成本管控。9 B2 E: f8 C! ~, ]8 F( P
! l* F' { `2 w0 p0 z2 C1 A奧地利微電子AS540x系列在一個差分模式(differential mode)中採用了兩個 “像素單元” (Pixel-cells)來確保元件的穩固性,避免離散磁場 (magnetic stray fields) 等所有可能發生的外部影響。不僅如此,該IC還搭載了一個EEPROM 元件,為系統設計師的IC編程和線性化提供了最大的自由度。 ! P. X+ E& T2 h! Z! J/ U7 @4 I. R) V0 t" c1 R9 T/ U: X
奧地利微電子磁性編碼器部門產品經理Marcel Urban 表示:「這項技術的最大優點在於磁場元件的真3D測量。橫向和縱向精確校準的霍爾感測器可用來提高整體性能。通過在一個差分測量方法中採用2個3D像素單元,將使絕對線性位置的測量範圍擴大到40mm。尤其在具有嚴苛環境挑戰性的汽車和工業位置檢測要求,AS540x系列產品將是最好的選擇。」作者: heavy91 時間: 2010-11-9 02:57 PM
[attach]11396[/attach] ) J* a: d1 t) Z s0 \+ L) _- @Fraunhofer整合電路研究所模擬和混合信號IC設計部門負責人Josef Sauerer表示:「HallinOne 技術已在大規模的ASIC應用中得到驗證。與奧地利微電子合作開發的標準產品將為那些不想自行開發ASIC的客户提供這項技術,用於穩定且創新的位置檢測應用。」 % W3 Y, x/ [ J, M6 |' r% I/ A# q1 a: F: Q0 V- t
透過使用一個普通的兩極磁鐵,磁鐵的絕對位置訊息可以直接通過SPI介面模組或PWM遠程應用介面讀取。AS540x系列的工作環境溫度為-40°C至150°C,在汽車應用中的工作電壓高達18V,在工業應用中的工作電壓為3V。AS540x系列產品採用小型無鉛TSSOP封裝。奧地利微電子正在開發一系列針對汽車和工業應用的3D霍爾產品。 V( o' ~4 I3 N/ Z8 I. K# B, C1 t% }; O2 \7 r/ V. K' R) k
首個為工業應用設計的3D霍爾產品AS5401將於2011年第一季推出。針對汽車應用具有高壓診斷功能的樣品也將於近期推出。 $ q; O' P) _0 X i# J# G
; B. S& A. L/ f; P1 }% v; R3 ~
3D霍爾編碼器的相關訊息、下載數據手冊或預定樣品,請至奧地利微電子網路商店ICdirect查詢: www.austriamicrosystems.com/3D-HallinOne 8 D) I2 s2 T9 [" J& m" v ` 6 c" O' V+ i8 B6 {) i# P! x" D更多關於AS540x 磁性編碼器系列產品的訊息,請瀏覽: www.austriamicrosystems.com/AS5400 3 r- A `5 r; N 7 r' K9 X& u& sAS540x 3D 霍爾感測器系列將於2011年第一季開始供貨。作者: globe0968 時間: 2011-2-24 05:27 PM 聯電宣布將宏寶3D技術和團隊內部化 ) ^& w; d, m5 V. ~: K
聯合新聞網 - 6小時之前 , {$ b# U8 i9 x% [9 r, Y' j3 b+ D
聯電是在前年10月19日成立宏寶科技,當時鎖定影像感測元件及記憶體產品,並由聯電旗下100%誠創投及真宏投資共持有七成股權,且由執行長孫世偉擔任董事長。 目前宏寶人員有100多人,清算後,將優先把技術背景為主的工程師納入聯電。作者: amatom 時間: 2011-3-10 02:05 PM 標題: 德國「V3DIM」研究計劃為極高頻毫米波波段之 3D 設計奠定基礎 【2011 年 3 月 10 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣布「V3DIM」研究計劃,為開發創新、高度整合之 3D 系統級封裝 (SiP) 解決方案的設計需求奠定基礎,以用於 40 至 100 GHz 極高頻範圍(亦稱為毫米波波段)中的系統。「V3DIM」 是「毫米波應用中的垂直 3D 系統整合設計」(design for vertical 3D system integration in millimeter-wave applications)之縮寫。該計畫由德國聯邦教育與研究部」(BMBF)出資,號召五個來自產業、科學及研究領域的專家攜手合作,探索創新的 3D 整合技術於晶片及封裝製造之應用。計畫將特別著重於小型化、效能(包括功率耗損、訊號完整性、雜訊及成本)、能源效率及可靠性。這五個專案成員分別是位於德國德勒斯登、慕尼黑及柏林的 Fraunhofer Institutes 研究機構(由德勒斯登的 Institute for Integrated Circuits 研究機構帶領)、生產工業用感應元件、完整位置偵測及距離測量系統的 SYMEO GmbH、西門子公司企業技術部門、Erlangen-Nuremberg 大學的科技電子研究所,以及專案管理者英飛凌公司。此計劃預計 2013 年 8 月底完成。 . N7 c! }3 I2 B$ w$ [% o3 {6 n, Z7 {" p1 V% p$ r6 v- n* d% d! ?
