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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 關於用MOS做的電容
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[問題求助] 關於用MOS做的電容

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tommy01
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1#
發表於 2010-4-12 09:25:00 | 顯示全部樓層 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
會先把S,D端相連,要形成電容必須有上下極版及中間介質
# d% t9 D0 a% m$ t* K+ B0 ~若是NMOS電容:上極版是G端,中間介質是薄氧化層,下極版是P-sub嗎?
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tommy01
2#
 樓主| 發表於 2010-4-12 11:44:41 | 顯示全部樓層
我剛有再去翻書看一下5 m5 |& o6 O% d% t8 ^
下極版好像是通道
" [# u1 R1 H2 W1 n2 P+ @而薄氧化層是型成電容之間的介質5 {- U( F% Y: n: b+ h0 Z& I0 `
表示要做MOS電容,上極版電壓要比S,D電壓高出Vth* ?* m7 f& y' ]& v8 u
才能做出嗎???
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tommy01
3#
 樓主| 發表於 2010-4-12 20:41:44 | 顯示全部樓層
再請問一下
& ?" j9 }1 b! ?! n若是跟通道形成的,不是會有三種情形( B; L- l+ }" V" Z$ s8 x/ R- o
1,通道未型成時# v1 k/ |: y3 i  H" D4 t  E1 K/ f
2,三極管區' ^* t- v0 n2 v" t% T. o3 r
3,飽和區
7 w/ `6 [  f; v# R% |此三種的L好像都不一樣?
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tommy01
4#
 樓主| 發表於 2010-4-15 22:41:17 | 顯示全部樓層
謝謝這位大大的解說,還有付圖片,讓我更了解了
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