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[問題求助] 2010 CIC比賽之後 想知道正確的電容畫法

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1#
發表於 2010-4-2 01:42:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
3月24號的CIC比賽佈局圖沒做出來 原因就是電容不會畫=.=: C5 u- I: P' d" ^# t/ ^! V
然後趕快去翻書番講義 好不容易搞出一個電容 跑LVS有跑出誤差蠻大電容值 重點是電容短路了 結果辛苦八小時泡湯了
  C! O. z" A4 ]6 z! e所以想請教各位先進 正確的電容該如何畫 - U& j' Y* q& l9 p8 y: g4 L
話說去年我還特別去CIC上課 老師還說:唉呀電容用叫的就好啦 幹嘛怎麼辛苦的畫......  今年卻考電容
5 U4 l/ X) @1 E& _2 g% F1 d2 r" |. F" S! w1 a' }
我附上我最後的布局圖 請各位多指教
- D( @4 {+ U$ [0 e

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發表於 2010-4-4 10:20:11 | 只看該作者
當然可以當電容呀...3 e8 a' i0 ~$ X2 a2 ^- A
在cadence上你也是要畫mos 等效的電容而不是叫出一顆平行板電容
. ~! t$ F& S* ?否則lvs決對過不了!!(電腦是很笨的)8 f% U# f* {& @! v
不過基本上都是在數位積體電路上來"等效"一顆電容(類比也是可以啦)& {" e+ J% h/ D, x& S  h' U
因為一顆電容就可以遠大於你所有邏輯電路的面積4 `; s& [; B6 ?3 o' q' f/ _9 g
不過我沒看到電路  z9 n/ x$ s9 i$ q, _* \! ]1 S
所以沒辦法做結論判斷(是類比電路還是數位電路?^^a)2 K6 b5 X$ w- R: o

: j  v) s, W: D8 P4 g若你用平行板的電容外圍要加保護環!!
7 `2 j; F0 l2 V
$ {; p& ?. r2 s% z我看了一下圖示那應該就是說用金屬層(M)兩層; B7 Z- h' o' u) U
金屬層四邊要去角避免電荷積聚
0 {# U; a% b, H7 h% \然後想像一下電容的樣子. n/ D' ?: x1 h1 ?9 }
一定會有接點接出去+ l8 q0 o+ z( v7 \
所以或用via 或contact接出去
7 m2 m+ ?' O: c但最大問題一定是w/l 要去算一下: W- o7 I& J  f& l& h* M
* @* }1 k) r4 y1 }4 r) r
你可以先試著畫電容然後lvs去跑值lvs會顯示你layout時的c值& E# B+ u% v, A) x5 E, z3 F
通常會有一些些些誤差!(很難完全準)* n. i& W; p# u5 J$ t8 u7 o5 B) z

3 I: j0 m* N  Y! D+ U: p打的好累= =zzz
& |$ a5 y9 _8 e# _多去網路上看看吧~
& i1 C4 x: H& A: Z- @; D7 z製程文件也一定有教
回復 支持 1 反對 0

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13#
發表於 2010-5-19 22:38:30 | 只看該作者
回復 3# lunarsama ; i9 o5 k) [' h' G/ k+ ]
+ J4 j( c" a) d2 u! k! c; C" a
7 L* z; H7 U1 @' o: A/ P7 O2 N
    請問您這次比賽所使用的process是..., S! N( {8 T- C" r1 `" E
如果可能的話可以寄LVS command file給我$ r& l, @" V# O1 B7 b0 f
我幫您看看是哪邊出問題
12#
發表於 2010-5-10 23:25:15 | 只看該作者
類比元件的電容好像很難畫....9 {/ v4 b& p- X! d1 U7 W
那個老師說用叫的...是要怎麼叫阿...0 S  y, m) {3 U5 B' b2 `; v
該不會是叫一個NMOS或PMOS
. m; i: N0 N$ [. N+ c% o$ S8 O然後再把S端D端相接) C% w0 y1 j: ]/ R% [& I( z9 w  h1 ]
在去算他的L、W、Cox?
11#
發表於 2010-4-8 17:42:09 | 只看該作者
嗯...Metal-Insulator-Metal喔; }" ]7 a; g8 X$ G9 G
那就很有可能!!!
5 ]8 k, v8 L: A' S4 U' T% r' S2 z: r4 ~
你說的design rule 過不了9 M. g" a: z9 N8 N2 Q- k0 ~
我想你是說在cadence 中是用MIM電容
4 X0 }9 B! M1 w/ p) ~( s但佈局卻是用MOS等效電容
- o  p( V1 C& f9 S. a% _) D7 a/ d2 H0 x  h5 ~/ E& K% g, E
這樣是一定沒辦法過的!!/ v5 u, f4 n- Y  h5 r/ b

