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Emerging materials from nano-CMOS and beyond 講議分享

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1#
發表於 2008-1-9 09:12:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

講者:Dr. Wei-Xin Ni, Director General, NDL 國家奈米元件實驗室主任 倪衛新 博士

66p, 4.8MB PDF, 6 RDB

􀂉 Materials bottlenecks for achieving high performance of nm-scaled Si-CMOS chips and beyond
􀂉 Key issues for heterogeneous integration of functional materials
- Heterogeneous integration with Ge
- Heterogeneous integration with III-V
- Heterogeneous integration with other functional materials
􀂉 Summary and future outlook

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2#
發表於 2008-2-13 03:11:59 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

現在製程  TSMC都已經進步到 32奈米了
8 ]- F( A8 b. U! C& U# P4 c0 L記憶體製程 台灣大廠也準備要朝 58奈米 邁進了
5 S  M9 N, }6 P1 [  C9 t相信這應該是個不錯的簡報!
3#
發表於 2009-9-23 22:33:49 | 只看該作者
謝謝大大的分享
. Q* Y$ l$ y9 o1 p: C剛進入這個領域 所以需要多多吸收知識+ ]+ y; b6 ~# u
趕快來去看看~
4#
發表於 2011-7-8 23:53:10 | 只看該作者
了解下这方面的知识!
5#
發表於 2011-9-21 17:25:49 | 只看該作者
謝謝分享, D# R" I) M2 M( Q; Q3 z
沒看過這份
, s# c. C. J7 N8 {' \支持大大
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