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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias* z  H3 J, A% ?+ H0 x
' m! q5 U. [% s- t. [
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密6 [  V: [" g7 r3 C
大部分是要match0 m! x- i' k( `! n4 ?
Metal poly  density  不夠6 B! \# v, {: ~5 g7 q( I+ g8 C0 m
加ㄉ那些也較 DUMMY
  X7 d9 J2 c7 X& Z把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ' q3 ]. R% b, u+ A: h: F7 ^$ x& {0 R
/ P+ u; A2 {$ o9 k. {

" k' g6 W6 @1 W: @    感謝樓上的大大
' Z2 W3 q& x6 e& M& z3 |- u  L   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
' k7 R( V0 T* x4 H! L4 y- `5 k) X
  Z2 Y7 W% o/ M4 O- F) e+ n6 u7 q$ J, B* t/ X3 w) C0 P* E5 S
    感謝您回覆的這麼的詳細
1 J, s5 D$ \3 Y, ~您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ a( b- C  o7 m4 b; I" v8 C' e, q* G+ s0 X' J; k
不過簡單來說
2 v4 e9 g) @- z; J! e+ z1 U. j7 O在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 ^. y( y6 I# u$ j- L5 Q' I2 J3 e3 U而特性就被損壞. ?9 {* I9 k+ a, K" c3 E: T" B& ~% q

9 I0 O7 A- ?4 J& |! s1 O若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>' o8 J+ b0 u3 B! R
所以蝕刻吃他最多! K# _; `+ l0 Q: ^
主要部份特性就不會被破壞2 A8 _& `/ Y0 ~& [8 m
" s* N# ?6 j) L8 p# J4 t
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
, c+ ?, g. M& m3 P/ n9 H所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
; N2 b: p) M6 m( a4 N, L: [4 d7 F, V3 s# j7 ~
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" @- _" M9 O! f# k, J- |" v
還有電容也要加9 Y* e0 T. g9 C3 F: T! r/ L3 g
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!/ z! C  V, F& t" B5 {4 A6 B

2 ]" y$ J  U' s! P" Wand i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
6 m6 V5 p* E. {& tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

. \+ o2 j; D& k' q% Y8 ], ?1 X1 G" x  w

6 C) d8 V6 ~) X! H" W- F    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??$ U5 E' z; l3 u) X  [. ~
. u( `% }/ ]5 U/ ?1 d  s
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
/ O/ s; B2 I+ w; H+ q" G/ [9 _. v1 }& a' W9 [3 o. u2 J
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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