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蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis
& _! h2 I! q8 W6 @0 `/ g/ Z4 V, b在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner5 Y0 S, g* N8 h' i& z
4 H' q% \# i% K9 gDevice Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況 : \" q, b: |4 X$ b6 o" w
電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低 b6 ]% @; ^: Y5 |+ K$ `
# V4 B9 |8 x+ M- Q1 V$ \% w這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case
5 p6 P, e2 ~( i& u# w如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.. Y1 j2 K# O4 A3 l& J
! H$ m5 x& i, I8 v# Y/ U* e
IC製造出來的良率 自然就會提高很多.
3 Z* D& F. b2 d6 G% o, z
2 k; l' K8 n5 }1 b7 R至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料
- A& K# o7 C( b大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法 C& Q9 S" N M, e
在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值
" B* i3 v2 i6 P- S; }(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免
. X1 j& n: O# |5 A3 @ 下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue)
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/ T: B& g+ v! P: L& A範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升1 J" M6 f2 X' u+ u6 K/ A1 X4 c& `" c
範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好2 q, @& z5 F! `5 H. v4 Y6 S
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
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