MOS承受電壓的問題

yhchang

想要增加 MOS的耐壓程度  以我目前所知, 可以朝兩個方向去思考
8 V/ k  H/ @0 F1. 使用 厚oxide的 device
2. 提高該MOS的 channel length

: J& w/ p/ l2 H1 j5 `0 ]在你的chip當中 輸入輸出介面 MOS的 drain與source比較有機會接到高壓
4 Z( ?- S* V1 A( h, u所以一定要用 厚oxide的 MOS 並且提高 Length到一定的程度 ( 大概是
. c. l( ?# [1 Y3 I! }minimum length的2倍到3倍)  這樣才可以防止 hot-carrier effect.

所以在設計一個CHIP前  要先想好 哪些BLOCK 有可能會接高壓
" k  X# m5 e3 S& m哪些不會,  接電壓的就可以用 minimum length的MOS 以及 薄oxide的
. z* p5 M. [2 {( D1 bMOS來設計電路.