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[問題求助] latch-up

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1#
發表於 2007-11-12 23:30:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
可以請問一下何謂latch-up嗎   聽過很多人的解釋 翻過很多的書籍 但都解釋的太深了   還是不很了解   可以請問各位厲害的大大前輩們7 e3 e5 b/ r7 S/ V
可以用白話一點的方式解釋一下嗎    感激你們喔  
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2#
發表於 2007-11-13 08:44:14 | 只看該作者
你可以看看謝永瑞寫的vlsi概論 這本繁體書的介紹吧@@; ~* d# H) \! x" l
最簡單的一句話就是:探討vdd與vss短路的現象!
# j0 v& c' S9 I2 W9 Y* w( `0 Q因為電路裡面因寄生電阻而產生寄生電路,而從寄生電路中可發現若寄生電阻越大將會使得vdd與vss之間的2棵TTL電晶體導通電流越大,於是當非常大時 vdd到vss之間已形同短路,這時就稱為latch-up  。
8 P5 E8 W5 n+ A" g* l+ i書上有畫它的寄生電路給你看,你看了就懂了!$ f9 c' @6 m0 v
而為了降低此現象發生的可能性,則是想辦法降低其寄生電阻,書上就有提到佈局中用5種以上方法的介紹!: H1 ]7 E: i- h' |  x
' m' K- q/ y0 f
不過我很好奇的是,不管是什麼現象問題  ,最後不是只要看post-sim波形好不好 就行了?! S( Q. x( b1 Y. [4 F3 C9 \
如果發生latch-up或其它初學者所不知的現象,我想跑post-sim時波形應該就會明顯的有問題才對!  所以畫 layout就是要想辦法把post-sim給跑的好就較不用懷疑會不會還產生什麼現象,只是畫很大電路時   這layout技巧 就是最主要的學問了...
6 L! \# k4 X7 p' ~: b以上是小妹個人 看法,如有誤 請幫忙糾正 謝謝><
) L' [: [8 X. J9 z3 ]- ^
9 o. }; q* u9 w! U- D$ ]另外像latch-up現象若發生,但你跑drc、lvs應該就不可能過了阿@@: d% d$ U2 W  n5 Z
7 W' e; w! N4 H4 Q7 v9 n. b) i
[ 本帖最後由 君婷 於 2007-11-13 08:47 AM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2007-11-14 01:25:46 | 只看該作者

latch-up

很感謝你的回答,你說的那本書我有,可能真的太理論了,看不是很懂,還是謝謝妳唷
4#
發表於 2007-11-14 08:28:05 | 只看該作者
參考這篇試試看唷!!
( [& L' b7 i5 ~) q  y+ K% q$ G& F$ a* D0 ZLatchUp成因以及解決方式
5 }( R  X1 d! J0 J+ }. w$ Whttp://www.chip123.com/phpBB/vie ... &extra=page%3D1
5#
發表於 2007-11-18 06:19:53 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

一般而言latch up與DRC及LVS無直接的關係,DRC只是check 製程的可行性(除了有部分大公司提供已驗證latch up的rules),LVS是驗證電路用的。) H8 w+ J" L  f% r8 @* ^" m6 M, W
9 J$ ]% f- a1 C8 j- J4 [
一般latch up是不小心和出來的,即使是有多年經驗亦不容易察覺。8 d3 w3 o; _- G1 f
9 {$ b% Z3 |. h
[ 本帖最後由 m851055 於 2007-11-18 06:28 AM 編輯 ]
6#
發表於 2007-12-14 13:51:55 | 只看該作者
latch up如果單以LAYOUT的角度來看的話..
& f. ^# \6 m# ~) L1 r其實要注意的事項就簡單多(我是這樣認為...至少我所接觸過的產品 ANALOG )1 e( c7 L& }* X
大致上..注意是指..BULK上面的CON. 到 MOS OD上的CON.的距離..不要太長/ h( C/ J9 n( ?
要在DRC的RULE裡面
" G2 a6 V& @( p! Y4 V6 B8 Z8 C以TSMC025以下到TSMC015..沒記錯了話應該是15UM
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