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標題: 請教antenna的問題 [打印本頁]

作者: sw5722    時間: 2008-5-9 03:01 PM
標題: 請教antenna的問題
這是目前在做whole chip整合發生的問題,當我antenna跑完,使用6 J+ V( O. v0 Y9 S
antenna diode去補後,antenna過了,但是lvs卻發生問題,某些線會
- j& o5 e4 I3 m# x3 o* ^因為diode而有error,是類似斷線的錯誤,有些不會,當我不使用diode
3 }4 p! k5 a" |5 y! F而用換層的方式,卻又正常了,這到底是什麼原因.我確信diode沒有% n/ u4 j! S# `( }. V5 v" Q- @4 R. g
跨在2條線間,使它們短路,也沒有放在用做區隔電壓的dummy layer
" R8 Y! @' c0 A下.
7 T7 R! w0 r8 u# Q還有一個換層的問題,一般從製程來說是朝上換,是沒有疑問的,就我
; L. d0 \& ?# {3 q# K; _的理解,就朝上換一層就行,但是有人說要換top metal才行,昨天辯很9 T7 o' T4 H) P% C1 A6 C
久,當然2種都會過,不理解的是,用top metal有什麼根據會比較好.# f/ G% k( n+ w2 x& z

$ |: @0 ?/ g8 @. t2 G: C: E[ 本帖最後由 sw5722 於 2008-5-9 03:07 PM 編輯 ]
作者: shmiyi    時間: 2008-5-13 11:01 PM
標題: ANTENNA
TOP METAL 比較上層所以乾淨# d" S  B7 o$ q3 A( a, |4 D
請RD改SPI檔請他加DIODE
作者: sw5722    時間: 2008-5-15 09:58 AM
TOP METAL是可以使帶有電荷的大面積metal,較慢與gate連接,3 W9 o1 z( L4 i& e8 k+ _7 G
但是top metal的rule遠大於一般metal,個人覺得使用上一層就能4 s. ^6 c. b) b+ \
達到效果,也就是暫時中斷那些電去燒毀poly gate.# ^3 A6 e8 |% y1 L2 n: Y% C3 u6 Q
一般來說我公司designer都不會在spi檔上加diode,因為出現的2 P6 W9 \5 J0 A) o  C
error report是一樣的,但是在某些線上,會有其他的error.所以才會4 z: o8 T9 i; l7 G' X0 ]5 F
用換層取代,只是不知道那些異常error發生原因.




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