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標題: layout 的 metal 耐電流? [打印本頁]

作者: sjhor    時間: 2007-8-1 09:40 AM
標題: layout 的 metal 耐電流?
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!8 }* k$ \1 _# |" S% B6 D
這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!2 x( \9 l0 `+ J
要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!
4 X: |- c4 f  T! N/ |3 m5 K不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!
0 `$ R7 R/ f$ i9 M: X7 O. E假如以下的狀況:; q1 @) Z3 y/ Y- j+ _
1. Peak current is 2A?
+ ?, F- }+ W' ^# P9 G# y8 \5 A4 m$ C2. Constant current current is 500mA?
作者: m851055    時間: 2007-8-1 09:06 PM
一般power mos之chip都很大,所以空間不足的情形,可以加大IC dim,缺點是cost up。
作者: jauylmz    時間: 2007-8-3 04:21 PM
如以 1um /1mA  來看,用4層metal 同時拉,應該用500um就行了吧
作者: finster    時間: 2007-8-7 10:19 PM
為了因應Power MOS的巿場$ X- `5 r1 [$ F, V' [
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule! _4 J2 r, i* B# u5 x" S
thick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多
0 M: A  ]) z7 K7 W" w$ d0 Kthick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)




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