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[問題求助] 晶体三极管集成电路设计

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1#
發表於 2009-10-9 16:18:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好:
5 A$ J  [( K; x7 Y+ @, o       最近看了一些教材上讲的晶体三极管电路设计,在应用跨导环线性原理时,都将管子的基极电流(uA级)给忽略了,但是我们在进行CMOS与Transistor混合设计时,这个问题怎么权衡啊?CMOS电路电流多是uA级的,大多数Transistor电路电流都是mA级的,谢谢!
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2#
發表於 2009-10-10 11:21:26 | 只看該作者
設計的時候注意MOS對BJT推力
9 M, h* n- ?6 I8 k6 M! a) V( u- \還有BJT偏壓若太小會有ROLL OFF現象
: E' @3 p( K, B* ?不過設計方面基本上還好, A3 D% G$ P, {& l" b$ w
這類型的Layout需要特別注意; u& ^- }3 w8 F
尤其design要特別注意layout工程師的畫法
" Y( g/ s; d) x$ K: M' x常常會發生就是metal的寬度不足
' t9 x& m+ O! P5 l雖然design已經設計足夠推力
; O, d9 j. l8 M7 I但是metal線畫的太細造成晶片發燙9 d1 m( b2 Z5 N
最好在電路圖上就標示metal寬度! g) }# {6 \  h, Y* j0 @
還有power元件上metal的畫法
! R9 @" _" B: l. h, u/ f' k以免造成電流不均勻的現象
5 f4 X: }& V+ k造成元件總是用某部分的在導通,0 i* P" Z& p2 J4 a7 H; B- Y
另外如果有被動元件5 n% e8 A) |3 T$ p4 \. A; e
例如電阻,設計電阻的長寬必須跟metal的長寬有匹配
) f. C, ?8 v- M7 v. D, U以免造成大metal跑進窄的電阻等於metal被縮小
& r( u( y. C; w! T7 ?' o$ u需特別注意
3#
 樓主| 發表於 2009-10-10 11:58:17 | 只看該作者
非常感谢rice019的耐心解答,谢谢你!
4#
發表於 2015-8-5 00:23:59 | 只看該作者
需特別注意電阻等於metal被縮小
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