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[問題求助] 2010 CIC比賽之後 想知道正確的電容畫法

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1#
發表於 2010-4-2 01:42:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3月24號的CIC比賽佈局圖沒做出來 原因就是電容不會畫=.=
4 }6 u  k. w; a+ ?然後趕快去翻書番講義 好不容易搞出一個電容 跑LVS有跑出誤差蠻大電容值 重點是電容短路了 結果辛苦八小時泡湯了
# S7 \( g( J9 u* Y所以想請教各位先進 正確的電容該如何畫 - t/ o0 I! m  i  ?, C" ~% p
話說去年我還特別去CIC上課 老師還說:唉呀電容用叫的就好啦 幹嘛怎麼辛苦的畫......  今年卻考電容
* C; A; ?- t4 _1 D
, V: x1 t; `/ \8 q/ Y* o2 U# `我附上我最後的布局圖 請各位多指教
1 p; s8 @6 |$ s; V* Z8 d5 M

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發表於 2010-4-4 10:20:11 | 只看該作者
當然可以當電容呀...
9 q7 H9 G9 t& C$ ^4 F在cadence上你也是要畫mos 等效的電容而不是叫出一顆平行板電容
% I. {8 J9 ^+ z; a否則lvs決對過不了!!(電腦是很笨的)) H2 z3 N3 [1 P  W2 k: ?. L/ @- n
不過基本上都是在數位積體電路上來"等效"一顆電容(類比也是可以啦)% |! P" |+ Y4 J- _
因為一顆電容就可以遠大於你所有邏輯電路的面積
$ `" o! b3 T: z0 ~1 m不過我沒看到電路4 M4 [1 ^4 n; A
所以沒辦法做結論判斷(是類比電路還是數位電路?^^a)( l) _; ?5 K7 Z3 H4 t( K4 o
$ {: U3 v. f1 o% U' q2 n2 M
若你用平行板的電容外圍要加保護環!!3 I3 _" n! b, ]# t/ B

2 P% r' H/ Z$ ?5 V2 W! _5 w我看了一下圖示那應該就是說用金屬層(M)兩層) S3 Y4 y: k- M
金屬層四邊要去角避免電荷積聚
7 z2 o1 F# A) y1 O然後想像一下電容的樣子; G: Y* B6 R8 Q  b! p4 m' W$ X
一定會有接點接出去
/ w* j6 V: p3 U* ^; ], i所以或用via 或contact接出去
. Z. z* a0 a5 C! q( Y( e5 Z但最大問題一定是w/l 要去算一下" j) `8 N1 w& V3 I6 b
. p* E4 E9 c0 d3 T8 \
你可以先試著畫電容然後lvs去跑值lvs會顯示你layout時的c值1 R/ Y. X2 c  ^
通常會有一些些些誤差!(很難完全準)
; q4 I8 P: E  b5 y* Y
1 X7 q* V8 K& P, s% J& l打的好累= =zzz
' A1 \! Q% z# h# K  J9 Q& u5 b! V% W多去網路上看看吧~
$ M0 A6 X  l0 q* Q製程文件也一定有教
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2#
發表於 2010-4-2 10:34:59 | 只看該作者
電容有幾種 簡單來說 2P , 2M ,  2M+MIM , MOS 電容  其他
: u5 `5 D4 `% \' x- f
1 i" ^1 W5 Y. d4 B) y% A2 m爬一下文 應該有相關資料) J. F6 r; L5 ]+ c( ]
7 H/ I' d) z/ R9 w/ N$ p; _
面積 X 參數值 = 電容值  (參數值 通常design rule 有)
3#
 樓主| 發表於 2010-4-2 18:15:52 | 只看該作者
我看CIC給的講義是講2M+CTM
, }$ Q# b/ e2 n) ^+ W3 _0 _/ Q! a所以我就照講義上畫 DRC還說M5要離CTM 0.6u 所以畫成這樣
! A$ x4 m7 l& d. e, [2 H可是LVS卻說這電容短路..所以我不知道我少哪些東西: A) R, S- g) P5 N) h3 Z8 _
這是RULE給的電容值算法
  J$ U2 v# [8 Y; u* dCa = 1e-3         // F/M^2
$ n# o) f, f8 H- @( |' UCf = 7.5e-11      // F/M+ E$ g- E5 z/ v. N7 R
C = Ca * area(CMMC) + Cf * perimeter_inside(CMMC, SEC_LAST_MET_C) : }1 F0 w" M( i1 t  U

