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標題: 10/1~2 新竹清華Power Devices & ICs 國際研討會 [打印本頁]

作者: mister_liu    時間: 2011-7-21 07:49 AM
標題: 10/1~2 新竹清華Power Devices & ICs 國際研討會


隨著電源體積電路日益的縮小,其設計技術也必須與微電子IC設計技術整合;因此,Power IC 設計已成為一個需要具備特定專業知識與應用的IC設計產業。有鑑於此,自強基金會特別邀請來自英國劍橋大學的 Prof. Florin Udrea 及其實驗室(High Voltage Microelectronics Laboratory, HVM Lab) 深入淺出的方式來闡述 Power Devices & ICs 的相關觀念,並由基礎的組成元件開始介紹,繼而延伸到較複雜的 RESURF、Superjunction以及 SOI 技術。另外,進行詳盡的半導體元件與製程模擬軟體(TSUPREM4, MEDICI)的介紹與範例講解.期使所有參與人員能透過此 Power Devices & ICs 國際研討會,在元件物理與積體電路設計的專業議題上獲得廣泛且深入的資訊。

本研討會首次加入應用數值模擬技術於半導體設計之介紹,並講解與示範元件設計、製程設計與電路設計等重點單元。

日期 2011/10/01 ~ 2011/10/02 (週六、日)
對象 元件、模組與IC設計相關產業及有興趣之人士
地點 新竹清華大學研發大樓
主辦單位 財團法人自強工業科學基金會 歡迎企業廠商贊助,我們將保留固定名額給您! 請電洽 (03) 573-5521 分機 3213 謝小姐
作者: mister_liu    時間: 2011-7-21 07:50 AM
本帖最後由 mister_liu 於 2011-7-21 07:51 AM 編輯

源環保議題已成為全球矚目的話題,世界各國陸續提出相關措施,要求強化各種能源消耗產品的效率舉凡電源供應器、電動馬達驅動系統、運算設備、工廠自動化設備、消費性產品、照明設備,以及運輸設備等,都是消耗能源的系統。隨著對電源管理IC功能的需求日益提升,新一代的電源電路設計必須兼具低功耗、小體積、高穩定性與低價格等特點,其中,如何設計良好的半導體功率元件便是其中的關鍵。
除此之外,隨著電源體積電路日益的縮小,其設計技術也必須與微電子IC設計技術整合;因此,Power IC 設計已成為一個需要具備特定專業知識與應用的IC設計產業。有鑑於此,自強基金會特別邀請來自英國劍橋大學的 Prof. Florin Udrea 及其實驗室(High Voltage Microelectronics Laboratory, HVM Lab) 博士班畢業生 Dr. Wesley Hsu,以深入淺出的方式來闡述 Power Devices & ICs 的相關觀念,並由基礎的組成元件開始介紹,繼而延伸到較複雜的 RESURF、Superjunction以及 SOI 技術。另外,將由其所指導的博士生 Alice Hsieh ,進行詳盡的半導體元件與製程模擬軟體(TSUPREM4, MEDICI)的介紹與範例講解,期使所有參與人員能透過此 Power Devices & ICs 國際研討會,在功率元件物理與功率積體電路設計的專業議題上獲得廣泛且深入的資訊。
1隨著節能議題在全世界持續延燒,功率電子技術逐漸在半導體領域中嶄露頭角,不論是傳統的晶圓代工(八吋及以下),或是DRAM轉型,都將功率電子列入技術藍圖之中,例如德國Infineon已使用八吋設備製造CoolMOS (一種 Super-junction MOSFET),許多早期的六吋廠也加入Power ICs, MOSFET與Bipolar Devices的製造。此外國內蓬勃的類比IC設計與製造商也廣義地屬於功率半導體領域,都是本研討會預期可使其獲益的產業項目。
2本研討會首次加入應用數值模擬技術於功率半導體設計之介紹,並講解與示範元件設計、製程設計與電路設計等重點單元。

作者: mister_liu    時間: 2011-7-21 07:52 AM

PhD degree – King's College, University of Cambridge, United Kingdom (Oct. 1995)


作者: mister_liu    時間: 2011-7-21 07:52 AM
Day 1議題
08:00 ~ 08:30Registration
08:30 ~ 10:20Introduction to Power Semiconductor Devices - Wesley Hsu
(Classification of Power IC Devices and Devices Physics)
10:20 ~ 10:40Coffee Break
10:40 ~ 12:00Power MOSFETs - Florin Udrea
12:00 ~ 13:00Luncheon
13:00 ~ 14:20High voltage Diodes - Wesley Hsu
14:20 ~ 14:40Break
14:40 ~ 16:00IGBTs - Part1 - Florin Udrea
16:00 ~ 16:20Coffee Break
16:20 ~ 17:30IGBTs - Part 2 - Florin Udrea
Day 2議題
08:00 ~ 08:30Registration
08:30 ~ 10:20Advance Devices/Technologies for HV Power ICs - Florin Udrea
10:20 ~ 10:40Coffee Break
10:40 ~ 12:00Superjunctions - Florin Udrea
12:00 ~ 13:00Luncheon
13:00 ~ 14:20Introduction to Power Device and Process TCAD Simulation- Florin Udrea and Alice Hsieh
14:20 ~ 14:40Break
14:40 ~ 16:00Example of IGBT and Superjunction TCAD Simulation - Alice Hsieh
16:00 ~ 16:20Coffee Break
16:20 ~ 17:00Mix-mode (TCAD-Spice) Power Device Simulation - Alice Hsieh





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