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標題: 請問dc-dc converter 的PowerMOS的Rds ON電阻如何測？ [打印本頁]

作者: abeiptp 時間: 2008-5-4 12:42 AM
標題: 請問dc-dc converter 的PowerMOS的Rds ON電阻如何測？
請問dc-dc converter 的Power MOS的Rds ON電阻要如何測才是正確的？
用Hspice在模擬時,謝謝!!

作者: yutian 時間: 2008-5-5 09:05 AM
電阻等于電壓除以電流，這樣就可以了呀
在實測時，可以外加一個current source, 測量其兩端的電壓，再求一個比值就OK了。

作者: muyu0786 時間: 2008-5-6 03:38 PM
成品實測時，很難讓PowerMOS始終導通吧？
測這個是不是需要有電流探頭的示波器啊。

作者: andywu 時間: 2008-5-15 10:55 AM
你的RDS-ON大小是0.5以上
還是0.5以下呢?
太小不好測,另外在CP和FT測試也不同

作者: u8912017 時間: 2009-11-18 10:25 AM
理論上是用電壓除以電流即可 (VCC-Vsw)/Iout=RDS_ON

不過這個論點是必須建立在duty fully turn-on的情況下，不然在量測上會有很大的誤差

作者: woshixiaocao 時間: 2009-12-27 02:57 PM
这个要进test mode来测试的，还要kelvin connection。

作者: ICE0904 時間: 2010-4-27 08:51 PM
量測Ron的方式有很多
但由於DC/DC處在長期的switching mode
high/low side MOS持續交叉導通
因此除非進入test mode讓某一MOS持續導通才有辦法用歐姆定律去量測
再者當量測條件為較大電流時, 又必須考慮到熱的問題
因此pulse current的測試方式較長被採用的

而當switching時, 其實也可以利用switching的波形去量測到Ron
只是必須藉由不同負載條件去內差

作者: wanghao831218 時間: 2010-5-23 04:57 PM
让占空比处于接近100%可以测吧

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