/ M1 B! \# Q* a$ M& o1 n但是...如果在cadence中就用mos等效電容
% v: t% f% I' o5 y( j那這樣還是可以過的!!
10#
 樓主| 發表於 2010-4-8 00:45:05 | 只看該作者
我有去問碩士的學長 # G5 v9 e2 w0 Z/ [
他說今年CIC的design rule 只有MIM的電容規則裡) k  c, f; W1 _4 @
其他種類電容都沒在design rule裡面9 e! r6 _$ W- y
所以其他方法都無法通過驗證
9#
發表於 2010-4-7 17:36:20 | 只看該作者
都说是电容啦。。那也得看上去像电容啊
. E/ ^( {" a0 T1 \画两个大的MOS管就好啦 fingers=2
. [& U' g* v# M# @' E: H. [比你那样好看多了, \/ q* e+ Y0 S" N" X

$ B" f" F) S3 F7 N6 b1 Q5 s0 |# p
8#
發表於 2010-4-6 13:37:50 | 只看該作者
一起多研究吧^___^5 x) J! ?/ @* d7 W8 ~+ V6 [

9 J% k* o2 @( F* L/ X; `: D不過看你得電路畫法
7 D; s. h: H- D- @, E" B6 b
+ O" F0 j1 h+ n$ h( a+ D1 X, e感覺像是數位電路
2 z4 R8 q6 d6 P+ a& J% r* o8 P
9 r  B7 j$ l# b3 z. }: Cp在上n在下
1 d' c$ m5 b& D4 u& K% |
% b/ r6 |" r1 p呵!
7#
 樓主| 發表於 2010-4-6 01:04:27 | 只看該作者
本帖最後由 lunarsama 於 2010-4-6 01:08 AM 編輯
8 I! J, {8 T4 q/ A! M8 B" |. N, W
, \5 v# Y: A; X6 r/ l. S清明連假的結束之時 終於把2010試題給完成了 總算對老師有交代了
% ^  X8 f% c4 d1 z星期天凌晨兩點LAY到一半 學校伺服器當掉畫面卡死 感覺叫我趕快睡覺 & g2 a* K( F3 t' }4 r
星期一下午伺服器重啟之後 第一次把電容無錯LAY好 只是電容值誤差蠻大的 % ~& ?( W& y5 s+ K$ [6 x, i
索性做一個試算表好了 也比較好找電容值
9 M& M% X* y: `4 [2 M6 r7 t做好電容之後發現該怎麼接到電路裡 就直接挖個洞拉出來接了 也不知道是不是正確的接法
! a3 n8 c8 N+ H- j9 L反正DRC/LVS過就好啦 ; I  }7 F3 @5 l8 }8 R1 y% q( I; h) j
樓上大大有教用MOS當電容 雖然讓我豁然開朗 我還是不知道怎麼用5 L- j: r1 b# W2 g5 i
cadence該用甚麼零件當MOS電容 像laker裡MIM叫[MIMCAPS]來指定她是電容
- _) d5 X& a! F0 r, `+ Q: HMOS電容就不知道叫甚麼了  可以在詳細講解一下 讓我有個方向" A3 @( t6 m$ I' N3 m

7 Z! M4 |5 C1 o0 {4 P不會畫CIC的MIM電容可以參考看看吧 電容大小:8.1ff電容 沒辦法整數 ; a/ _& H9 H: P0 |' g( A. n

6 H+ [9 j$ l. O' j; A最後佈局圖 只是覺得電容接出來感覺怪怪的 可以有人告訴我是否正確
# k6 O9 t6 h% `0 _+ Y3 u6 \; ]- W
7 l: r1 X2 g8 P! m* F; R  ?3 k順便把CIC電容表貼出來吧 看有沒有要吧
8 W2 A' w* `) z

