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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
0 s" {7 }- E+ p+ e( ~" L
7 B$ E5 [" R4 e懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,7 r% B; t+ x$ \
. K% b7 h' y+ i1 x3 f3 h' `" g; x
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。/ M9 B/ k5 ?( _# E# a3 t% ^& k
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
2 s8 t2 D  X8 N* J$ v
/ {3 g8 n" F, |$ c- V* R3 z
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,/ g' B, n  P1 z, r& V- q9 `% r' d
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
& W+ U* h1 ]% F" X輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)/ o$ F, j. k* x* ^+ d+ }
在理想的switch中,輸出訊號正常。. q% ^0 @. a: K9 l' S. `  K
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
, G; Q% Q9 e* B* j取樣電容大概=400f F左右。1 k( B/ f5 v# \/ I2 l* d
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)' B5 B/ o& m% J4 Z1 g- h, ]9 I; a
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 2 ]. @6 K. Z  r" q' |1 L" G- M
0 b0 R! d6 B1 `8 X
7 p. N8 _' I- v
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
  H; b( g6 w5 P* N  J$ u1 t6 [
# h  a. E. p/ P: q( \先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
3 {2 w: _: M% D( |1 ]這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形2 J8 |) y# r- B9 W+ c$ ]1 N* Y
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值, g9 `6 l' h5 C  ~& P" g
列成一個表
2 c) v  a0 I6 K4 R0 H( h. }之後看表拿進去套用即可: N* e1 J% ]7 y3 x" G
此外此電路SH電容不大
" d' m& O5 G+ e! c" x9 g會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 5 }. O. O& i4 u4 Q( X' @
* a. ?0 q* B8 H. z
5 _# V- j7 {# S. g+ a3 j& M
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?8 D+ }2 Z; B) G! }" N5 d
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
+ `  _7 G" M; v$ g0 I在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,0 B4 l7 m( F- a4 ^
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
$ B  N& f' I' D; d看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
  Q4 n- T5 m4 F" W4 |建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
, l  T* z8 Z( {前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
2 v1 @2 U: h. `; _1 m# T2 }另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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