MOS承受電壓的問題

ywliaob

這個電壓是晶圓廠保證的規範
' }; K7 u1 H' k2 }. S) m3 }一般是指 Vds and Vgs 的最大操作電壓 (S,B接地)
你要操作在大於這個電壓之外也是可以 但是風險自負
9 e2 E; {: y7 y! X5 r4 @比如說 reliability and performance
3 d  E& _: M  a! {( W7 F9 e: A晶圓廠只保證在他們規範的操作電壓內 device是沒有問題的
3.3V的device要用4V操作,理論上是可行的
0 ^; Z, b, ~' a5 |" X因為晶圓廠對device SPEC都會有margine

ywliaob

Vds 太大 只要不超過他的breakdown voltage (3.3V device 大概7V)
device 仍然可以操作 但是會有一些問題自己要去評估
2 w/ u( _0 }" w6 A1 J1 N; z如 CLM 造成的Idsat 是否穩定, 元件可靠度可以超過10年嗎 (DC)
$ l- k# \9 }/ W4 H9 l% S  R有可能元件仍然可以操作但是 一天之後就掛了
基本上 好的device增加L 並不會增加BV
除非是punchthrough 情況下 增加L 才會增大BV~~~
# o5 D+ t* m* \. ~延長contact 至poly的距離 可以增加 BV 有點類似 LDD的功用