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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,% r5 W+ h5 k- B; j+ A
+ D. ~( g. Q/ N& d8 ~; `% e
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,2 S) c2 i0 b0 M% @  M
& C9 K: _, B/ |1 [
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。) X5 J& e' f7 V" u  a
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
% Z1 [* d$ P0 X. |/ e! S, v
; \: _/ F1 ]9 b5 V2 b0 [
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
0 m4 L" ~0 c/ D, P/ |* G. D標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
3 E, c  a+ Q, Y* u: E9 r' g6 a輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)& Z. J9 q3 v* O, i$ W- g) P
在理想的switch中,輸出訊號正常。) W. y5 }/ m8 Q. v/ h. l
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。% _1 q0 E' N8 |8 S. B
取樣電容大概=400f F左右。3 V. d+ s$ @( y7 f  O
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)* w/ V- T! g6 }! t8 t
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato ! Z0 X4 B5 w7 W) _% w

( k2 a4 ^' H! B+ s5 O+ b/ U/ D9 a5 z4 i. ^
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid & O( [# X+ o8 y: B1 _& ]( ~
6 X- x* ^/ T# l/ H( Q8 f
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
6 u/ s  F) r) C5 W6 u! U1 T' D這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形4 ?" X& @$ S3 z! z9 k5 `6 ]; {+ D
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值- l9 X5 D$ e5 J0 q8 o; t) d+ A8 Q
列成一個表( `8 u/ \/ _- ]+ A
之後看表拿進去套用即可
0 W' r* k! y) ]1 p6 E/ t此外此電路SH電容不大
1 D% ^) P+ j" K' v$ W, W& e會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 & `9 U3 X' ?$ R0 k& m) o
3 l) V! ^+ C) Q8 c& X

: k# x( ^& F: Z$ E    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
7 K7 W, w5 Y- }/ F由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,: e$ s8 K5 b2 l' q, g) ?9 G0 M
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
( ~2 h/ h/ }" e/ x一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!1 j  x6 E! E: C
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,2 O' @- O; Z/ w) H9 k0 ^4 M
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??5 E8 A; N9 C7 P. z. R8 q) R' j
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
- x( y# _1 W0 N! @' x另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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