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1999年,盧志遠博士加入旺宏電子,帶領旺宏進行前瞻記憶體技術研發,並與世界級高科技大廠如IBM及英飛凌建立長期而互惠的策略伙伴關係。近年來旺宏所擁有的高品質國際專利超過4200項,發表的先驅技術論文持續入選IEDM、ISSCC、VLSI、SSDM等多項國際知名學術會議,篇數在全世界之業界、學界中皆屬名列前茅。以2010年為例,旺宏的3D NAND Flash創新研究,即獲得全球IC整合技術界最重要國際會議VLSI評選為2010年重要焦點論文,為台灣唯一論文獲評為焦點論文的公司。
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發明浮閘非揮發性記憶體(Floating-gate Nonvolatile Memory)的半導體巨擘、中央研究院院士施敏博士表示:「盧博士早期發表之CMOS先進技術,其後帶領工研院團隊研發次微米技術並使之量產,以及近年來在非揮發性記憶體先進技術的研發,皆顯示他在世界學術界尖端研究建立了崇高之地位,以及在應用科學方面之優越成就。他對深耕本土高科技技術及提昇尖端研發能量貢獻良多,堪稱台灣應用科學領域之翹首。」/ T+ S* }% q" u) Y+ D, q6 m
: j2 S7 f$ P0 n4 Z. _- c+ F0 j清華大學前校長、中研院院士劉炯朗先生在得知這項消息後也指出,「盧總經理是一位志向宏遠、鬥志旺盛,具有遠見願景又能積極實現的領導者及實踐家,獲此殊榮乃實至名歸。」
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盧志遠博士個人擁有超過360篇論文及140餘項國際專利。他獲任美國電機電子學會 (IEEE) 院士、美國物理學會 (APS) 院士及中華民國科技管理學會院士。2000年IEEE頒發「千禧傑出獎章」(Millennium Medal),即是高度肯定他對於經濟及社會的重要貢獻。同時,盧博士也榮獲經濟部專利發明獎及最佳專案獎、潘文淵文教基金會研究傑出獎以及獲選為交大及台大傑出校友等多項榮耀。此外,他曾擔任 IEEE Transactions on Electron Devices編輯長達15年及「科學月刊」社長,熱心支持科普教育推廣及各項技術與學術研討活動,更促進了國際產業的交流發展。 |
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