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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,! @9 u; ~% t1 z( ~8 R
+ {8 _5 _2 h# |7 F  j7 N
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
( ?( B  W& w/ x9 m  N* s; S) d/ c, }. Y! l  D& o3 C" b" E4 T
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
5 ?: ~" E/ g2 }& e* X# g& r* h( Y) s2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

# Z( p5 P1 a2 [! |. L* ]* T# s0 W, |; R5 P& @" E8 [
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,3 i7 O. e/ E/ e2 `: R+ A8 G. m4 T
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)* x8 f& V( t1 F: {) ?, _4 T
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)! @! F  C  k- M8 W+ ^3 H8 a
在理想的switch中,輸出訊號正常。8 q; g, }% r; x2 ^/ p# }+ [! i, f. T
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
. H5 ~/ y9 v& U, ~9 Y取樣電容大概=400f F左右。: R4 ?1 o; T8 e
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)/ A$ U6 S, q! a# N  f  e
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato . e' M( v' M" e

8 Y% x& E' k1 ^) J+ T- U8 ]% U' |
, P" a$ C8 K, C5 [( ~    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
$ X+ g! n. w& h1 D+ q) w" z9 Q( A- {% V2 ^: K+ R# G& F& g: e
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
# U% V" u- ]0 {4 `' b! K這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形1 G2 M' [1 ?: M. B0 K
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值7 l  k6 ^! s; g! ~  {
列成一個表' a+ N; f6 w6 I0 u/ n) a
之後看表拿進去套用即可
' q+ g5 v: q* }- f6 }  F  \9 S7 R此外此電路SH電容不大" ]3 ^# W) F: J( T/ W' v9 [
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 6 k1 F4 V4 E" S3 g8 R: t. I% c

' y7 z- c- l& j# ~7 m$ ]& w/ L; g- y% g- F" R3 G+ @9 Y
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?' s: S9 v; ]& @
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,: G: o% Q  C. E8 [' J3 S9 G! u
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
; Y5 g! w; j/ H9 |$ B" q0 u4 h一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
3 S8 L8 r  S2 H* F+ I  V' }2 }* n看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process," s: S& P. i* z, g8 D: n+ W
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
& B% b6 G" d" S前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,# ~9 ~$ C7 _9 d8 \
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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