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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 顯示全部樓層
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
2#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 顯示全部樓層
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
+ J) o* X: [, I7 H/ B( }, v2 u' y3 `由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
5 h/ }$ T. o/ L/ {/ ]在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,/ a- s( X0 P  Z4 k* h  y3 u2 _1 O4 }
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!5 T# t: u$ b: s! J, L
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,- f: z# m' W+ P" R3 F8 z1 T- I
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
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