Chip123 科技應用創新平台
標題:
關於nm 的 Design Rule
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作者:
jauylmz
時間:
2008-7-9 06:24 PM
標題:
關於nm 的 Design Rule
今天在看一份
45nm
的Design Rule ，
& s! F/ z9 I) u. I" T J9 {
5 j. ~8 Q3 j" c) b. s
看完後真的是要吐血了
! z+ ^1 K) N7 [7 l8 g) K5 V
: |% v9 {, R! j, v; h- N+ d5 T' m
這麼多的Rule 要記，這要怎麼畫 Layout 啊!!!!!!!!!!
2 X# |% ^& F& I$ V2 R
0 l3 B' {7 o4 [' U2 O5 C
不知道有沒有什麼前輩可以提供一下意見，看您是如何處理這麼多的
"鳥"
Rule.
6 [+ L- F# O* H( E) \( h7 r
4 X0 b) P1 `* o" G( d
不然我看，真的要花很多時間在 run DRC & 修 DRC 了
作者:
jauylmz
時間:
2008-7-10 10:31 AM
天啊!! 光一個Metal 1的 Spacing Rule 就有 11條
4 [/ R& N4 t" Y& c5 e
1 n/ o1 a `5 V% b3 X$ s# M/ Q
這是18 13 的 4倍之多。
* T& R8 m9 x# S0 _- O/ D
$ a+ `7 v/ @1 j; m
這還只是Metal 1 .........
作者:
lawrence0411
時間:
2008-7-12 11:13 PM
通常都是直接 lay久了常用的就會記起來了
作者:
joby
時間:
2008-7-15 11:32 AM
標題:
回復 3# 的帖子
我都習慣layout到一個階段.就先run drc.一來做修正,二來可以記rule
作者:
nebula0911
時間:
2008-7-15 11:47 AM
正常的.製程越先進,所要注意的地方越多,更要小心謹慎!!我的習慣是從最小的Cell開始畫,畫好一個驗證一個,有可能比較慢;但等到各個block畫好之後,通常也把rule背起來了,成為直覺反應,驗證的錯誤率會降低不少,整體的進度會加快.這只是個人經驗,與大家分享.
作者:
minxia.lee
時間:
2008-7-16 05:22 PM
我同意楼上的做法，我都是边画边记，一两天就都熟悉了~~~
作者:
terriours
時間:
2008-7-17 09:44 AM
標題:
自己吓自己
没画你就怕了
没什么，通常只记metal，poly，和有源区的规则然后去画，这样画个小的模块做个drc，在你改错的同时rule就记住了。
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没什么，通常只记metal，poly，和有源区的规则然后去画，这样画个小的模块做个drc，在你改错的同时rule就记住了。