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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表 ! s/ W, N2 f8 a0 G
方案一:
# K# o; \& Z  E" V: W  AB     AB3 b. p7 f1 I+ ~7 Z
        x
4 w- I0 W- |( ?( y. r, ~  g$ P  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central/ C8 X" Y/ X, T0 o+ b* S
4 G8 i1 d2 h* Z( L+ M$ {( D
如果不共用
( ^( O5 C; L" j! y7 {6 q5 ~ A      B          A      B; G, s, L' N. M0 P6 d# p: N
        x        X         x6 _+ ^  s) |, k% {+ [
 B      A          B      A   
- b& \) s3 |  m' H9 Z   ...

  z# f- M1 I& R1 u# f3 T! f  W$ A/ H$ L% o- \
方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.
  N! M' ]: l, ^$ d+ n) x" G/ E1 h7 a9 c+ T( r
第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.# u' G* W* |/ w5 V, a: t& E
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表 : ]& I5 I2 Z2 Y2 l! N. O2 O8 ]$ L
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
6 u; M- L3 S, QRD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...
! F% {; M; P: S: N' p  H
6 E' p! S# }  Z: D; a2 L
+1# I' S- o6 e8 a0 ~6 f
1 A1 e$ w$ T& {& O
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊  ]5 a& a  f4 r5 l, U) P+ F( V8 N
1  面积小
( M  b; y4 N5 }5 }9 L0 s2 drain 面积最小, 与sub 的电容小; r8 }. ]$ ~/ T8 R1 ~* {
3 符合common central  
/ _( E4 P& l6 ?, {0 ]
! C  R8 B: z  _  @; L  a类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者

+ _) X) A+ ~3 m& c0 X. V# J/ Y' E8 }! W( G
" p2 p7 m3 ?2 U+ n
( F9 |7 J. `( A' E4 T- `& k, i" k
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩
+ x& ]) q2 T1 J' E9 V  A& N# P* w: Y
ABBA       ABBA' e1 Z4 D+ H2 T7 T8 W0 a. O2 J
BAAB  和  ABBA* u- n4 c* Z+ w7 j3 S

- E' U6 @. J5 g" K# {這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!
& A+ h/ I& {% j  `6 H/ i8 N' v看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method
" |/ r6 o: x1 S  _and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl
+ ?% k" z* p8 W! F/ c, u4 [1 U
( t' V/ L+ D, @# o$ a: m
: {* ~& M+ n+ g  Y    我都用第2種方式~common-centroid
( u) y! i/ L  K    省面積~而且特性較好~
" Q/ c6 r+ {0 C! t  Z) M3 _    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl
: i2 l) [- Z' i! [: v
! Q" c" r/ e2 e* N$ E我也想知道不共用的理由是什麼?
5 ]4 i3 N3 n. v3 t$ K; f7 \
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。
; ]/ ^+ R7 `* p+ _9 u+ R7 X5 L7 S; X# G& X
現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的& q1 L6 B' b' {

2 n; i+ L- ^4 {2 z依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。
3 `" r4 S+ S0 J/ Q! M* e事情並沒有絕對,只有合理性,
  C3 C% }; h( i* zrd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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