版图设计基础培训（很有用）！

fgwh406

包含内容：
8 e' P  f0 v1 Z4 {& ncadence基础培训
' D6 e6 |# E$ C2 H- l7 [CMOS工艺
  b  ?* @8 I3 d( y8 {mixed signal layout
; i, W( l+ K- `阱中阱bi-cmos工艺流程

遊客，如果您要查看本帖隱藏內容請回復

far

感謝分享
可以了解很多的知識
+ X- l' a. ]$ Z9 n, r$ _

aszx91z8

學習永無止盡 謝謝前輩分享

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

spacedpp

謝謝分享,
研究看看...希望有幫助＠＠

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
" O, O2 _, Y( B) c

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助
, @0 e5 x- A3 g. {) n7 Q

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kyobaby111

感謝大大的分享
# l& A2 E1 t: ]" s& k希望能對我這個菜鳥有幫助
2 w& e0 ~- Y  g2 |" ]

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
) K; ^' b1 R  `

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
5 R& s  B$ ]" f

何建頫@FB

謝謝分享
/ |$ ^. ^4 N4 Z7 P看起來是一份很基礎的講義

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
' j" r( y/ ^; A1 N9 u

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
想找些教學資料參考
9 h+ L% g' N8 a6 v謝謝大大分享

adjamie

謝謝分享!!
% f6 k& r+ Z& E! m" j學習中,非常需要~

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
( C+ d2 B) f! h+ n   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
- I$ V% u7 T8 b0 p" w; H9 K   
0 O. Z6 @0 l# w  b3 s" b  ^; Y   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
/ m1 p# ^( W' M. B" B4 c  F$ k   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

930709

想看本內容,謝謝!!
!!
感謝分享~~