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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
+ }+ H; p1 N% T; p4 l
( Y5 J6 K0 n& q懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,8 x& h4 M0 q7 o3 J' `

. n4 H' G- ^3 v+ z& p7 MNMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
% e: f: G  K/ I; K: u& h2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
  n& H8 h4 F0 e2 x/ P
/ b: j( Z9 e2 ^0 O! q* M( n
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,5 ~% I0 l* f& x; a" f6 w
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)* j. R! n1 S/ i' ^# R- r) d* g+ V
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
$ g6 {( c" e  P7 |- `$ c在理想的switch中,輸出訊號正常。
5 X7 V6 n, T9 _& `0 ]) ]在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。  c( u0 K& I# S6 c. ~4 ~5 q" B
取樣電容大概=400f F左右。
' W: l- y# N7 ]( t& R! C) a9 ~+ L4 i先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)0 {! R9 t8 S! q( }7 J3 J
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
; Q7 y" G* T1 v5 q& t& x, r: ?# ?7 u! F( F# t7 @

0 z: ?. T- k' K    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
9 d7 [' o: g2 }: ?$ \  ^! P
2 s" a3 u; g# P/ V8 ?先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖* ~( U6 P% U9 f1 D+ |! o1 \- ^
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形% B* R$ A( P' ~+ f
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值! r6 X! k/ W" \$ W/ O
列成一個表& a( O# @7 n2 t- Q) [( M
之後看表拿進去套用即可  t* X! U$ [3 s4 e
此外此電路SH電容不大
6 l' E" L" ]0 G8 h1 {# }, W會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 - J  K: ]4 N+ B5 `/ H1 @
0 O% d# Z7 p( N* i3 P* @0 D! D
1 f7 R* N- i3 E8 u
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
3 y( o8 U  z% a! I/ t由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,9 W6 ^8 j9 Z3 Q' I" B
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,4 P# M! s2 `: d( I  b( y! L
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!7 o$ Y% d" C( _* K, b% T! \3 N  T
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
) x  r4 H" S+ q/ u建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
) z1 A# h* X, x: ?" ~' @( x. s前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,# s2 d+ \9 [' z' i) j
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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