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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,, W+ I5 Y  ]/ c

6 v, ~" ]. y5 s* R懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,8 r; a0 f* G+ b! b, t, H
3 O/ ?1 f3 [. z! @, v& m+ }9 x
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
- \, C- @8 v, l. j2 d2 U2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
8 ~2 |% j8 Y4 u8 Q

. ~5 j* j. m9 C( ]% v* S電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,# A' ^# e6 ^! b+ d1 u' N2 `5 _
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
; U4 r7 h7 ^6 k1 Q) D; J- I輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)% ]% C5 C3 M) g4 V- X0 O
在理想的switch中,輸出訊號正常。
+ z2 O/ ^7 y+ O% w; O' f在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。# A" p, x% f2 S
取樣電容大概=400f F左右。$ `2 h% i! ~5 u$ \6 n
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)" F4 A( ]& q( h! l7 I
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
. v# M8 q/ H  i% Z' M% z( x- j$ @  l5 }8 K9 {! Y7 ?  v; Z
9 q+ Y! ~  a# \4 Y2 w
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid $ E- ^2 e7 |' j5 V
) s& Q6 t2 Z! n/ @
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
* N+ g" M3 @4 m6 g( j這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
$ @. O6 ]  W( w8 J+ Y所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值
6 I. [* l: R$ ?: m列成一個表3 Q5 J& V1 \6 e) e, K) O
之後看表拿進去套用即可
! l, T: e: R- {& G; i! z, i此外此電路SH電容不大& M0 \  ~# m3 K( `6 I$ U
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 2 ^; [: ^- J' l" t: @: ^

1 p4 B4 ]! i/ H. M. {! l$ u' S4 N6 ?3 W6 H4 p; V- F
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?4 A$ n/ S+ V. W3 h7 o# r' K
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
& i% M; ~, M9 f  p: U3 D在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
4 `5 O' H2 \6 c% D8 ~一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
! ?8 I3 f$ r" A9 d% k# E2 N  I1 A看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
" M: N9 y. |/ c1 B1 l. X7 W1 y建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
# r% e5 k! `3 i前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,0 L; T* W2 G- ?
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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