關於用MOS做的電容

L_ju

, _0 g! O8 U7 v( z9 G3 [mos电容显出较强的电压控制特性，图显示的是nmos作为电容世道容值曲线图，当gate相对于衬底为负电压的时候，多子被吸引到上面（氧化层下）形成积累层，在积累区工作状态下的nmos电容容值只有氧化层电介质决定，,(注：其实就是由两极板间的电解质面积和电学性质决定的，这就是本征电容C本)
当gate相对于衬底正电压时，多子被排斥开表面，耗尽层形成了，随着电压差的加大，耗尽区越宽，容值也降低，一直到电压差等于阈值电压时，少子会被吸引到表面形成反型层，随着电压差的进一步增大，仅仅增加的是少子的浓度，而不会增加耗尽层的宽度，容值等于C本的20％左右。
$ J$ D8 Q/ t: d- p7 `5 a以上分析仅仅是s和d diffusion 不存在或者没被连接到衬底的情况，如果s和d 存在并且连到衬底，那么这个mos电容就有点复杂了，一旦强反型形成，一个导电通道short了s和d，这个通道变成了电容的下极板，容值又升到和C本 一样大了。
9 t0 E# }- d; x; XMos电容一般应该设计让他工作在远离阈值电压中心以外，如果device工作在积累区，没必要接s和d diffusion，如果device工作在反型区，想达到满电容就必须把它们和衬底连一起，

L_ju

所以做mos电容应该一端接poly,另一端接source-drain-pickup这3点就保险了,这样就得到如图中所示的"v"型曲线,如不接source-drain,就是如图所示的"Z"型曲线.