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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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發表於 2009-9-20 16:20:14 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝
; B  L' @0 `, ]0 W4 N% v! c3 h我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多)
) }+ p( G9 T  O; O0 w1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.5 E' l% I9 ^. G
                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }
( D3 r8 I2 a8 `  ^: L2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.4 k: s6 `. B! `0 n" y" c
                   EMPTY_AREA AND NWi }& V5 Q3 {/ Z+ _+ |5 f/ V
3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD 2 M& r) U) }& q* r4 @
                     layer.* [& h0 Y) ~# D: z
                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }
) H' }: L6 D5 _' p% ?5 ~' D1 P( e  G" `) \; L4 j1 C* e6 t6 }
麻煩了!
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 顯示全部樓層
2.是不能在角落的地方放layer . w8 t' C# j/ E  K2 f# w
整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check) }0 L* m- }$ A; `% e/ |: H
在 DRC command file 先把它 mark 掉
! c; h) x) S1 p" F在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些* D+ _) P: D' M. m
////#DEFINE FULL_CHIP
' ]) y0 v. e$ E# S3 j1 P仔細研究一下 design rule
) k$ I& L' ]& T" N) i* x應該會有幫助
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 顯示全部樓層
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?" P3 _+ K$ V+ k9 C
還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?! }+ ]2 v. [& ~' Y6 R. Z0 l4 X: O
1 H; o& x" f1 I4 N+ a+ f7 V- E
還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width , Q2 g. Q8 }& f$ N* G
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
: a2 c% d9 \: ]; T4 ?3 O也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?& ^% c2 a% w9 X9 a  d& _; j
- v" U- N8 X3 }* q5 R) Q
[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 顯示全部樓層
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉
$ K" U, v9 z! G/ g9 ?, ^1 @就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP
. }' t8 O) B, g6 S4 j8 `! N- h7 k# F在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)
: x+ r" o( }' F3 K: R, t& X2 ?如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;
1 ?' {, Z7 g( a$ ~- e( b 還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?0 U" e- e  b/ u7 b+ b
是的  有人說  rule file 也有人說  command file
$ b* h/ K$ C- z' }& c7 \  x* {% W2 ?: g
還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width : 5 U, r+ g8 P' k, h, z
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
4 l* Y8 F% K9 D  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?6 g) {0 H. B# I2 b% G/ k9 J7 l
沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮 6 I- {0 B; w3 ~: l- C$ s$ P
例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ, H' a4 z; p" k+ u  E! h
通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論
1 l$ \  Z: k, |# h3 J' m/ ^- w後 做決定 有時電路有其考量  參考參考
8 ?" n4 Q. F& m  T6 t
: J+ e/ `! D$ V:
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 顯示全部樓層
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 顯示全部樓層
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
9 Q0 j7 U" g( h, t) y8 r$ o% b那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 顯示全部樓層
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表
- l# V5 B) \. I* S我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~7 f8 S  @* ]+ B% n
那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 顯示全部樓層

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?  W# {* {: J) w7 I7 [
原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…
0 b1 d! }) p" }/ r這個名稱還滿好笑的……
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