  r  ?; Y+ T! I( y論壇大部分有用的文章都有設定閱讀權限 我想看也看不到 所以直接發問比較快..
4#
發表於 2010-4-3 10:42:31 | 只看該作者
請問你是大學部f組(可程式規劃@@?忘了)的吧!
) ]1 {# N! J: V
+ J4 m/ G! V  p+ [$ C1 O我大概有看過題目但我不是參賽者!
$ f$ B: m8 s! a, M7 Q; I4 C, M, U2 M) K5 `
電容不一定要用類比式的電容(也就是大大方方一顆的兩層金屬板)
" {, ?& r4 w( _) \- T# C7 W5 x4 u& H% o+ Q. b/ B
數位積體電路可以用mos來等效一顆電容
6 l# j, c4 F  S1 ]* [" M1 U' C) M8 g. V7 @
也就是將s和d極短路而g極連接出去
' J7 `0 i1 ~4 D& E% j* y+ E
. ?* [6 Q9 M1 k( X. }' n這樣一來就可利用中間的氧化層和mos的w/l 組成一個電容
, ?( n& H3 l9 y' L
: b  t  Y, _1 G& H1 P9 gw/l就是決定您氧化層那一段的面積也就是大約等效出您的電容值& i1 ?1 e) g4 j# T; u' J

% e! ^; V5 d8 M( \  f不過您還是要實際去跑一下模擬!必竟不同材值會造成不同的結果!!
9 ^2 r: D, x; s; b5 H6 e$ q' v' p
8 w5 P+ o6 _1 @# S9 s/ b" w# g當然~mos也可以等效成電組^^
5#
 樓主| 發表於 2010-4-3 15:41:45 | 只看該作者
我是大學類全客戶設計組) F+ F9 W" `/ c6 F) l  j4 q4 i/ r
看到樓上的回答 馬上遠端到學校LAY
' r) M& p; ]) F畫好發現我Netlist要怎麼指那個MOS是電容
% D9 ~' ?- l4 X) m  r然後看一下LVS的RULE只有一行定義電容名字
! m! |  v4 V! M8 T  oc. MIM Capacitor :0 V* j7 A& X) T- ~3 |7 _
  . Metal5 Mixed Mode MMC Capacitor (MIMCAPS_MM)4 p) Y5 m1 ~8 X. n, w0 N6 [) x
就沒了
" n, W/ m. m! z0 L) E3 `3 T# v所以好像沒辦法把MOS當電容
) R8 i0 a# p0 A0 W3 w8 Z順便附上我看講義上的電容畫法是否正確
& e7 B3 j  X% B1 \

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7#
 樓主| 發表於 2010-4-6 01:04:27 | 只看該作者
本帖最後由 lunarsama 於 2010-4-6 01:08 AM 編輯 ) z5 ^  \3 P8 R4 z" F* j& R: z+ \

$ h% A% {0 u" s  P; p" s清明連假的結束之時 終於把2010試題給完成了 總算對老師有交代了
: Q# i, T1 d7 W3 P7 F0 |/ _# \星期天凌晨兩點LAY到一半 學校伺服器當掉畫面卡死 感覺叫我趕快睡覺 3 k7 Y! ]$ W0 f
星期一下午伺服器重啟之後 第一次把電容無錯LAY好 只是電容值誤差蠻大的
( V. m9 [5 E# u. K' E+ m索性做一個試算表好了 也比較好找電容值
) L9 K7 |9 j; i; I2 J5 E; t做好電容之後發現該怎麼接到電路裡 就直接挖個洞拉出來接了 也不知道是不是正確的接法
2 k8 _5 n, x3 U/ b9 E) L" H1 x: S, w反正DRC/LVS過就好啦
* f& b* Q0 j4 v* Z# \樓上大大有教用MOS當電容 雖然讓我豁然開朗 我還是不知道怎麼用
" E# h7 V6 A& Tcadence該用甚麼零件當MOS電容 像laker裡MIM叫[MIMCAPS]來指定她是電容# c! C( D1 t6 j+ {9 e
MOS電容就不知道叫甚麼了  可以在詳細講解一下 讓我有個方向+ H: |3 E# D4 l