V3DIM 計劃的五個成員將提出全新的設計方法、模型及系統級封裝技術元件,以因應毫米波應用中垂直 3D 系統整合的特殊挑戰。研究計劃旨在推廣現今及未來毫米波波段技術於系統級封裝之充分應用。3D 系統級封裝設計的開發時間將可藉此縮短至少三分之一。 ! N C, C+ F: ] b9 t" b6 Q5 v, [& ~- o. S4 q+ DV3DIM 研究計劃的總成本達 680 萬歐元,其中約有 40 % 由三位產業界的成員贊助。此外,這項研究計劃屬於德國政府高科技策略暨資訊與通信技術 2020 計劃 (IKT 2020) 的一環,在三年內將獲得 BMBF 大約 410 萬歐元的資金挹注。ICT 2020 計劃的目標在於推動微晶片設計做為首要的致能技術,開啟全新、創新的應用領域,並藉此統合及擴大德國在 ICT 領域的領導地位。德國 V3DIM 計劃與歐洲 CATRENE 3DIM3v 計劃密切合作,後者的計劃目的為補足垂直 3D 系統整合。作者: atitizz 時間: 2011-3-17 03:20 PM Moving 3D ICs into Mainstream Design Flows * D( n3 |3 F0 S8 J2 nChi-Ping Hsu, Senior V! ice President, Research and Development, Silicon Realization Group, Cadence0 V8 O0 Q$ V: H5 D! T
& v! u" _+ x6 o/ O$ GVolume production of 3D ICs with through-silicon vias (TSVs) is expected within a few years. Early adopters of this new technology can expect higher bandwidths, lower power, increased density and reduced costs. But without “3D aware” tools and a mature supply chain ecosystem, 3D ICs cannot move into mainstream IC design flows.6 V! Y* g( c/ Q" Z/ e+ y; Y4 f6 T
9 M# U$ @# V3 X3 {
3D ICs are attractive because they enable an assortment of die, manufactured at various process nodes, to be stacked. For example, a 28 nanometer high-speed digital logic die could be stacked with a 130 nanometer analog die. Thanks to such capabilities, heterogeneous 3D ICs with TSVs are expected to have a broad impact in such areas as networking, graphics, mobile communications, consumer devices and computing. ( k, s/ O: y5 s9 f0 s y' o& s! n) A" H; l$ l! @: m Read more作者: globe0968 時間: 2011-4-28 07:28 AM GSA Further Supports Its Commitment to the Emerging 3D Architecture with 3D IC Report $ V& D! |/ c; G4 K* Y& X( E1 U0 ~) l[attach]12408[/attach] # [9 N0 a# @0 b" w, u& Q, l, y+ M8 D! H( |7 d3 T- E, R( ?
GSA is committed to advocating technologies, standards, business models and best practices which create efficiencies within the semiconductor ecosystem. To further support this commitment, through various forums, GSA has brought together players from all sectors of the supply chain to discuss and promote the emerging 3D IC market., X% Q) I+ e) Y6 k% d+ ?- d" j
a' o! u, w& C! e0 y U/ C# S
To further educate the industry, GSA will release a report on why 3D IC is necessary, the benefits of the technology, barriers to adoption and possible solutions.作者: globe0968 時間: 2011-4-28 07:28 AM
GSA is committed to advocating technologies, standards, business models and best practices which create efficiencies within the semiconductor ecosystem. To further support this commitment, through various forums, GSA has brought together players from all sectors of the supply chain to discuss and promote the emerging 3D IC market. / D. e9 B9 k; P2 E1 D ) L' a1 P3 o( c& u# ~% C6 mTo further educate the industry, GSA will release a report on why 3D IC is necessary, the benefits of the technology, barriers to adoption and possible solutions. ) h; U2 V: X" s% Q: N / @8 x# L8 z, l+ A Z' z6 C3 nWe are currently in the research definition and design phase of the study. To gather perceptions and further refine the scope of the report, interviews were conducted with various keynote speakers and panelists who focused on 3D at our recent Memory Conference held on March 31st in San Jose, CA. From these interviews, an abstract was developed. v X( N; y1 v. E ) z7 h* T( X$ { TJoin with GSA in their excitement of 3D by attending its various events focused on 3D IC and partic作者: atitizz 時間: 2011-5-20 03:37 PM 標題: Alchimer 對應 3D 封裝之 Interposer及Via Last 推出先進金屬化製程 (20110520 14:52:23)新產品AquiVantage製程提供更佳的Interposer及Via Last金屬化製程, 省卻CMP及黃光微影步驟, 進而大幅降低晶片與機板間導線的製造成本 / v3 T, [& U2 M# d ! u! @# W6 P+ A( ^2 N# L2 Z7 G法國馬錫--(美國商業資訊)--Alchimer 為奈米薄膜製程中位居領導地位之廠商, 其產品廣泛運用於3D封裝, 半導體導線, 微機電 (MEMS)及其他電子產業。 該公司今天宣布推出新產品, AquiVantage, 全新濕式製程技術, 可用於interposer, RDL之導線薄膜層, 大幅提升Via Last 晶圓背面導線品質。 ) a9 G$ E% H- X! o7 h$ p' g
M+ T W% t; g. }) `該片HTPS面板採用”Bright 3D Drive*3”技術,使用最新製程所生產。 “Bright 3D Drive”技術將影像之更新頻率,由240Hz倍增到480Hz;以更快的更新頻率,所投射出的3D影像,會比使用傳統240Hz更新頻率的面板所投射出的3D影像,亮度提昇1.5倍*4。Epson 已將此技術運用在業已量產中之新3D HTPS面板系列產品中。8 [, M/ Z. A% b* \