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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,0 p% j6 U8 p0 N, P5 o9 m! n

$ R1 b( s& u! w& S% A7 H" @- H7 J懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,3 U% l4 b9 J7 `: ]/ f% I. h
" R+ Z/ ]! I  I4 L
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。" a# R$ O! n, M( u, K# Y* d- c
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
( g' b. N! E) l5 [: B

& \/ Y8 ^9 k1 _* S* [( C電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,# i$ Z3 i( l- I& Q: r% G
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)5 Y* `" W3 z" E6 `7 \" I7 T
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)9 w; v2 D6 ]/ ?1 a( [! D$ y
在理想的switch中,輸出訊號正常。/ m, N5 c3 z4 ~
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
5 z7 I, ]: X5 l取樣電容大概=400f F左右。
+ a- {2 {, C. s: ^& Q& _& \先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
8 ?; }: W, N1 X2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
# ^0 a" h+ V0 `, n( r" |, ?/ b( Y) T% b2 p" \6 D( V
. C. L4 @- O" }& C" M7 x
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
- G8 V' x% W' _- G
& J1 D6 f( l0 s/ r& N8 T1 y先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖6 F2 l& `& I, h2 s4 K( G
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
2 [8 P% C1 u1 Z' h, s所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值* z) q# v7 E9 l+ r6 l: k
列成一個表. x% T0 y& |* @( S2 T
之後看表拿進去套用即可. {5 N* _: o/ c& ~* D7 ]& ]
此外此電路SH電容不大
, j6 R$ ~/ B* K1 o會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 1 I; V  j" l( |: }4 j* r
9 k% ]3 N6 M8 |( N' A2 I& ?, C& e
- Y/ n% ~( j8 C/ p6 c3 C
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
, o. N# b5 M7 X# A由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
( A1 ?, b, s$ z$ M. x4 @& z" t在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,5 z, ^$ b. d3 ~( ]4 }: D
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
' @  c0 S; B. M# a# \# R看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
8 f. u2 F2 l% }- [/ {8 w# c建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
9 h' ]/ q* e; D' k$ }$ p前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
4 T% c; v' m1 F另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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