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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,3 b( [! _/ g! |0 b

8 T3 R# ~7 v2 Z懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,& P" v4 |- ]( h
2 N* c, O& w, K* [
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。  H; W1 q+ f4 L( j/ W, U% Q* [+ l* ?
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
  y  D0 J5 O) j3 x0 v. _/ C8 M
) c; i. W6 X0 L) o/ p2 ^
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
% G8 w; Z6 D! m* v6 v0 e7 l, a標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
. }; w6 E9 i0 l0 p輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
) o) N1 l( D0 d* F$ m% I% `  x在理想的switch中,輸出訊號正常。' D7 _7 ~+ ]' a/ v) u
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。  X+ Z  g( r& R+ R$ `
取樣電容大概=400f F左右。
0 D3 I. T: t8 L& |( v4 j先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差); a& q( W& P2 q  o( N' D
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 7 f2 p) [6 c' ?6 O) t
/ u# @/ b- I/ W; |3 q6 F0 O
! P/ f' X. s9 F7 G- z# d8 g
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
  L( T; s5 n$ H6 c, n, r* g9 W. p6 }# F4 A
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖/ B; e$ \$ @+ z
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
; r& w4 a, Q5 U$ f- ?( k& B. E所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值# n: {+ e& V2 |
列成一個表/ S8 T# Y7 @* b1 _0 N& {( e
之後看表拿進去套用即可
' a6 D5 u6 K+ t此外此電路SH電容不大
2 h& P, ]: q7 Q& D2 y# S7 ]* L會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 , m7 G/ D5 h: K( G$ ^" o
: R0 Q0 ~7 b9 I6 x9 |
! Y0 m9 Y3 M4 I3 V3 H" ?' e
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?9 d8 ~9 A9 a) r8 ^
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,$ E+ s2 z0 ?+ P0 [# V1 O
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,8 i' X. g6 o: p/ r
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
$ x; H+ x' T: d( \( o7 T看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
+ `% Z: U6 q# a建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
. n  i, r0 J* @4 F' ?前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
3 e3 o" D! X2 e; W+ Z$ I8 j另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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