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[問題求助] SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

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1#
發表於 2009-4-28 22:58:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問各位前輩.
- g( a) x' w- p. q+ KSRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
! n6 P  i2 A) ?然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
$ ?) p. a9 r5 P8 z  n+ c) a4 x1 h8 H8 u/ K. d1 [, S' h3 ]- O8 k
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
7 }* n; ^  h4 b0 k$ D+ ?
4 ~  `! V3 s# C對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
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2#
發表於 2009-6-7 11:03:36 | 只看該作者
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。
# F5 t' v+ P% ^+ y- W我碰過的例子,也許是大部分的例子。1 a$ f' M/ z2 C
one-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。
9 @, h5 s( R- V5 }7 udual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
  ]0 o' a% S  ~) H. T/ Ytwo-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
& S7 W; _* d8 X! I: ]$ n
3 Q( Y% F5 Q) c, iSARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
! f5 Y* j. s0 g. R$ u+ c% U7 b普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大
; l- v  {( H( `! i可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。' W+ a6 I' X4 v6 n0 [$ q0 A

. r' S6 f1 A2 ?4 j1 |0 }Register-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

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masonchung + 5 言之有物!

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3#
發表於 2009-9-22 11:48:44 | 只看該作者
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕
+ f2 t+ i' k5 F) K+ n( |- c% E我用Faraday Memaker 產生5 E' B6 b: X2 T( X

3 N0 n1 X! v/ [- Y1 G0 Stwo-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
" k: x1 R$ k: B& x0 y5 Sdual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
5 R. n$ h  |7 c; `: ^9 L
; V, E' P$ L3 J有錯請指正~
4#
發表於 2009-10-12 11:51:18 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。
9 O$ [% S% b8 ]! T& i, N' yregister file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
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