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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
: h- C: T5 N* S8 _) X% @' P" N2 e
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
$ M2 E& E0 @4 ]" ^) Z4 W
* t1 }- p% r4 ONMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
# a) Q( z& g2 K2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4 @  ?( X0 R' e7 Q2 d- l
0 J- j' @& m7 c6 d2 b
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
* P+ S' d  X3 |/ v- u標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)- B: Q& V$ s3 b5 M! p
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)6 y" g) Q2 G6 w! B% ]: x
在理想的switch中,輸出訊號正常。
& u6 H( s7 k+ S( ]; o# R9 t" ^4 `在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
  T- `+ h4 q7 Q) \% g取樣電容大概=400f F左右。
* L: L' [, N  I( {先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
8 a9 c2 g5 M$ X6 u; X3 G2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
+ ]+ x! U3 S; I- ?  F/ X4 k2 R' B7 J

* H+ W& f' W, l- q) J% Z, z2 C# D    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid 2 a4 B6 Q5 k- C7 a9 T7 I
- I) b& W( L7 S! J" K7 m' B
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
8 o- R/ T2 T3 O" f這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
$ h1 i! H2 \! s8 X+ B所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值# z# z6 M$ q" E4 V
列成一個表
, Z. Y5 b+ ?% w之後看表拿進去套用即可# b( o- N; D& b% e
此外此電路SH電容不大3 A1 Z; R$ h7 Z9 y: `5 Z+ M1 j; I
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 : H- J; I9 L( y3 H- Q4 M

: K4 z1 K4 S' M$ h* d. q7 s+ L9 b. L. C
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?! h4 x) O. [* _/ A8 g$ w  |
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,6 s- T- x( u' }; o' h1 p5 o. I! t
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,8 M6 h6 ]. O: U; c, m
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
% u5 u% F& E. y$ T9 O: ?看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,+ c  \0 C" Q. k+ W2 @
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
8 j& n1 f9 K- |9 ~1 m1 S前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
7 J+ {0 D  G3 ?! `- Y另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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