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5#
 樓主| 發表於 2010-4-3 15:41:45 | 只看該作者
我是大學類全客戶設計組% R/ u6 i# _% W. G$ f2 [
看到樓上的回答 馬上遠端到學校LAY
0 X7 @! Z5 T- ~2 L, M  P8 R畫好發現我Netlist要怎麼指那個MOS是電容& g9 E, a2 }- y: ?
然後看一下LVS的RULE只有一行定義電容名字& ?+ H+ u: X# o
c. MIM Capacitor :; L/ [/ O1 T% @( L6 t5 d* [
  . Metal5 Mixed Mode MMC Capacitor (MIMCAPS_MM)5 h6 N  t. X  v
就沒了
1 l$ }, \9 c) g$ R- ?! D+ ?4 {所以好像沒辦法把MOS當電容
; N' ~. E; M8 F' G+ v5 @順便附上我看講義上的電容畫法是否正確
* ~3 k' r1 W3 D) E5 U, m

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4#
發表於 2010-4-3 10:42:31 | 只看該作者
請問你是大學部f組(可程式規劃@@?忘了)的吧!
% W* \: {* v3 x( ]
) u: t* e# a4 S7 g我大概有看過題目但我不是參賽者!" m% U9 u% I" E

# \  i2 k0 n: p+ Y/ x" I! m4 s: A電容不一定要用類比式的電容(也就是大大方方一顆的兩層金屬板)
# R- Y( B! `/ G
# B) n4 `7 Y# {2 U9 W/ H數位積體電路可以用mos來等效一顆電容
9 Q. P) b, J6 n  @* _$ [
2 H: w) I& O5 J/ H" I也就是將s和d極短路而g極連接出去
1 M7 v" W% A( }
  D/ g; C# y$ a) [6 \7 U這樣一來就可利用中間的氧化層和mos的w/l 組成一個電容- C. L0 T1 V- ]# k/ O% V* |: F

: N) o3 E/ {8 J6 d: `; s9 ^  |w/l就是決定您氧化層那一段的面積也就是大約等效出您的電容值
" c: U* e2 t: ]# r0 J$ |9 E1 J# d9 d' o' k( U
不過您還是要實際去跑一下模擬!必竟不同材值會造成不同的結果!!
  O9 U" t( A7 Z1 y% X, J1 d. c/ Z8 d0 p/ H  ?+ R5 [- Y
當然~mos也可以等效成電組^^
3#
 樓主| 發表於 2010-4-2 18:15:52 | 只看該作者
我看CIC給的講義是講2M+CTM, B0 I/ y; L7 W( m5 X
所以我就照講義上畫 DRC還說M5要離CTM 0.6u 所以畫成這樣$ B0 p# o) O& l1 k
可是LVS卻說這電容短路..所以我不知道我少哪些東西
- n( ^9 T  X  F; t. C/ W& K+ {這是RULE給的電容值算法; C  U. B4 h% i6 H2 n
Ca = 1e-3         // F/M^2
- r1 _% a! o  b) SCf = 7.5e-11      // F/M: q; z& n- v- B8 c7 i
C = Ca * area(CMMC) + Cf * perimeter_inside(CMMC, SEC_LAST_MET_C) ; B; J2 g) ?) b8 N

- g) v; L, Q4 d6 q2 x5 R  X論壇大部分有用的文章都有設定閱讀權限 我想看也看不到 所以直接發問比較快..
2#
發表於 2010-4-2 10:34:59 | 只看該作者
電容有幾種 簡單來說 2P , 2M ,  2M+MIM , MOS 電容  其他
. [- S6 @$ C* A( t. A
. P" m3 c" n6 S8 E. J$ @爬一下文 應該有相關資料4 h" z" l  g" W
+ U3 V3 m, T: U. s9 f4 P$ d
面積 X 參數值 = 電容值  (參數值 通常design rule 有)
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