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[問題求助] 如何模擬MOS的電容

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1#
發表於 2009-5-18 23:25:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教諸位,在cadence下如何模擬mos管的寄生電容隨Vgs變化而變化的情況?具體情況如附件所示。

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2#
發表於 2009-5-21 09:18:43 | 只看該作者
use DC simulation?you can try it。
3#
發表於 2009-5-21 09:51:41 | 只看該作者
Dear andrew,
  o, s4 G8 \0 o8 d5 N4 n( J& NIt is easy, make sure your mos was connected like an capacitor.- f2 d3 T9 t7 B8 K; a7 l# E) f2 l$ C
Using calculator-> op to mos, choose the cgs, then get express to your output.' \0 _6 |$ B" q) N: f3 [
Then, use the parametric analysis to sweep Vg.( |8 p: q5 S; v2 {) p$ P6 b
You will see that !!!!
4#
 樓主| 發表於 2009-5-21 11:22:18 | 只看該作者
Thank you seanyang1337! Please tell more details, i can't get your idea completely. My email is    andrew_wee@163.com
5#
發表於 2009-5-28 10:56:27 | 只看該作者
you can reference HSPICE example.; Q% s) `+ i' L) T2 \* F6 \! X8 p' P% p
it's have example file to do this simulation.
6#
 樓主| 發表於 2009-5-28 22:41:51 | 只看該作者
Thank you,super!i find it! Maybe it is helpful for me,i hope that!
7#
發表於 2009-6-3 11:14:01 | 只看該作者
我都下這樣的指令,詳細你看看手冊
* m# N- Z& t& ~; X/ Z.OPTION DCCAP
9 |' F9 t: Q+ e2 B, h6 c6 I, {# {.PRINT cdtot=CAP(mos_drain) dgtot=CAP(mos_gate) ...! i, l1 T+ j8 V* G+ x/ v1 h+ I" s
CAP(NODE) NODE是指你想知道電容值的端點
8#
發表於 2011-7-29 13:08:08 | 只看該作者
you can reference HSPICE example.
5 J& U( a) e2 t! Q& _! c  d6 m  E' `0 f% V, }% Kit's have example file to do this simulation
9#
發表於 2012-9-9 03:37:34 | 只看該作者
HSPICE 可以使用LX18或是查詢manual!!
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