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標題: 如何選擇ESD Device Contact Type? [打印本頁]

作者: CHIP321    時間: 2011-12-29 05:10 PM
標題: 如何選擇ESD Device Contact Type?
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
7 c# J7 e% P& {2 k
7 E9 Z: S. @( s5 W( |7 y[attach]15181[/attach]& _+ R( @& D; Z
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
; {& B. N- _4 N  c4 e; R* `查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
+ n) U( q' [! f8 |7 M但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、$ s5 h1 j& }# y7 _
迷惑中....
: l9 u) z. I) o9 G8 e( i5 z如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?4 l) k8 o. f3 R, L

6 V$ @7 K) h% N% [5 X
作者: sendow    時間: 2012-1-31 11:31 AM
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?0 Q3 g$ f6 ?# o% \, x

7 B3 a* o% U/ Y0 I個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,! c5 l2 x2 ]) j) y5 r. d$ t
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
; M0 [: y% z$ ?6 ]有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
9 i8 t0 _! |1 G, \) h! k這也是現實上要考量的.
8 F3 k) l. Y8 U$ @" J. j5 f+ h9 {6 {, ]
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe! O% J7 r/ t( R% c- y* `+ x
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.




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