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標題: 請問MOS耐壓問題 5V 3.3V [打印本頁]

作者: abeiptp 時間: 2008-4-27 11:35 PM
標題: 請問MOS耐壓問題 5V 3.3V
請問一下用0.35um製程的話,通常會有3.3V和5V兩種電壓製程,是指MOS gate耐壓程度不同嗎？
那要怎麼由spec.來決定我要用哪一種製程,還有哪些考量也會影響我製程的選擇,
如果是要做buck或boost的DC-DC converter ic,buck 和 boost又有不同考量嗎？
謝謝!!

作者: vjc5 時間: 2008-4-28 09:37 AM
就我所知, 3.3V/5V指的是VDS耐壓喔, 不是gate的.
製程決定操作電壓是以IC內最大的耐壓決定, 還有操作速度. 都是必須考慮的

作者: yutian 時間: 2008-5-5 09:18 AM
對于3.3V/5V的問題，樓上說的對，一般好像都是指的VDS，而非VGS。
如果在制程中要限制VGS，都會特定說明的，比如5VGS,30VDS.

作者: alab307 時間: 2008-5-6 10:52 AM
目前我看到的0.35um的3.3V & 5V 製程 (TSMC & UMC)
都是指 VGS & VDS 都可以達到, 樓上兩位應該都有誤

BUCK and BOOST 都一樣
必須先瞭解工作電壓範圍, 再來選元件

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