Peak reverse voltage (VRM): 600 V
Average rectified current (Io): 15 A
Forward voltage (VF): 1.5 V
Reverse recovery time (trr): Standard 15 ns (ID = 10 A, VGSS = 10 V)
Rated channel temperature (Tch): +150ºC
Package: TO-220, fully molded
2. Supplemental Diagram: Temperature Dependence of Forward Voltage作者: innoing123 時間: 2012-5-9 02:28 PM
英飛凌推出革命性採直驅技術的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列產品 將太陽能逆變器的效率提升至新境界
[attach]16362[/attach]
【2012 年 5 月 9 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日於 PCIM Europe 2012 展覽中宣佈推出最新 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,進一步強化英飛凌在 SiC(碳化矽)市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗,同時擁有高品質、可大量生產的特點。
(4)以每秒10 Mb高速光耦合器提供低耗電(PS9924)
最佳化整合於光耦合器之中的光接收IC的設計,使它能夠達到超過10 mm的長沿面距離並大幅降低耗電量。輸入電流(IFHL)為5 mA (最大值),電路電流(Icc)為5 mA (典型值)。支援3.3 V與5 V電源供應電壓,作業溫度範圍為非常寬廣的-40至110°C。本光耦合器可在高安裝密度及高溫環境的小型系統中提供通訊功能。