$ I5 J. g& z( N! q不會畫CIC的MIM電容可以參考看看吧 電容大小:8.1ff電容 沒辦法整數 " z+ \* v" i9 o5 A: |- {; L

) l5 V1 @" w3 h. s最後佈局圖 只是覺得電容接出來感覺怪怪的 可以有人告訴我是否正確
# Z5 f' u7 q1 Y# L3 F3 F3 s2 ?; i( [
順便把CIC電容表貼出來吧 看有沒有要吧 ( s; y' b' h' _: {

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8#
發表於 2010-4-6 13:37:50 | 只看該作者
一起多研究吧^___^
7 R0 w/ `  \+ _/ Y4 f
8 I# f" [  l* ?9 H不過看你得電路畫法! N% ~6 v8 x7 v8 c7 n# r
. a: n3 ~* p- k6 K
感覺像是數位電路
- k0 x2 j6 A. B- E8 h1 k
6 s5 Q  b4 ^* ^' Mp在上n在下
$ M# r$ A! X6 [% }
& A6 y  F0 W5 q) ~呵!
9#
發表於 2010-4-7 17:36:20 | 只看該作者
都说是电容啦。。那也得看上去像电容啊
5 e+ z$ h0 I( B, Z7 l6 L5 k画两个大的MOS管就好啦 fingers=2
) q/ H3 l4 s% y5 k3 X6 b比你那样好看多了
! x8 b; c, B9 r- {5 s# e& n; t+ F: t& |0 K4 j: @+ f4 H1 l
10#
 樓主| 發表於 2010-4-8 00:45:05 | 只看該作者
我有去問碩士的學長
+ i( C) x* @& v9 |9 {他說今年CIC的design rule 只有MIM的電容規則裡+ T) X0 T0 ^( l+ P& H
其他種類電容都沒在design rule裡面
/ Z: w+ w& E# W& k* c* x. G所以其他方法都無法通過驗證
11#
發表於 2010-4-8 17:42:09 | 只看該作者
嗯...Metal-Insulator-Metal喔. e, X( M- E) f) o
那就很有可能!!!
$ o, O- ?7 C+ U4 \; q' Y. `; y' W# L) i9 ]9 M) g! x
你說的design rule 過不了
# P" D0 L4 ]0 W& y我想你是說在cadence 中是用MIM電容6 O: V- I: M7 `  M* l( ]
但佈局卻是用MOS等效電容' c2 V4 n; N: H8 J5 a

3 v2 `8 d' N' f8 \5 X4 @7 T- {這樣是一定沒辦法過的!!$ {" f# T: C* c* \

. Z2 A0 c% g+ {: e5 A/ c但是...如果在cadence中就用mos等效電容1 ~. p% }- s' ^( X- I
那這樣還是可以過的!!
12#
發表於 2010-5-10 23:25:15 | 只看該作者
類比元件的電容好像很難畫....) o# _2 q. P3 [1 \! |: |2 I: q7 v$ [
那個老師說用叫的...是要怎麼叫阿...* n/ E  b  T, h* p4 T# H% d5 f
該不會是叫一個NMOS或PMOS% B7 g5 w3 c6 @. {) O7 W4 a* e
然後再把S端D端相接
- y9 d7 U6 _9 }, g2 b1 M2 N& @在去算他的L、W、Cox?
13#
發表於 2010-5-19 22:38:30 | 只看該作者
回復 3# lunarsama
/ G, M6 i# p! t1 y! K% O8 F: m( W% X0 k* o& A* Z
% v& L2 Z% ?; {# q" W/ Y
    請問您這次比賽所使用的process是...
7 v. X. B# u3 K. W! s# r& e# d如果可能的話可以寄LVS command file給我0 q+ d( p* S" n, C, t
我幫您看看是哪邊出問題
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