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標題: 110/12/1~竹科管理局免費講座 IC：3Dx3Dx3D [打印本頁]

作者: SophieWeng@G 時間: 2021-11-25 05:17 PM
標題: 110/12/1~竹科管理局免費講座 IC：3Dx3Dx3D
課程目標：
台灣的半導體產業在全世界有舉足輕重的地位，隨著科技日新月異，5G 世代席捲而來，大數據、物聯網、人工智慧以及行動智慧裝置與穿戴的普及與快速發展，使得先進半導體晶片的需求急遽增長，效能也不斷提升，這些先進的技術都來自於背後精密的控制電路，而IC積體電路技術使我們可以在更小的空間中實現更複雜的操作。

課程特色：
場效電晶體(FET)其實就是一個簡單的電流開關，如同水龍頭的旋鈕可控制水流一樣，可以透過控制閘極(Gate)電壓控制電晶體源極/汲極(Source/Drain)間的電流，然而，隨著電晶體通道不斷縮小，場效電晶體開始出現一個重大的問題，隨著通道兩端的源汲極變得更加靠近，閘極對電流的控制相對變弱，造成元件無法關掉，漏電流過大，2012年Intel正式將鰭式電晶體推入量產，改變了傳統的平面式結構，就像是給水龍頭加了更多旋鈕一樣，多閘極結構可使閘極在同樣的通道長度下，有更強的控制力，而我們的團隊更進一步使用「環繞式閘極結構」(GAA，Gate-All-Around)，閘極完全包覆通道，給予最強的閘極控制力，降低漏電。三星、台積電、Intel 等半導體巨頭，也宣布於3奈米技術節點(三星)和2奈米技術節點(台積電、Intel)皆採用GAA之電晶體結構。
此外，台積電於5奈米技術節點量產擁有高遷移率通道(high mobility channel)之元件，使用高遷移率通道，猶如駕駛跑車，速度更快，使電晶體的效能更佳。

修課條件：半導體產業暨相關系統業者之在職人士或有相關技術需求者。

課程大綱：
第一個3D--通道堆疊
第二個3D--電晶體堆疊
第三個3D--晶片堆疊

課程師資：
劉致為特聘/講座教授
現職：國立台灣大學電機工程學系特聘教授
學歷：Ph.D.(1994),Dept. of Electrical Engineering, Princeton Univ.
主要研究領域：CVD磊晶為基礎，研發SiGe/GeSn元件、stacked 3D電晶體、MTJ/FTJ/DRAM記憶體、IGZO TFT

課程資訊：

主辦單位：科技部新竹科學園區管理局
執行單位：財團法人自強工業科學基金會
上課時間：2021年12月1日(三)，13:30~16:30，共計3小時。
上課地點：清華大學第四綜合大樓
報名網址：https://edu.tcfst.org.tw/web/tw/class/show.asp?courseidori=10S388

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