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[問題求助] 請問有關於HSPICE中一些參數的意義

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1#
發表於 2009-9-12 11:36:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
在HSPICE中 跑完模擬後常常會去看看LIS檔裡MOS的狀態
5 V) ?0 E$ U" O3 d  m2 b4 A0 s5 J: ~* r; J% {) E
但是小弟有點不懂的地方是 這三個用紅線框起來參數之間的關聯性
* ?' X& _; _! s  z6 ]1 I- [9 G, K- `& N" R3 c9 I' u' @4 R0 l
6 m7 C' R. t% d
3 V9 c# J. ~# `/ Y, ^
以電子學來說vds>vgs-vt的話  MOS會進入SAT
, A- s# m! n' Q( _& e! e; a2 _$ I& S3 _  T, H6 [
那麼Vdsat這個參數又是代表甚麼意義呢?& B% {" P; Y! q7 e6 P! R4 M3 C
) F* l! c4 ^) u0 @* E/ x
感謝各位了
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7#
發表於 2009-9-14 12:05:00 | 只看該作者
Vod是過驅動電壓,也就是Vod=Vgs-Vth。
- N. @+ n- _# r- e7 ?4 k" H正常工作(綫性區或者飽和區)的Nmos其Vod>0為正,Pmos<0為負。
$ Q0 x6 N' l0 `6 [1 G' p否則cutoff(截止)。
1 ^3 c9 W9 c2 n9 _9 \1 |
5 z3 S$ F) h- `: U6 I另一方面,將Vds同Vod的大小做比較,
( [  e1 j8 n" |* ?1 f$ K! M0 K用來區分綫性區(Vds<Vod)和飽和區(Vds>Vod)。: Y6 @7 @# K* D! P" m7 n
. E+ m2 `) R. u
至於Vdsat不大清楚, 依照小弟的經驗,- d1 U' N: S. f; x/ q, z- L+ g
它跟Vgs的數值有關,同Vds的數值無關。
1 W2 T; C# `. U7 c5 n2 P但具體的電學意義,還請攤�的各位大大賜教。
6#
 樓主| 發表於 2009-9-13 20:45:12 | 只看該作者
恩恩 仔細觀察後 . O4 Q4 B& t/ I9 D
7 B$ x1 M' ?9 i
vod的值 的確是Vgs-Vth
( k# a8 W3 p, @& x3 ]3 h3 ]" w: N9 J: z0 U, K" B/ D4 q
因此 我個人認為 ) I/ z# S* }7 h! b
/ @- V5 I8 a- Z5 _  E+ w% F
Vds指的是在電路中這顆MOS D端和S端的電壓差5 P# p# Z- U  I. ~* j: x

  J  ^. |: ^" Y: E# xVdsat是指MOS進入SAT之後固定的電壓差(當然有可能會受body effect而改變)( N6 O7 T& h' ?* ]- I

+ T, D) ?/ k$ G' w4 H2 EVod則被定義為Vgs-Vth
5#
發表於 2009-9-13 15:40:37 | 只看該作者
<訂正上回複>  p+ k+ N- z1 e1 p

- p- ?3 |) ]- I7 {7 Q$ W+ D驅動電壓(Overdrive Voltage):Vod
! N( N$ ?" T9 y1 v7 LVgs-Vth
! m! N' F# i' Q' O1 \, m% d" K三極管區(Triode Region)(線性區)
. R; h+ A0 R' x9 Y' W1 `; ?- M/ LVds <= Vgd-Vth' @. h- g3 y% \8 |7 I4 X" J9 J. i
飽和區(Saturation Region)
7 N$ B, Q) |) f/ s! N. B# HVds > Vgs-Vth
4#
發表於 2009-9-13 15:39:08 | 只看該作者
驅動電壓(Overdrive Voltage):Vod4 l( _; B" m2 s; \
Vgs-Vth. g; [4 t9 S& |5 Z0 x% [) O8 q
三極管區(Triode Region)(線性區)" {5 i6 \( k1 ^' i! Y
Vds >= Vgd-Vth
- u4 \7 K8 R5 S6 |3 R飽和區(Saturation Region)" Q) k, j3 q0 z) |: ^' P
Vds > Vgs-Vth
3#
 樓主| 發表於 2009-9-12 17:33:14 | 只看該作者
恩恩 感謝 那麼 VOD又是代表什麼呢?
2#
發表於 2009-9-12 17:23:38 | 只看該作者
Vdsat是VGS-Vth的值(以NMOS為例)
5 A% a8 o1 y' N& k  K所以你的Vds只要大於Vdsat就會判定MOS在飽和區.
! u4 @3 X+ q( @以上
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