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標題:
用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
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作者:
jeffrey
時間:
2008-3-7 04:26 PM
標題:
用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
Dear 先進們,
+ X! F; E/ D- ^; Q( Y
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
1 J6 }. n& m1 W9 L9 A z1 b& S: j8 Z
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
$ ~* O" H r% P6 U! O3 e& ]
O3 K2 B" [8 ]0 L! d
感謝各位的幫忙.
作者:
qpau
時間:
2008-3-8 09:37 PM
MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
3 a6 J- @) i! X \; @( P2 h
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
6 C$ d' d) G' z. h. h
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
/ `+ C4 Y4 u* T! y
可用軟體模擬出C-V曲線,
3 Y- b" o1 F4 z- U8 `7 R+ m
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
: M+ Q2 G7 N+ n, j
也就是長在NWELL裡的NMOS,
' Q' i5 f! j/ v/ H" k8 M
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
+ T/ n: y2 P' O) J3 z$ A2 a; `4 X
使用這種元件並不需要多加光罩,
# N/ b1 K" E+ M" e
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件
作者:
tommywgt
時間:
2008-3-11 12:09 PM
我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
- s3 r$ ^7 c" U0 c$ \0 ~/ d
% ^4 E0 m/ U N0 M/ r
哪位大大可以補充一下下?
作者:
st80069
時間:
2008-9-1 06:02 PM
我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
9 T4 N" ~( e+ |2 B6 m$ N! Z
.option dccap post
. ]; q, }" p! V6 c E
.print CGG=LX18(mn1)
5 U2 z5 `3 y7 F' |0 e! p+ f: |8 q
.dc vin 0 5 0.1
, K( m4 X, K: X' d8 K3 T9 A
....
" A5 N5 L4 v- v4 M" k. o# l
.....
' s' W$ \% M: Y9 \! q- m
.......
, [+ T% u, H' S2 E
.end
' g( p' E5 _9 E4 U% b
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
# ]0 S7 P; g0 v. u# [( Y( y
如有錯誤，請大大們指教~~~
9 K' S* p- e9 `
& U# N* ]+ k y8 w7 [# S0 E! p/ X
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
/ A# p0 z ?/ o2 l
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
) f3 p4 {* t" ~. W# k0 K6 V& q
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???
作者:
小緯仔
時間:
2008-9-17 04:10 PM
回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
5 z+ M; V) _: i
% Q/ ]% |. {% E
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值
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