需要加 DUMMY 的時機是?

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需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?

vincent_p0593

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 v0 z* C% w' M, c
0 [8 |) w% h! [( E- d; o3 dpoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

motofatfat

看你的DUMMY指瞎密
大部分是要match
Metal poly  density  不夠
加ㄉ那些也較 DUMMY
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY

372412

回復 2# motofatfat
. F3 j" E9 _0 H' W( ~

    感謝樓上的大大
7 u( B* ^* @, f# V4 C# ]  o   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy

zhifj86

2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦

chaojixin

楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………

levimax520

原來不同的元件也需要用到DUMMY阿

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回復 5# vincent_p0593
$ L1 G: `/ E1 u2 P0 y. m
* ~' i; W, |- ]- P
    感謝您回覆的這麼的詳細
6 C+ K- J# R. D/ J您真強

bernie820

某樓說的很對!!
0 A" ~. I  A; @! J$ Y9 X9 {, i, k) t2 M
不過簡單來說
( K# n) V% V2 f. X3 }& f在製程時食刻會破壞掉你的元件
8 }, f: }( H7 s* E+ E8 r5 J而特性就被損壞

若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
所以蝕刻吃他最多
主要部份特性就不會被破壞

4 M6 d, v. p7 Y/ E: e7 n/ j& Q/ A; O很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
所以可以多找網路資料也有

xuguishuang

5楼分析的蛮详细的。。。。。

u9513349

感謝大大的分享
! e, D6 U2 N; J9 B( j$ v& T0 \
又學到一個知識了!!!

鋒鋒

op的差動輸入我是一定會加
; o; t& J2 F, u4 X) e' d還有電容也要加
若有空間能加的都加也無彷

semico_ljj

“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的

u9513349

thxs for your shows!!!
" {6 m' e& m) H3 M- |) v) h2 U
3 F% ?5 @2 v( I0 W6 q: M" r( }and i love it!!!

chone1205

通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容

chaojixin

5#NB！好人啊，讲那么详细！

pph_cq

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

/ h0 b0 f. s/ W- R( Z: b- m
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？

GU

想問一下 dummy metal 是什麼東西??

9 C9 ~! v+ S6 s/ e如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
# o, ^8 g% z5 z: k$ d3 X
  i  N) [: S9 m$ b+ x數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??

chone1205

加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕

吳龢峻

dummy device 也可當 redundant backup devices.