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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表 9 Y, B! x# q1 p/ j
方案一:0 w% g: m1 E. V+ J6 h
  AB     AB
7 G9 h( T; G! ?4 H( I0 }        x3 p( P' O, a1 e( Q  `0 H9 V
  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central
) a, S5 k; m- \1 E/ R8 M
& K1 b) s% h) N5 E如果不共用
5 [' x8 c, f6 n# e5 T A      B          A      B
8 v( ]' D1 i3 L4 h9 Y/ O        x        X         x# }7 x& t) |5 Q, |9 I
 B      A          B      A   7 \/ o2 p- J# r4 o* g
   ...
4 f2 h0 C1 [: V2 k2 ^9 F
; v- E- t2 }1 _- H
方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.
& W9 O1 j! ^9 B1 j8 ?3 [# P
5 }( S- u$ ?4 [2 ]第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.+ h- U6 V2 [" W9 }$ S1 C+ T9 E
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表 9 I7 P) N) y' W1 w' V7 g
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.8 K! H4 ]- a# m# R, T+ \
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

& K$ o0 n( V( ]3 U
: |) C; Q- y! \6 v6 y+11 O& d2 L" y+ @6 u" ^
2 J4 A. M5 K8 z9 J
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊+ l  H8 x* e3 P1 s! S# p# I
1  面积小3 W8 l' G( X4 ~" w
2 drain 面积最小, 与sub 的电容小. Z2 Z3 ]7 g, K6 o
3 符合common central  : |3 J8 {) S) z( s
; F5 p) N% u8 q4 i
类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者

: D9 N, r- _+ c- Q/ K4 C
  R2 p; s. w. ?' n% e. }6 W
1 k/ T. p. N2 C% b) T2 `# K. r8 F6 K+ l. R1 L8 f$ N4 `- y+ o1 C9 D" o
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩
2 J2 p5 K; D9 f6 n0 V' Z
7 k' m" h' @3 O7 T$ L+ nABBA       ABBA
5 Q# C  `" c- `+ J$ ?9 x1 {6 uBAAB  和  ABBA
) g" d/ F! J5 A0 _3 @( n. j5 S# Q# Q$ \) h# @  r7 ]
這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!) \# z/ m0 W: W4 f. x0 q% l7 s
看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method   ^  _% E' L, |
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl
4 d0 Y8 L8 o# ^+ h" r( [$ h
4 h+ o: w0 n# ~/ i8 ?6 K5 `+ ^! k9 V! {) n) N& m# P
    我都用第2種方式~common-centroid: f8 E5 j  ~- \
    省面積~而且特性較好~
: D) G! _7 d4 W* Y+ j7 I    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl
5 ?% _: T9 z# Y& @  R% e
) v1 }* ]6 w3 P' e- X3 V我也想知道不共用的理由是什麼?
$ ^: X% i0 V2 u! K5 X% M8 r0 V) c
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。! ?2 F" l9 p0 z$ g# N1 v

  O$ q7 M. s# n( [現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的( i" u3 e4 z7 O
8 j! T! d/ |8 {) _3 ]; J
依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。. E( k6 }1 K) X3 c
事情並沒有絕對,只有合理性,$ W" x- f. k3 m9 F/ G1 I) C
rd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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