C方式在萃取RC時,共用S D的部份! v' Z5 | ]- B, E" i# N% _# U
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
: @6 `+ o9 ?& R- O o且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小- O$ y( b; S) v! k& V
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在* `1 H& R5 K1 T4 m: v
做速度較快的電路時,差異更明顯,/ \' K2 |; q, A% q9 K( y1 x, y( v# H! [
E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生% T$ {! B( Y/ S! n: P' S
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
. V# \5 P8 s, y! e( t% k6 s所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
& q, ^. A: g. u0 b6 u1 s- {9 F而變慢,
8 n u+ n6 G& {1 }/ Z所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
: R/ @ B, \) c6 E, n+ Qmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該4 H" Z4 Y- L1 b" f! l0 h, {) k2 I
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
; }4 X, o) H8 h+ l( g問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |
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發表於 2009-7-16 19:39:29
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